MOSFETs de SiC – Mouser Perú

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 8

Filtros aplicados:

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/103.66
356En existencias
480En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R012M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R012M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

Obtenga más información

Hoja de datos

356En existencias

480En pedido

S/103.66

S/66.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/81.28
493En existencias
240En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R017M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R017M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

Obtenga más información

Hoja de datos

493En existencias

240En pedido

S/81.28

S/58.70

S/50.99

S/48.70

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/72.13
1,377En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R022M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R022M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

Obtenga más información

Hoja de datos

1,377En existencias

S/72.13

S/49.67

S/42.90

S/39.98

S/38.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/48.81
699En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R034M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R034M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

Obtenga más información

Hoja de datos

699En existencias

S/48.81

S/26.98

S/25.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/39.55
677En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R053M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R053M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

Obtenga más información

Hoja de datos

677En existencias

S/39.55

S/23.32

S/19.73

S/19.70

S/19.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

IMZC120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.55
460En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R078M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R078M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

Obtenga más información

Hoja de datos

460En existencias

S/36.55

S/19.89

S/18.33

S/16.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

28 A

78 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/59.94
18En existencias
1,200En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R026M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R026M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

Obtenga más información

Hoja de datos

18En existencias

1,200En pedido

S/59.94

S/39.28

S/36.04

S/33.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

IMZC120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/48.11
1,992En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R040M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R040M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

Obtenga más información

Hoja de datos

1,992En pedido

S/48.11

S/27.05

S/25.07

S/25.03

S/24.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

48 A

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte