Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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4th Generation EF Series MOSFETs

Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs offer an extremely low figure-of-merit (FOM) rating for high-performance switching and high efficiency. The MOSFET FOM is calculated as ON-resistance (R_(DS)ON) multiplied by gate charge (Q_g). Built on Vishay 4th generation super-junction technology, these MOSFETs feature a low typical ON-resistance range of 0.088Ω to 0.225Ω at V_GS=10V and a gate charge down to 21nC. For improved switching performance, these devices provide low effective output capacitances (Co_(er) and Co_(tr)). These values translate into reduced conduction and switching losses to save energy. Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs are offered in PowerPAK® 8x8 and TO-220AB packages. The series is designed to withstand overvoltage transients in avalanche mode with guaranteed limits through 100% UIS testing.

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Resultados: 22

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 16A N-CH MOSFET

SIHF068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/25.92
1,161En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHF068N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHF068N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 16A N-CH MOSFET

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1,161En existencias

S/25.92

S/13.74

S/12.57

S/12.38

S/11.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 41A N-CH MOSFET

SIHG068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/27.99
902En existencias

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SIHG068N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG068N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 41A N-CH MOSFET

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902En existencias

S/27.99

S/14.99

S/13.70

S/12.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 29A N-CH MOSFET

SIHP105N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/25.61
1,559En existencias

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SIHP105N60EF-GE3

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78-SIHP105N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 29A N-CH MOSFET

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S/25.61

S/13.58

S/12.42

S/12.18

S/10.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

88 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHA186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.35
1,516En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET

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S/16.35

S/10.59

S/7.90

S/6.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.4 A

193 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 41A N-CH MOSFET

SIHB068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/27.75
1,228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB068N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB068N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 41A N-CH MOSFET

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S/27.75

S/15.22

S/12.53

S/11.60

S/11.25

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 18A N-CH MOSFET

SIHP186N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.68
1,286En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP186N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 18A N-CH MOSFET

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S/18.68

S/9.61

S/8.76

S/8.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18 A

225 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET

SIHH125N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
1: S/28.96
2,647En existencias

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SIHH125N60EF-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH125N60EFT1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/28.96

S/15.53

S/14.25

S/13.58

S/12.85

Envase tipo carrete

S/12.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

109 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET

SIHH186N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
1: S/24.33
2,478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH186N60EF-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH186N60EFT1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

S/24.33

S/12.85

S/11.72

S/10.78

S/10.35

Envase tipo carrete

S/10.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET

SIHP125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/23.39
489En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP125N60EF-GE3

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78-SIHP125N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET

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S/23.39

S/12.30

S/11.21

S/9.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

109 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TOLL 600V 47A E SERIES

SIHK045N60EF-T1GE3
Vishay Semiconductors
1: S/37.29
5,094En existencias
2,000Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHK045N60EF-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK045N60EF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TOLL 600V 47A E SERIES

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5,094En existencias

2,000Se espera el 16/11/2026

Cinta cortada

S/37.29

S/25.15

S/20.75

S/18.84

S/17.24

Envase tipo carrete

S/17.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

66 A

12.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 61A N-CH MOSFET

SIHG039N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/43.67
373En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG039N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG039N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 61A N-CH MOSFET

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373En existencias

S/43.67

S/29.82

S/27.64

S/24.21

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

61 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

SIHH070N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
1: S/31.76
1,819En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH070N60EF-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH070N60EFT1GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

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1,819En existencias

Cinta cortada

S/31.76

S/19.27

S/16.58

S/15.22

S/13.16

Envase tipo carrete

S/11.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8 x 8

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 41A N-CH MOSFET

SIHP068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/28.96
983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP068N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP068N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 41A N-CH MOSFET

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983En existencias

S/28.96

S/19.00

S/13.97

S/12.42

S/11.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 19A N-CH MOSFET

SIHD186N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.38
138En existencias
3,000Se espera el 24/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHD186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHD186N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 19A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

138En existencias

3,000Se espera el 24/09/2026

S/15.38

S/8.68

S/7.08

S/5.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

201 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHG186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/18.53
332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

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332En existencias

S/18.53

S/9.54

S/7.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.4 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

SIHA105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/20.36
415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHA105N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA105N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

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415En existencias

S/20.36

S/10.55

S/9.61

S/8.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 25A N-CH MOSFET

SIHG125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/23.94
353En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG125N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG125N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 25A N-CH MOSFET

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353En existencias

S/23.94

S/12.61

S/11.52

S/9.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET

SIHK125N60EF-T1GE3
Vishay Semiconductors
1: S/24.80
1,375En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK125N60EF-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK125N60EFT1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET

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1,375En existencias

Cinta cortada

S/24.80

S/16.35

S/11.99

S/10.70

S/9.46

Envase tipo carrete

S/9.34

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

35.4 A

2.3 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHB186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.05
953Se espera el 21/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHB186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

953Se espera el 21/09/2026

S/17.05

S/8.87

S/8.06

S/6.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8.4 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHB055N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/28.84
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIHB055N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB055N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Hoja de datos

2,000En pedido

S/28.84

S/19.31

S/15.53

S/13.82

S/12.22

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-4

N-Channel

1 Channel

600 V

46 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 25A N-CH MOSFET

SIHB125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/20.67
1,000Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIHB125N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB125N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 25A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

1,000Se espera el 29/10/2026

S/20.67

S/13.74

S/9.77

S/8.21

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET

SIHA125N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1,000: S/8.95
1,000Existencias disponibles

N.º de artículo del Fabricante
SIHA125N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA125N60EF-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET

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S/8.95

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

4th Generation EF Series MOSFETs

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