Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 8

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC030N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.20
2,227En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC030N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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2,227En existencias

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Cinta cortada

S/17.20

S/10.82

S/7.98

S/6.54

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Envase tipo carrete

S/6.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

179 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.11
5,798En existencias
15,000Se espera el 3/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC080N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC080N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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5,798En existencias

15,000Se espera el 3/12/2026

Cinta cortada

S/9.11

S/5.88

S/3.97

S/3.18

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

8.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.77
10,411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC230N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC230N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

10,411En existencias

Cinta cortada

S/6.77

S/4.28

S/2.80

S/2.22

Ver

Envase tipo carrete

S/1.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISZ080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.03
4,741En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ080N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ080N10NM6ATMA

Infineon Technologies

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4,741En existencias

Cinta cortada

S/9.03

S/5.88

S/4.16

S/3.30

Envase tipo carrete

S/2.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

8.04 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISZ230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.77
9,443En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ230N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ230N10NM6ATMA

Infineon Technologies

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Hoja de datos

9,443En existencias

Cinta cortada

S/6.77

S/4.32

S/2.87

S/2.26

S/2.03

Envase tipo carrete

S/1.85

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC027N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.67
13En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC027N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC027N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

13En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

S/20.67

S/12.46

S/9.42

S/8.10

S/8.06

Envase tipo carrete

S/7.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

192 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC022N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.05
75,610En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC022N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC022N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

75,610En pedido

Cinta cortada

S/27.05

S/17.71

S/13.08

S/11.60

S/10.28

Envase tipo carrete

S/10.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

230 A

2.24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

254 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC060N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.68
19,919En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC060N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC060N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

19,919En pedido

Cinta cortada

S/11.68

S/7.55

S/5.33

S/4.40

S/4.20

Envase tipo carrete

S/4.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

97 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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