Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

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Resultados: 108

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISB46DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.98
15,513Se espera el 30/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SISB46DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISB46DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

15,513Se espera el 30/07/2026

Cinta cortada

S/4.98

S/3.12

S/2.06

S/1.61

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

40 V

34 A

11.71 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

SIZ346DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.32
4En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ346DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ346DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

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Hoja de datos

4En existencias

Cinta cortada

S/4.32

S/2.70

S/1.77

S/1.37

Envase tipo carrete

S/1.07

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-3x3-8

N-Channel

2 Channel

30 V

17 A, 30 A

11.5 mOhms, 28.5 mOhms

- 16 V, 20 V

2.2 V, 2.4 V

6.6 nC, 10 nC

- 55 C

+ 150 C

16 W, 16.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6

SI8902AEDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
6,000: S/1.11
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI8902AEDB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8902AEDB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6

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No en existencias

Cinta cortada

S/1.11

Min.: 6,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-6

N-Channel

1 Channel

24 V

11 A

28 mOhms

- 12 V, 12 V

400 mV

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRC04DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
6,000: S/2.61
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRC04DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRC04DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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No en existencias

Cinta cortada

S/2.61

Min.: 6,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

3.5 mOhms

- 16 V, 20 V

2.1 V

16.6 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ904DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
3,000: S/1.97
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ904DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ904DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/1.97

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

12 A, 16 A

24 mOhms, 13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 1.2 V

12 nC, 23 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W, 33 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF906ADT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
6,000: S/2.27
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF906ADT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF906ADT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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Hoja de datos

No en existencias

Cinta cortada

S/2.27

Min.: 6,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

3.8 mOhms, 1.17 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

24.5 nC, 100 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W, 83 W

Enhancement

TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

SQUN702E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.28
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQUN702E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQUN702E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

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Hoja de datos

No en existencias

Cinta cortada

S/17.28

S/11.83

S/8.41

S/7.79

Envase tipo carrete

S/6.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

Triple die

N-Channel, P-Channel

3 Channel

40 V, 200 V

20 A, 30 A

9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms

- 25 V, 25 V

1.5 V, 2.5 V

14 nC, 23 nC, 30.2 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W, 60 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3

SIZF300DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.40
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SIZF300DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF300DT-T1-GE3

Fin de vida útil

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Cinta cortada

S/7.40

S/4.87

S/3.58

S/2.94

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR3x3-4

N-Channel

2 Channel

30 V

75 A, 141 A

4.5 mOhms, 1.84 mOhms

- 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V

1 V, 1.1 V

22 nC, 62 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Integrated MOSFET Solutions

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

350 mA, 500 mA
450 mA
610 mA
700 mA
1.1 A
1.3 A
2.1 A, 3.9 A
2.2 A
2.5 A
3.7 A
4 A
4 A, 3.7 A
4.1 A
4.3 A, 6 A
4.5 A
5 A
5.8 A
5.8 A, 6.8 A
5.9 A
6 A

850 uOhms
960 uOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms, 4.8 mOhms
3 mOhms, 900 uOhms
3.07 mOhms, 1.05 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms, 1.17 mOhms
4.2 mOhms
4.39 mOhms, 1.06 mOhms
4.5 mOhms, 1.84 mOhms
4.6 mOhms
4.7 mOhms, 1.1 mOhms
4.7 mOhms, 2.2 mOhms
5.3 mOhms, 9.3 mOhms
5.5 mOhms
5.5 mOhms, 5.8 mOhms
5.6 mOhms

400 mV
500 mV
600 mV
600 mV, 500 mV
1 V
1 V, 1.1 V
1 V, 1.2 V
1.1 V
1.1 V, 1 V
1.2 V
1.2 V, 1.1 V
1.2 V, 1.4 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.5 V, 2.5 V
2.1 V
2.2 V
2.2 V, 2.4 V
2.5 V

950 pC
1.3 nC
1.3 nC, 1.65 nC
2 nC
2.4 nC
2.5 nC
3 nC
3.2 nC, 6 nC
3.7 nC, 5.3 nC
4 nC
4.2 nC
4.2 nC, 5.6 nC
5 nC
5.2 nC
6 nC
6 nC, 7.8 nC
6.6 nC, 10 nC
7.8 nC, 11.6 nC
8 nC
9 nC

220 mW
340 mW
420 mW
1.14 W
1.15 W
1.25 W
1.3 W, 1.4 W
1.4 W
1.4 W, 2.4 W
1.6 W, 1.7 W
2 W
2.3 W
2.6 W
2.78 W
2.8 W
3 W, 3.1 W
3.1 W
3.1 W, 3.2 W
3.2 W
3.25 W