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SCT4045DWAHRTL

Name: ROHM Semiconductor SCT4045DWAHRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4045DWAHRTL
Price: 44.3 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SCT4045DWAHRTL

Fabricante N.º:

SCT4045DWAHRTL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFETs de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC

Hoja de datos:

SCT4045DWAHRTL Hoja de datos

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	S/44.30	S/44.30
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	S/25.96	S/2,596.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	S/25.96	S/25,960.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	31 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	59 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	63 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	93 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	9.3 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	16 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	27 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.1 ns

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4045DWAHR AEC-Q101 N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is an automotive-grade device engineered for high-efficiency and high-reliability applications in harsh environments. With a drain-source voltage rating of 750V and a continuous drain current of 31A (at +25°C per chip), this dual MOSFET device offers a typical on-resistance of just 45mΩ per channel, enabling reduced conduction losses and improved thermal performance. Packaged in a compact TO-263-7LA configuration, the ROHM SCT4045DWAHR supports high-density designs and efficient thermal management.

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.