Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
ISZ230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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S/6.46
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Si
SMD/SMT
N-Channel
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31 A
23 mOhms
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3.3 V
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48 W
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ISC060N10NM6ATMA1
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S/11.25
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10
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N-Channel
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123 En existencias
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S/9.96
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330 En existencias
40,000 En pedido
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S/6.85
10
S/4.32
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S/1.69
1,000
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S/1.82
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S/1.69
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SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
31 A
23 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
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ISC022N10NM6ATMA1
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S/26.51
93,376 En pedido
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93,376 En pedido
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20,000 Se espera el 13/05/2027
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S/26.51
10
S/16.74
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S/9.46
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Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
230 A
2.24 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
73 nC
- 55 C
+ 175 C
254 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
ISC027N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/18.84
19,900 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-ISC027N10NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
19,900 En pedido
1
S/18.84
10
S/10.86
100
S/9.30
500
S/8.29
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S/6.54
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S/7.94
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S/7.43
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S/6.54
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SMD/SMT
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100 V
192 A
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- 20 V, 20 V
3.3 V
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- 55 C
+ 175 C
217 W
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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ISZ080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.29
100,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-ISZ080N10NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
100,000 En pedido
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En pedido:
15,000 Se espera el 26/11/2026
25,000 Se espera el 29/07/2027
15,000 Se espera el 5/08/2027
30,000 Se espera el 12/08/2027
15,000 Se espera el 19/08/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/8.29
10
S/4.83
100
S/3.42
500
S/2.80
1,000
S/2.69
5,000
S/2.21
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Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
75 A
8.04 mOhms
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19 nC
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