Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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4th Generation EF Series MOSFETs

Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs offer an extremely low figure-of-merit (FOM) rating for high-performance switching and high efficiency. The MOSFET FOM is calculated as ON-resistance (R_(DS)ON) multiplied by gate charge (Q_g). Built on Vishay 4th generation super-junction technology, these MOSFETs feature a low typical ON-resistance range of 0.088Ω to 0.225Ω at V_GS=10V and a gate charge down to 21nC. For improved switching performance, these devices provide low effective output capacitances (Co_(er) and Co_(tr)). These values translate into reduced conduction and switching losses to save energy. Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs are offered in PowerPAK® 8x8 and TO-220AB packages. The series is designed to withstand overvoltage transients in avalanche mode with guaranteed limits through 100% UIS testing.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 29A N-CH MOSFET Vishay Semiconductors SIHP105N60EF-GE3 SIHP105N60EF-GE3 Vishay Semiconductors 1: S/ 25.61 1,559En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP105N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP105N60EF-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 29A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	1,559En existencias	S/ 25.61 S/ 13.58 S/ 12.42 S/ 12.18 S/ 10.78	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	29 A	88 mOhms	30 V	5 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	TrenchFET
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 18A N-CH MOSFET Vishay Semiconductors SIHP186N60EF-GE3 SIHP186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors 1: S/ 18.68 1,276En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP186N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP186N60EF-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 18A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	1,276En existencias	S/ 18.68 S/ 9.61 S/ 8.76 S/ 8.14 Ver S/ 7.55 S/ 7.16	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	18 A	225 mOhms	30 V	5 V	65 nC	- 55 C	+ 150 C	223 W	Enhancement	TrenchFET
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 25A N-CH MOSFET SIHB125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors 1: S/ 22.77 1,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHB125N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHB125N60EF-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 25A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	1,000En existencias	S/ 22.77 S/ 14.91 S/ 11.13 S/ 9.34 Ver S/ 8.68 S/ 8.10	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	125 mOhms	30 V	5 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	179 W	Enhancement
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 41A N-CH MOSFET SIHG068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors 1: S/ 27.99 851En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHG068N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHG068N60EF-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 41A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	851En existencias	S/ 27.99 S/ 14.99 S/ 13.70 S/ 12.14	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	600 V	41 A	68 mOhms	30 V	5 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 61A N-CH MOSFET SIHG039N60EF-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/ 43.36 873En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHG039N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHG039N60EF-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 61A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	873En existencias	S/ 43.36 S/ 27.40 S/ 24.83 S/ 24.52 S/ 24.09	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	61 A	40 mOhms	30 V	3 V	84 nC	- 55 C	+ 150 C	357 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET Vishay / Siliconix SIHA186N60EF-GE3 SIHA186N60EF-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/ 16.70 1,516En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHA186N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHA186N60EF-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	1,516En existencias	S/ 16.70 S/ 10.59 S/ 7.90 S/ 6.77 Ver S/ 6.31 S/ 5.84 S/ 5.72	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	650 V	8.4 A	193 mOhms	30 V	5 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET SIHH125N60EF-T1GE3 Vishay / Siliconix 1: S/ 28.96 2,647En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHH125N60EF-T1GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHH125N60EFT1GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	2,647En existencias	Cinta cortada S/ 28.96 S/ 15.53 S/ 14.25 S/ 13.58 S/ 12.69 Envase tipo carrete S/ 12.69 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerPAK 8 x 8	N-Channel	1 Channel	600 V	23 A	109 mOhms	30 V	5 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 16A N-CH MOSFET SIHF068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors 1: S/ 25.92 1,161En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHF068N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHF068N60EF-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 16A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	1,161En existencias	S/ 25.92 S/ 13.74 S/ 12.57 S/ 12.38 S/ 10.94	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	68 mOhms	30 V	5 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	39 W	Enhancement
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET SIHH186N60EF-T1GE3 Vishay / Siliconix 1: S/ 24.33 2,478En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHH186N60EF-T1GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHH186N60EFT1GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	2,478En existencias	Cinta cortada S/ 24.33 S/ 12.85 S/ 11.72 S/ 10.78 S/ 10.35 Envase tipo carrete S/ 10.08 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerPAK 8 x 8	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	168 mOhms	30 V	5 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	114 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET Vishay Semiconductors SIHP125N60EF-GE3 SIHP125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors 1: S/ 23.39 489En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP125N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP125N60EF-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	489En existencias	S/ 23.39 S/ 12.30 S/ 11.21 S/ 9.54	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	109 mOhms	30 V	5 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	179 W	Enhancement	TrenchFET
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TOLL 600V 47A E SERIES Vishay Semiconductors SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 Vishay Semiconductors 1: S/ 37.29 5,044En existencias 2,000Se espera el 14/06/2027	N.º de artículo del Fabricante SIHK045N60EF-T1GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHK045N60EF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TOLL 600V 47A E SERIES Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	5,044En existencias 2,000Se espera el 14/06/2027	Cinta cortada S/ 37.29 S/ 25.15 S/ 20.75 S/ 18.84 S/ 18.10 Envase tipo carrete S/ 18.10 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,000 : 2,000	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel	1 Channel	80 V	66 A	12.5 mOhms	20 V	2.5 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	135 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET SIHB186N60EF-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/ 16.70 953En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHB186N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHB186N60EF-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	953En existencias	S/ 16.70 S/ 8.87 S/ 8.06 S/ 6.62 Ver S/ 6.34 S/ 6.19	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	8.4 A	168 mOhms	30 V	5 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 19A N-CH MOSFET Vishay Semiconductors SIHD186N60EF-GE3 SIHD186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors 1: S/ 15.84 3,137En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHD186N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHD186N60EF-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 19A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	3,137En existencias	S/ 15.84 S/ 9.19 S/ 7.28 S/ 6.03 Ver S/ 5.76 S/ 5.37 S/ 4.87	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	19 A	201 mOhms	30 V	3 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL Vishay / Siliconix SIHH070N60EF-T1GE3 SIHH070N60EF-T1GE3 Vishay / Siliconix 1: S/ 31.76 1,699En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHH070N60EF-T1GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHH070N60EFT1GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	1,699En existencias	Cinta cortada S/ 31.76 S/ 19.27 S/ 16.58 S/ 15.22 S/ 13.16 Envase tipo carrete S/ 11.87 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerPAK-8 x 8	N-Channel	1 Channel	600 V	36 A	71 mOhms	30 V	5 V	50 nC	- 55 C	+ 150 C	202 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 41A N-CH MOSFET SIHP068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors 1: S/ 29.54 733En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHP068N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHP068N60EF-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 41A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	733En existencias	S/ 29.54 S/ 19.00 S/ 13.97 S/ 12.69 S/ 11.13	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	600 V	41 A	68 mOhms	30 V	5 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode SIHA105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/ 20.36 415En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHA105N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHA105N60EF-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	415En existencias	S/ 20.36 S/ 10.55 S/ 9.61 S/ 8.02	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	600 V	29 A	100 mOhms	30 V	5 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 25A N-CH MOSFET SIHG125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors 1: S/ 23.94 353En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHG125N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHG125N60EF-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 25A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	353En existencias	S/ 23.94 S/ 12.61 S/ 11.52 S/ 9.96	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	125 mOhms	30 V	5 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	179 W	Enhancement
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET SIHG186N60EF-GE3 Vishay / Siliconix 1: S/ 18.53 332En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHG186N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHG186N60EF-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	332En existencias	S/ 18.53 S/ 9.54 S/ 7.12	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	8.4 A	168 mOhms	30 V	5 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET Vishay Semiconductors SIHK125N60EF-T1GE3 SIHK125N60EF-T1GE3 Vishay Semiconductors 1: S/ 24.80 1,375En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIHK125N60EF-T1GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHK125N60EFT1GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	1,375En existencias	Cinta cortada S/ 24.80 S/ 13.55 S/ 11.99 S/ 10.86 S/ 10.20 Envase tipo carrete S/ 9.34	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel	1 Channel	40 V	35.4 A	2.3 mOhms	30 V	2.5 V	70 nC	- 55 C	+ 150 C	65.7 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V SIHB055N60EF-GE3 Vishay Semiconductors 1: S/ 28.84 2,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SIHB055N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHB055N60EF-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	2,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SIHB055N60EF-GE3 Existencias: 0 En pedido: 1,000 Se espera el 18/01/2027 1,000 Se espera el 25/01/2027 Plazo de entrega de fábrica: 30 Semanas	S/ 28.84 S/ 19.31 S/ 15.53 S/ 13.82 S/ 12.38	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	TO-263AB-4	N-Channel	1 Channel	600 V	46 A	55 mOhms	30 V	5 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 41A N-CH MOSFET SIHB068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors 1: S/ 28.38 2,000Se espera el 11/01/2027	N.º de artículo del Fabricante SIHB068N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHB068N60EF-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 41A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	2,000Se espera el 11/01/2027	S/ 28.38 S/ 16.93 S/ 14.17 S/ 11.68 S/ 11.25	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	600 V	41 A	68 mOhms	30 V	5 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET SIHA125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors 1,000: S/ 8.95 1,000Existencias disponibles	N.º de artículo del Fabricante SIHA125N60EF-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIHA125N60EF-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay 4th generation ef series mosfets	Hoja de datos	1,000Existencias disponibles Más información disponible	S/ 8.95	Min.: 1,000 Mult.: 1,000	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	125 mOhms	30 V	5 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	179 W	Enhancement

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