Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SIH Series MOSFETs

Vishay / Siliconix SIH Series MOSFETs offer 4th generation E series technology in a standard TO package. The devices supply a 30% reduction in conduction losses, increased power density, and higher efficiencies. The Vishay / Siliconix SIH series MOSFETs are designed for power supplies, including Switch Mode (SMPS), Power Factor Correction (PFC), and server/telecom.

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Resultados: 21

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-223

SIHFL9110TR-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.70
80,872En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHFL9110TR-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFL9110TR-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-223

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Hoja de datos

80,872En existencias

S/3.70

S/2.33

S/1.52

S/1.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOT-223-3

P-Channel

1 Channel

100 V

1.1 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-223

SIHFL9014TR-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.55
35,736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHFL9014TR-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFL9014TR-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-223

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Hoja de datos

35,736En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.83

S/1.86

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOT-223-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.8 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

SIHFR420TRL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.22
4,704En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHFR420TRL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR420TRL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

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Hoja de datos

4,704En existencias

Cinta cortada

S/5.22

S/3.28

S/2.17

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3.3 A

3 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

SIHFR320-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.94
8,135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHFR320-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR320-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

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Hoja de datos

8,135En existencias

S/4.94

S/3.10

S/2.04

S/1.59

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

3.1 A

1.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

SIHFR420A-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.14
2,590En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHFR420A-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR420A-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

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2,590En existencias

Cinta cortada

S/5.14

S/3.24

S/2.14

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.33

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3.3 A

3 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

SIHFR220-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.28
4,799En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHFR220-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR220-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

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Hoja de datos

4,799En existencias

S/4.28

S/2.67

S/1.75

S/1.35

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

4.8 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

SIHFR9310TR-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.95
2,368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHFR9310TR-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9310TR-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

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2,368En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.76

S/3.93

S/3.28

Envase tipo carrete

S/2.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

400 V

1.8 A

7 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V

SIHB150N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.85
1,767En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB150N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB150N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V

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Hoja de datos

1,767En existencias

Cinta cortada

S/16.85

S/12.26

S/8.72

S/7.24

Envase tipo carrete

S/7.20

S/6.66

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

158 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 84 mohm a. 10V

SIHF085N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/25.42
1,646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHF085N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHF085N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 84 mohm a. 10V

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1,646En existencias

Cinta cortada

S/25.42

S/17.94

S/13.27

Envase tipo carrete

S/10.78

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

158 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V

SIHP054N65E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/36.67
2,004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP054N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP054N65E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V

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2,004En existencias

Cinta cortada

S/36.67

S/25.18

S/20.28

Envase tipo carrete

S/16.54

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

158 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V

SIHP074N65E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/34.84
1,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP074N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP074N65E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V

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Hoja de datos

1,901En existencias

Cinta cortada

S/34.84

S/23.94

S/19.03

Envase tipo carrete

S/15.53

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

158 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHF9520S-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.31
1,528En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHF9520S-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHF9520S-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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Hoja de datos

1,528En existencias

S/6.31

S/4.01

S/2.68

S/2.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

6.8 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

SIHFR9024TR-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.94
1,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHFR9024TR-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9024TR-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

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1,881En existencias

S/4.94

S/3.11

S/2.05

S/1.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

8.8 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

SIHFR9120-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.52
524En existencias
9,000Se espera el 23/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHFR9120-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9120-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

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Hoja de datos

524En existencias

9,000Se espera el 23/11/2026

S/4.52

S/2.81

S/1.85

S/1.44

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

5.6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHF840LCS-GE3
Vishay / Siliconix
1,000: S/3.04
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHF840LCS-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHF840LCS-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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Hoja de datos

No en existencias

S/3.04

S/2.71

S/2.65

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHF9540S-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.11
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHF9540S-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHF9540S-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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Hoja de datos

No en existencias

S/9.11

S/5.84

S/3.97

S/3.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

19 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHF9630STRL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHF9630STRL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHF9630STRL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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Hoja de datos

No en existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.63

S/3.11

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

200 V

6.5 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

SIHFR430ATR-GE3
Vishay / Siliconix
2,000: S/1.64
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHFR430ATR-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR430ATR-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/1.64

S/1.46

S/1.41

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

5 A

1.7 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

SIHFR430ATRL-GE3
Vishay / Siliconix
3,000: S/1.57
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHFR430ATRL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR430ATRL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/1.57

S/1.46

S/1.41

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

5 A

1.7 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

SIHFR430ATRR-GE3
Vishay / Siliconix
3,000: S/1.57
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHFR430ATRR-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR430ATRR-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

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Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/1.57

S/1.46

S/1.41

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

5 A

1.7 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

SIHFR9014-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.09
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHFR9014-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9014-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

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Hoja de datos

No en existencias

S/4.09

S/2.54

S/1.66

S/1.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

5.1 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

SIH Series MOSFETs

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