Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.

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Resultados: 66

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ

TPN5R203PL,LQ
Toshiba
1: S/4.01
3,907En existencias
6,000Se espera el 18/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPN5R203PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPN5R203PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ

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Hoja de datos

3,907En existencias

6,000Se espera el 18/12/2026

Cinta cortada

S/4.01

S/1.85

S/1.64

S/1.26

Envase tipo carrete

S/1.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

76 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel

TPHR8504PL,L1Q
Toshiba
1: S/11.95
21,113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPHR8504PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR8504PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel

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Hoja de datos

21,113En existencias

Cinta cortada

S/11.95

S/7.75

S/5.37

S/4.32

Ver

Envase tipo carrete

S/3.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

850 uOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

TPW1R306PL,L1Q
Toshiba
1: S/17.98
53,795En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TPW1R306PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPW1R306PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

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Hoja de datos

53,795En pedido

Cinta cortada

S/17.98

S/9.23

S/8.37

S/7.16

S/6.89

Envase tipo carrete

S/6.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

260 A

1.29 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM6K513NU,LF
Toshiba
1: S/3.19
38,183Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K513NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K513NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

38,183Se espera el 28/08/2026

Cinta cortada

S/3.19

S/1.97

S/1.27

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 120A

TK3R2E06PL,S1X
Toshiba
1: S/10.74
1,715Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK3R2E06PL,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R2E06PLS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 120A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,715Se espera el 16/11/2026

S/10.74

S/5.25

S/4.52

S/4.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

160 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

168 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=93W F=1MHZ

TK7R7P10PL,RQ
Toshiba
1: S/7.79
5,000Se espera el 21/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK7R7P10PL,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK7R7P10PLRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=93W F=1MHZ

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Hoja de datos

5,000Se espera el 21/09/2026

Cinta cortada

S/7.79

S/3.74

S/3.34

S/2.65

Envase tipo carrete

S/2.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

79 A

7.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPH1R306PL,L1Q
Toshiba
1: S/13.00
8,514Se espera el 17/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R306PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R306PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

Obtenga más información

Hoja de datos

8,514Se espera el 17/08/2026

Cinta cortada

S/13.00

S/6.66

S/5.84

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

260 A

1.34 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

91 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPH5R60APL,L1Q
Toshiba
1: S/8.49
20,003En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TPH5R60APL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH5R60APLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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Hoja de datos

20,003En pedido

Cinta cortada

S/8.49

S/4.13

S/3.67

S/2.92

Ver

Envase tipo carrete

S/2.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

TPW1R005PL,L1Q
Toshiba
1: S/17.83
4,975Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPW1R005PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPW1R005PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

Obtenga más información

Hoja de datos

4,975Se espera el 16/10/2026

Cinta cortada

S/17.83

S/9.15

S/8.29

S/7.08

S/6.81

Envase tipo carrete

S/6.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

45 V

300 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

122 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK3R3A06PL,S4X
Toshiba
1: S/11.09
150Se espera el 3/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK3R3A06PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R3A06PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Obtenga más información

Hoja de datos

150Se espera el 3/11/2026

S/11.09

S/5.45

S/4.87

S/4.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK110A10PL,S4X
Toshiba
1: S/7.16
600Se espera el 15/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
TK110A10PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK110A10PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Obtenga más información

Hoja de datos

600Se espera el 15/01/2027

S/7.16

S/3.42

S/3.05

S/2.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

36 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 68A 36W

TK4R3A06PL,S4X
Toshiba
1: S/9.65
490Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK4R3A06PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK4R3A06PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 68A 36W

Obtenga más información

Hoja de datos

490Se espera el 16/11/2026

S/9.65

S/4.71

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

68 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

48.2 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPH2R805PL,LQ
Toshiba
3,000: S/2.85
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TPH2R805PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH2R805PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.85

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

45 V

150 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

73 nC

+ 175 C

116 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPH2R903PL,L1Q
Toshiba
5,000: S/1.69
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TPH2R903PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH2R903PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.69

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

124 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

81 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W

TPH3R003PL,LQ
Toshiba
1: S/5.53
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TPH3R003PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH3R003PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

Cinta cortada

S/5.53

S/2.60

S/2.31

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

134 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPH3R506PL,LQ
Toshiba
1: S/10.70
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TPH3R506PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH3R506PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

S/10.70

S/6.89

S/4.71

S/3.97

S/3.51

Envase tipo carrete

S/3.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

135 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

55 nC

+ 175 C

116 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

U-MOSIX-H MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

12 A
15 A
36 A
40 A
42 A
50 A
54 A
56 A
68 A
72 A
74 A
75 A
76 A
79 A
80 A
82 A
87 A
90 A
92 A
100 A

610 uOhms
800 uOhms
840 uOhms
850 uOhms
890 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.29 mOhms
1.34 mOhms
1.4 mOhms
1.65 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.8 mOhms

7.5 nC
17 nC
20 nC
21 nC
22 nC
24 nC
26 nC
27 nC
28 nC
28.3 nC
29 nC
30 nC
33 nC
39 nC
41 nC
44 nC
45 nC
47 nC
48.2 nC
50 nC

1.25 W
2.5 W
36 W
42 W
45 W
54 W
61 W
66 W
69 W
75 W
81 W
86 W
87 W
90 W
93 W
104 W
116 W
132 W
168 W
170 W