Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
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ZXMN6A07FTA
Diodes Incorporated
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36,000 Se espera el 8/05/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
21,892 En existencias
36,000 Se espera el 8/05/2026
1
S/2.72
10
S/1.71
100
S/1.14
500
S/0.876
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S/0.67
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 100 Volt 0.7A
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ZXMP10A13FTA
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S/3.15
10
S/2.11
100
S/1.37
500
S/1.05
3,000
S/0.786
6,000
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S/0.946
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Chanl UMOS
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ZXMP10A17E6TA
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S/4.71
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S/1.90
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Chnl UMOS
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ZXMP10A18GTA
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N.º de artículo de Mouser 522-ZXMP10A18GTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Chnl UMOS
3,728 En existencias
4,000 Se espera el 6/03/2026
1
S/10.20
10
S/6.58
100
S/4.52
500
S/3.63
1,000
S/3.24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Chnl UMOS
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ZXMP3A13FTA
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10,632 En existencias
1
S/2.26
10
S/1.61
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S/1.15
500
S/0.829
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S/0.771
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P Chnl UMOS
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ZXMP3A16GTA
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4,494 En existencias
1
S/5.88
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S/3.70
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S/2.43
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S/1.90
1,000
S/1.66
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S/1.58
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Chnl UMOS
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ZXMP3A17E6TA
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1
S/4.24
10
S/2.83
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S/1.33
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S/1.12
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Chnl UMOS
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ZXMP4A16GTA
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N.º de artículo de Mouser 522-ZXMP4A16GTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Chnl UMOS
14,892 En existencias
10,000 Se espera el 1/05/2026
1
S/4.83
10
S/3.22
100
S/1.62
500
S/1.45
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S/1.32
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Chnl UMOS
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ZXMP6A13FTA
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S/3.19
9,728 En existencias
32,870 Se espera el 30/03/2026
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMP6A13FTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Chnl UMOS
9,728 En existencias
32,870 Se espera el 30/03/2026
1
S/3.19
10
S/1.97
100
S/1.28
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3,000
S/0.732
6,000
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S/0.88
6,000
S/0.673
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Chnl UMOS
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ZXMP6A17GTA
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S/3.19
19,447 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMP6A17GTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Chnl UMOS
19,447 En existencias
1
S/3.19
10
S/2.25
100
S/1.53
500
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S/1.04
2,000
Ver
2,000
S/0.907
5,000
S/0.876
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 60V VDS Mosfet
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ZXMS6006DGTA
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S/7.05
24,148 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMS6006DGTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 60V VDS Mosfet
24,148 En existencias
1
S/7.05
10
S/4.16
100
S/3.13
500
S/2.56
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S/2.24
2,000
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2,000
S/2.01
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S/1.95
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Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ
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ZXMS6006SGTA
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1:
S/5.64
3,810 En existencias
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMS6006SGTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ
3,810 En existencias
1
S/5.64
10
S/4.55
100
S/3.03
500
S/2.40
1,000
S/2.14
2,000
Ver
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S/1.93
5,000
S/1.82
10,000
S/1.77
25,000
S/1.70
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 200mW
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2N7002-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/0.623
179,779 En existencias
132,000 Se espera el 1/07/2026
N.º de artículo de Mouser 621-2N7002-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 200mW
179,779 En existencias
132,000 Se espera el 1/07/2026
Embalaje alternativo
1
S/0.623
10
S/0.362
100
S/0.241
500
S/0.191
3,000
S/0.128
6,000
Ver
1,000
S/0.171
6,000
S/0.113
9,000
S/0.097
24,000
S/0.082
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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2N7002A-7
Diodes Incorporated
1:
S/0.817
65,090 En existencias
33,000 Se espera el 6/03/2026
N.º de artículo de Mouser 621-2N7002A-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
65,090 En existencias
33,000 Se espera el 6/03/2026
1
S/0.817
10
S/0.487
100
S/0.308
500
S/0.23
3,000
S/0.167
6,000
Ver
1,000
S/0.199
6,000
S/0.144
9,000
S/0.128
24,000
S/0.117
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 200mW
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2N7002DW-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/1.17
161,600 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-2N7002DW-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 200mW
161,600 En existencias
1
S/1.17
10
S/0.724
100
S/0.452
500
S/0.335
3,000
S/0.195
6,000
Ver
1,000
S/0.288
6,000
S/0.191
9,000
S/0.163
24,000
S/0.16
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel
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2N7002K-7
Diodes Incorporated
1:
S/0.74
104,806 En existencias
78,000 Se espera el 8/07/2026
N.º de artículo de Mouser 621-2N7002K-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel
104,806 En existencias
78,000 Se espera el 8/07/2026
Embalaje alternativo
1
S/0.74
10
S/0.452
100
S/0.28
500
S/0.206
3,000
S/0.14
6,000
Ver
1,000
S/0.179
6,000
S/0.125
9,000
S/0.105
24,000
S/0.097
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 150mW
2N7002T-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/0.973
94,190 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-2N7002T-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 150mW
94,190 En existencias
1
S/0.973
10
S/0.588
100
S/0.366
500
S/0.269
3,000
S/0.152
6,000
Ver
1,000
S/0.23
6,000
S/0.136
9,000
S/0.125
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel
2N7002VC-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.10
66,767 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-2N7002VC-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel
66,767 En existencias
1
S/2.10
10
S/1.30
100
S/0.817
500
S/0.627
3,000
S/0.459
6,000
Ver
1,000
S/0.561
6,000
S/0.416
9,000
S/0.381
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 360mW
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BSS123-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/0.895
116,002 En existencias
51,750 Se espera el 4/03/2026
N.º de artículo de Mouser 621-BSS123-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 360mW
116,002 En existencias
51,750 Se espera el 4/03/2026
1
S/0.895
10
S/0.541
100
S/0.335
500
S/0.245
1,000
S/0.218
3,000
S/0.171
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 200mW
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BSS138DW-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/1.56
13,764 En existencias
198,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 621-BSS138DW-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 200mW
13,764 En existencias
198,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
13,764 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
99,000 Se espera el 19/06/2026
99,000 Se espera el 6/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas
1
S/1.56
10
S/0.965
100
S/0.607
500
S/0.455
3,000
S/0.288
6,000
Ver
1,000
S/0.378
6,000
S/0.276
9,000
S/0.23
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT23 T&R 10K
BSS138K-13
Diodes Incorporated
1:
S/1.17
326,507 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-BSS138K-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT23 T&R 10K
326,507 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/1.17
10
S/0.833
100
S/0.525
500
S/0.323
10,000
S/0.167
20,000
Ver
1,000
S/0.253
2,500
S/0.222
5,000
S/0.191
20,000
S/0.152
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 200mW
BSS138W-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/0.973
228,453 En existencias
84,000 Se espera el 6/07/2026
N.º de artículo de Mouser 621-BSS138W-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 200mW
228,453 En existencias
84,000 Se espera el 6/07/2026
1
S/0.973
10
S/0.58
100
S/0.366
500
S/0.272
3,000
S/0.191
6,000
Ver
1,000
S/0.237
6,000
S/0.171
9,000
S/0.14
24,000
S/0.136
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Min.: 1 Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 300mW
+2 imágenes
BSS84-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/0.779
232,242 En existencias
240,000 Se espera el 22/07/2026
N.º de artículo de Mouser 621-BSS84-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 300mW
232,242 En existencias
240,000 Se espera el 22/07/2026
1
S/0.779
10
S/0.413
100
S/0.23
500
S/0.195
3,000
S/0.14
6,000
Ver
1,000
S/0.183
6,000
S/0.125
9,000
S/0.105
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -50V 200mW
+2 imágenes
BSS84DW-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/1.87
96,578 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-BSS84DW-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -50V 200mW
96,578 En existencias
1
S/1.87
10
S/1.15
100
S/0.732
500
S/0.549
3,000
S/0.378
6,000
Ver
1,000
S/0.49
6,000
S/0.362
9,000
S/0.308
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
DMC1028UVT-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.76
37,008 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-DMC1028UVT-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
37,008 En existencias
1
S/2.76
10
S/1.70
100
S/1.11
500
S/0.849
3,000
S/0.673
6,000
Ver
1,000
S/0.775
6,000
S/0.596
9,000
S/0.561
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
