MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/90.38
664En existencias
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IMZC120R012M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R012M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

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664En existencias

S/90.38

S/73.96

S/65.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/70.30
706En existencias
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IMZC120R017M2HXKSA1

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726-IMZC120R017M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

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706En existencias

S/70.30

S/56.29

S/48.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/51.50
683En existencias
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726-IMZC120R026M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

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683En existencias

S/51.50

S/38.46

S/33.24

S/31.49

S/26.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/43.21
959En existencias
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

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959En existencias

S/43.21

S/33.79

S/28.14

S/25.11

S/21.29

Min.: 1
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TO-247-4

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1.2 kV

55 A

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5.1 V

45 nC

- 55 C

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244 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

IMZC120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/40.40
967En existencias
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726-IMZC120R040M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

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967En existencias

S/40.40

S/31.61

S/26.35

S/23.47

S/20.90

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247-4

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1 Channel

1.2 kV

48 A

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5.1 V

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- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.77
858En existencias
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IMZC120R053M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R053M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

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858En existencias

S/35.77

S/26.62

S/22.19

S/19.77

S/17.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

IMZC120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.06
556En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R078M2HXKSA1

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726-IMZC120R078M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

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556En existencias

S/31.06

S/21.91

S/18.26

S/16.27

S/14.48

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Mult.: 1

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

78 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/59.98
13En existencias
1,680En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R022M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R022M2HXK

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

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13En existencias

1,680En pedido

S/59.98

S/46.44

S/40.13

S/40.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

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