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QPD1026L

Name: Qorvo QPD1026L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1026L
Price: 5367.49 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPD1026L

Fabricante N.º:

QPD1026L

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs 1500W, 65V,GaN pre-matched, 442(+/-5) MH

Hoja de datos:

QPD1026L Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Marca:	Qorvo
Frecuencia de trabajo máxima:	450 MHz
Frecuencia de trabajo mínima:	420 MHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	1.5 kW
Empaquetado:	Waffle
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1026L
Cantidad de empaque de fábrica:	18
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT

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Hoja de datos

QPD1026L Hoja de datos (PDF)

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USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

QPD1026L GaN RF Input-Matched Transistor

Qorvo QPD1026L GaN RF Input-Matched Transistor is a 1300W (P3dB) discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide High-Electron Mobility Transistor (GaN on SiC HEMT) operating from 420MHz to 450MHz. The QPD1026L provides a linear gain of 25.9dB at 440MHz. Input prematch within the package results in easier external board matching, saving board space. The device supports both continuous wave and pulsed operations.