Semiconductores – Mouser Perú

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Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V

ZVN4424A
Diodes Incorporated
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ZVN4424A

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522-ZVN4424A

Diodes Incorporated

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 250V

ZVN4525E6TA
Diodes Incorporated
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ZVN4525E6TA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 250V

ZVN4525ZTA
Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V

ZVNL110GTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 200V

ZVP1320FTA
Diodes Incorporated
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ZVP1320FTA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 240V

ZVP4424A
Diodes Incorporated
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ZVP4424A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 250V

ZVP4525GTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Chnl HDMOS

ZXM61N02FTA
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ZXM61N02FTA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl HDMOS

ZXM61N03FTA
Diodes Incorporated
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ZXM61N03FTA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Chnl HDMOS

ZXM61P02FTA
Diodes Incorporated
1: S/1.36
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ZXM61P02FTA

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522-ZXM61P02FTA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Chnl HDMOS

ZXM61P03FTA
Diodes Incorporated
1: S/1.48
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ZXM61P03FTA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Chnl HDMOS

ZXM62P02E6TA
Diodes Incorporated
1: S/4.55
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ZXM62P02E6TA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET H-BRIDGE SOP-8L

ZXMHC3F381N8TC
Diodes Incorporated
1: S/6.07
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ZXMHC3F381N8TC

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522-ZXMHC3F381N8TC

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET H-BRIDGE SOP-8L

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS

ZXMN10A07FTA
Diodes Incorporated
1: S/2.45
22,831En existencias

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ZXMN10A07FTA

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522-ZXMN10A07FTA

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S/0.576

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS

ZXMN10A07ZTA
Diodes Incorporated
1: S/3.46
21,022En existencias

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ZXMN10A07ZTA

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522-ZXMN10A07ZTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS

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S/3.46

S/2.16

S/1.40

S/1.07

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S/0.938

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS

ZXMN10A08E6TA
Diodes Incorporated
1: S/1.48
7,251En existencias

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ZXMN10A08E6TA

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522-ZXMN10A08E6TA

Diodes Incorporated

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S/1.25

S/1.12

S/1.03

S/0.973

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S/0.849

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel 2A MOSFET

ZXMN10A08GTA
Diodes Incorporated
1: S/3.89
8,800En existencias

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ZXMN10A08GTA

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522-ZXMN10A08GTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel 2A MOSFET

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S/3.89

S/2.55

S/1.48

S/1.34

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S/1.14

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel

ZXMN2A14FTA
Diodes Incorporated
1: S/2.37
48,115En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN2A14FTA

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522-ZXMN2A14FTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel

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S/2.37

S/1.74

S/1.17

S/0.876

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S/0.705

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

ZXMN2F30FHTA
Diodes Incorporated
1: S/2.22
70,374En existencias

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ZXMN2F30FHTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN2F30FHTA

Diodes Incorporated

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S/2.22

S/1.37

S/0.88

S/0.662

Envase tipo carrete

S/0.487

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS

ZXMN3A01FTA
Diodes Incorporated
1: S/2.84
38,399En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3A01FTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3A01FTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS

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S/2.84

S/1.75

S/1.15

S/0.876

S/0.775

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S/0.584

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS

ZXMN3A03E6TA
Diodes Incorporated
1: S/4.48
17,869En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3A03E6TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3A03E6TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS

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S/4.48

S/3.03

S/1.59

S/1.44

S/1.37

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S/1.23

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel

ZXMN3A14FTA
Diodes Incorporated
1: S/1.83
42,302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3A14FTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3A14FTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel

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S/1.83

S/1.45

S/1.27

S/1.16

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S/0.876

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS

ZXMN3B14FTA
Diodes Incorporated
1: S/2.45
27,811En existencias
18,000Se espera el 18/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3B14FTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3B14FTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS

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18,000Se espera el 18/03/2026

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S/2.45

S/2.18

S/1.53

S/1.24

Envase tipo carrete

S/0.884

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Min.: 1
Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

ZXMN3F30FHTA
Diodes Incorporated
1: S/2.76
10,582En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3F30FHTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3F30FHTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

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S/2.76

S/1.72

S/1.12

S/0.856

S/0.755

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S/0.568

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Chnl UMOS

ZXMN4A06GTA
Diodes Incorporated
1: S/4.75
16,882En existencias
10,000Se espera el 23/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN4A06GTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN4A06GTA

Diodes Incorporated

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10,000Se espera el 23/03/2026

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S/4.75

S/3.15

S/2.11

S/1.71

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S/1.50

S/1.41

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