NVMTS1D1N08XTXG

onsemi
863-NVMTS1D1N08XTXG
NVMTS1D1N08XTXG

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Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V SG PQFN 88

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onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TDFNW-8
N-Channel
1 Channel
80 V
352 A
1 mOhms
20 V
3.6 V
121 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
PowerTrench
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 154 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 24 ns
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 65 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 35 ns
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NVMTS1D1N08X N‐Channel Power MOSFETs

onsemi NVMTS1D1N08X N-Channel Power MOSFETs provide high-current switching for automotive power conversion and motor control applications. The MOSFETs combine low on-resistance with low gate charge and capacitance to minimize conduction and driver losses. A low-reverse-recovery-charge body diode with soft recovery supports efficient switching in demanding power systems.

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3,000
Se espera el 26/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Precio ext.:
S/-.--
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Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
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