Semiconductores – Mouser Perú

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Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Avalanche

ZVN4306GVTA
Diodes Incorporated
1: S/6.38
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ZVN4306GVTA

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522-ZVN4306GVTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Avalanche

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 310mW

BS870-7-F
Diodes Incorporated
1: S/1.09
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BS870-7-F

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621-BS870-F

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF

DMN10H120SFG-13
Diodes Incorporated
1: S/4.09
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DMN10H120SFG-13

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621-DMN10H120SFG-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMP4013LFGQ-13
Diodes Incorporated
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DMP4013LFGQ-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMP4013SPSQ-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

DMTH43M8LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/6.03
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DMTH43M8LPS-13

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621-DMTH43M8LPS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W

DMTH6004SPS-13
Diodes Incorporated
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DMTH6004SPS-13

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621-DMTH6004SPS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF

DMTH6010LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.57
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DMTH6010LPS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMN16M9UCA6-7
Diodes Incorporated
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DMN16M9UCA6-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family SOT23 T&R 10K

2N7002-13-F
Diodes Incorporated
1: S/0.779
14,189En existencias
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2N7002-13-F

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621-2N7002-13-F

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S/0.335

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMN13M9UCA6-7
Diodes Incorporated
1: S/6.27
2,963En existencias

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DMN13M9UCA6-7

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621-DMN13M9UCA6-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ

ZXMS6004DN8-13
Diodes Incorporated
1: S/2.49
70,360En existencias

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ZXMS6004DN8-13

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S/1.23

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel self protected

ZXMS6004FFTA
Diodes Incorporated
1: S/4.90
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ZXMS6004FFTA

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522-ZXMS6004FFTA

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S/4.90

S/2.99

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S/1.58

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S/1.21

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMG2302UK-7
Diodes Incorporated
1: S/1.21
348,203En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG2302UK-7

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621-DMG2302UK-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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S/1.21

S/0.751

S/0.471

S/0.346

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S/0.245

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH FET -20V 52mOh -5A

DMG2305UX-7
Diodes Incorporated
1: S/0.545
645,474En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG2305UX-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG2305UX-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH FET -20V 52mOh -5A

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S/0.545

S/0.432

S/0.315

S/0.304

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S/0.191

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K

DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
1: S/1.60
412,803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG6602SVT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG6602SVT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K

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S/1.60

S/0.977

S/0.627

S/0.467

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S/0.28

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 U-DFN2020-6 T&R 3K

DMN6040SFDE-7
Diodes Incorporated
1: S/3.46
95,749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN6040SFDE-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN6040SFDE-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 U-DFN2020-6 T&R 3K

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S/3.46

S/2.16

S/1.40

S/1.07

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S/0.81

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel

DMP2104LP-7
Diodes Incorporated
1: S/2.26
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N.º de artículo del Fabricante
DMP2104LP-7

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621-DMP2104LP-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel

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S/2.26

S/1.39

S/0.891

S/0.673

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S/0.51

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

DMP2305U-7
Diodes Incorporated
1: S/1.56
286,164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2305U-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2305U-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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S/1.56

S/1.19

S/0.67

S/0.452

S/0.343

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S/0.304

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Enh Mode 20Vgs 587pF 12.2nC

DMP4065S-7
Diodes Incorporated
1: S/1.60
234,445En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP4065S-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP4065S-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Enh Mode 20Vgs 587pF 12.2nC

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S/1.60

S/0.829

S/0.611

S/0.514

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S/0.311

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LFDFWQ-7R
Diodes Incorporated
1: S/4.28
66,921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LFDFWQ-7R

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LFDFWQ7R

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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S/4.28

S/2.81

S/1.90

S/1.55

S/1.40

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S/1.19

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V

BS107P
Diodes Incorporated
1: S/3.19
5,111En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BS107P

N.º de artículo de Mouser
522-BS107P

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V

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S/3.19

S/2.22

S/1.57

S/1.22

S/1.13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 45V

BS250P
Diodes Incorporated
1: S/5.33
7,763En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BS250P

N.º de artículo de Mouser
522-BS250P

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 45V

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S/5.33

S/3.29

S/2.12

S/1.69

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh FET PD 0.24W MIN RDSon

DMP21D0UT-7
Diodes Incorporated
1: S/1.25
61,084En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP21D0UT-7

N.º de artículo de Mouser
522-DMP21D0UT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh FET PD 0.24W MIN RDSon

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S/1.25

S/0.825

S/0.518

S/0.44

Envase tipo carrete

S/0.354

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chnl. 60V

VN10LP
Diodes Incorporated
1: S/4.75
6,589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VN10LP

N.º de artículo de Mouser
522-VN10LP

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Chnl. 60V

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S/4.75

S/2.99

S/1.97

S/1.53

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