Semiconductores – Mouser Perú

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Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel

DMN2004DMK-7
Diodes Incorporated
1: S/2.65
16,337En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2004DMK-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2004DMK-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel

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S/2.65

S/1.65

S/1.06

S/0.806

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S/0.596

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 540mA

DMN2004K-7
Diodes Incorporated
1: S/1.60
26,262En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2004K-7

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621-DMN2004K-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 540mA

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S/1.60

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S/0.494

S/0.436

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S/0.323

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel

DMN2004WK-7
Diodes Incorporated
1: S/1.75
39,177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2004WK-7

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621-DMN2004WK-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel

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S/1.75

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S/0.681

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel

DMN2005K-7
Diodes Incorporated
1: S/1.67
18,878En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2005K-7

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621-DMN2005K-7

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S/0.755

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S/0.467

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 300mA

DMN2005LP4K-7
Diodes Incorporated
1: S/1.44
46,208En existencias
27,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN2005LP4K-7

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621-DMN2005LP4K-7

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S/1.44

S/0.806

S/0.413

S/0.381

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S/0.327

S/0.323

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW

DMN2230UQ-7
Diodes Incorporated
1: S/2.06
25,019En existencias

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DMN2230UQ-7

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621-DMN2230UQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW

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S/2.06

S/1.36

S/0.868

S/0.654

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S/0.459

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFET 20V

DMN2250UFB-7B
Diodes Incorporated
1: S/1.63
47,902En existencias

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DMN2250UFB-7B

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621-DMN2250UFB-7B

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S/1.63

S/1.24

S/0.701

S/0.471

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S/0.253

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMN2450UFD-7
Diodes Incorporated
1: S/1.21
47,370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2450UFD-7

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621-DMN2450UFD-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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S/1.21

S/0.716

S/0.401

S/0.323

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S/0.206

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 101V-250V

DMN24H11DSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/2.34
9,957En existencias

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DMN24H11DSQ-13

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621-DMN24H11DSQ-13

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S/2.34

S/1.73

S/1.19

S/0.911

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S/0.599

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss

DMN24H3D5L-7
Diodes Incorporated
1: S/3.27
47,022En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN24H3D5L-7

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621-DMN24H3D5L-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss

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S/3.27

S/2.03

S/1.31

S/1.01

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S/0.712

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A

DMN3023L-7
Diodes Incorporated
1: S/2.02
27,952En existencias

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DMN3023L-7

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621-DMN3023L-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A

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S/2.02

S/1.11

S/0.693

S/0.557

S/0.522

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S/0.358

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 30V DUAL N-CHANNEL

DMN3024LSD-13
Diodes Incorporated
1: S/3.66
29,880En existencias

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DMN3024LSD-13

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621-DMN3024LSD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 30V DUAL N-CHANNEL

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S/3.66

S/2.28

S/1.48

S/1.14

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S/0.88

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC

DMN3032LE-13
Diodes Incorporated
1: S/2.72
19,937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3032LE-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3032LE-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC

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S/2.72

S/2.05

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.736

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Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 10V 5.8A

DMN3042L-7
Diodes Incorporated
1: S/1.44
117,365En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3042L-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3042L-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 10V 5.8A

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117,365En existencias

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S/1.44

S/0.732

S/0.483

S/0.459

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S/0.311

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC

DMN3065LW-13
Diodes Incorporated
1: S/1.83
23,740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3065LW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3065LW-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC

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S/1.83

S/1.12

S/0.666

S/0.529

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Envase tipo carrete

S/0.308

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel

DMN3150L-7
Diodes Incorporated
1: S/1.63
22,122En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3150L-7

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621-DMN3150L-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel

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S/1.63

S/1.02

S/0.67

S/0.506

Envase tipo carrete

S/0.323

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Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss

DMN3190LDW-13
Diodes Incorporated
1: S/1.48
24,869En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3190LDW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3190LDW-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss

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S/1.48

S/0.919

S/0.58

S/0.432

Envase tipo carrete

S/0.237

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Mult.: 1

Carrete: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss

DMN3190LDW-7
Diodes Incorporated
1: S/0.895
46,670En existencias
69,000Se espera el 26/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN3190LDW-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3190LDW-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss

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46,670En existencias

69,000Se espera el 26/06/2026

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S/0.895

S/0.545

S/0.385

S/0.378

Envase tipo carrete

S/0.292

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC

DMN32D4SDW-7
Diodes Incorporated
1: S/1.48
38,922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN32D4SDW-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN32D4SDW-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC

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S/1.48

S/0.919

S/0.564

S/0.42

Envase tipo carrete

S/0.269

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K

DMN3730U-7
Diodes Incorporated
1: S/2.30
15,298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3730U-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3730U-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K

Hoja de datos

15,298En existencias

Cinta cortada

S/2.30

S/1.42

S/0.81

S/0.673

S/0.607

Envase tipo carrete

S/0.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss

DMN4026SSD-13
Diodes Incorporated
1: S/2.57
13,531En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN4026SSD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN4026SSD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss

Hoja de datos

13,531En existencias

Cinta cortada

S/2.57

S/1.62

S/1.32

S/1.27

S/1.21

Envase tipo carrete

S/1.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF

DMN6013LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/3.70
28,499En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN6013LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN6013LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF

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28,499En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/2.63

S/1.79

S/1.43

Envase tipo carrete

S/1.11

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel

DMN601DMK-7
Diodes Incorporated
1: S/2.65
11,905En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN601DMK-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN601DMK-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel

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Hoja de datos

11,905En existencias

Cinta cortada

S/2.65

S/1.65

S/1.05

S/0.806

Envase tipo carrete

S/0.596

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K

DMN6040SSD-13
Diodes Incorporated
1: S/2.26
24,463En existencias
10,500Se espera el 17/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN6040SSD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN6040SSD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K

Hoja de datos

24,463En existencias

10,500Se espera el 17/04/2026

Cinta cortada

S/2.26

S/1.47

S/0.958

S/0.856

Envase tipo carrete

S/0.786

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Min.: 1
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Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHANNEL

DMN6068LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/2.84
17,261En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN6068LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN6068LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHANNEL

Hoja de datos

17,261En existencias

Cinta cortada

S/2.84

S/1.94

S/1.32

S/1.01

Envase tipo carrete

S/0.743

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

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