Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

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Resultados: 108

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS990DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.61
14,096En existencias

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SIS990DN-T1-GE3

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78-SIS990DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/5.61

S/3.53

S/2.35

S/1.84

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S/1.46

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

100 V

12.1 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

SIZF906DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.80
4,074En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF906DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF906DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

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S/8.80

S/5.64

S/3.82

S/3.05

Envase tipo carrete

S/2.48

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

3 mOhms, 900 uOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

49 nC, 200 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W, 83 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC70-6

SI1967DH-T1-E3
Vishay / Siliconix
1: S/2.57
44,260En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1967DH-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI1967DH-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC70-6

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S/2.57

S/1.58

S/1.02

S/0.775

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S/0.592

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

2 Channel

20 V

1.3 A

490 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8

SI4204DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.16
13,243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4204DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4204DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8

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S/10.16

S/6.58

S/4.55

S/3.64

Envase tipo carrete

S/3.04

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

20 V

19.8 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

3.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4532CDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.13
36,719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4532CDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4532CDY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

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S/4.13

S/2.58

S/1.70

S/1.31

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S/1.05

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

4.3 A, 6 A

47 mOhms, 89 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

6 nC, 7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.78 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4816BDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/8.52
10,160En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4816BDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4816BDY-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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S/8.52

S/5.64

S/3.93

S/3.17

Envase tipo carrete

S/2.69

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6.8 A, 11.4 A

11.5 mOhms, 18.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7.8 nC, 11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W, 2.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7949DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.23
6,850En existencias

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SI7949DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7949DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/9.23

S/5.96

S/4.05

S/3.23

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S/2.77

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

60 V

5 A

64 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA517DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.54
33,730En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA517DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA517DJ-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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S/3.54

S/2.20

S/1.43

S/1.10

Envase tipo carrete

S/0.852

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

12 V

4.5 A

29 mOhms, 61 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

15 nC, 20 nC

- 55 C

+ 150 C

6.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- & P- Channel 20V MOSFET

SIA519EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.43
49,815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA519EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA519EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- & P- Channel 20V MOSFET

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S/3.43

S/2.14

S/1.39

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.701

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SC70-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

40 mOhms, 90 mOhms

- 8 V, 8 V

600 mV, 500 mV

3.7 nC, 5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA906EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.54
35,629En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA906EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA906EDJ-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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Cinta cortada

S/3.54

S/2.18

S/1.49

S/1.17

Envase tipo carrete

S/0.884

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

46 mOhms

- 8 V, 8 V

600 mV

950 pC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SC70-6 N&P PAIR

SI1539CDL-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/1.91
4,178En existencias
3,000Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI1539CDL-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1539CDL-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SC70-6 N&P PAIR

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3,000Se espera el 23/02/2026

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S/1.91

S/1.32

S/0.845

S/0.638

Envase tipo carrete

S/0.471

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

700 mA

388 mOhms, 890 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

340 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR

SI1553CDL-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.37
686En existencias
32,500Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI1553CDL-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1553CDL-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR

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32,500Se espera el 16/02/2026

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S/2.37

S/1.48

S/0.946

S/0.716

Envase tipo carrete

S/0.541

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

700 mA

390 mOhms, 850 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

340 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs SC70-6

SI1902CDL-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.06
6,999En existencias
102,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI1902CDL-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1902CDL-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs SC70-6

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S/2.06

S/1.25

S/0.798

S/0.603

Envase tipo carrete

S/0.459

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

1.1 A

235 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

420 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC70-6

SI1922EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.26
8,445En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1922EDH-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC70-6

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S/2.26

S/1.42

S/0.915

S/0.716

Envase tipo carrete

S/0.51

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

1.3 A

198 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA918EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.65
1,559En existencias
6,000Se espera el 26/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIA918EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA918EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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S/2.65

S/1.68

S/1.10

S/0.868

Envase tipo carrete

S/0.666

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

2 Channel

30 V

4.5 A

58 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4936CDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.89
1,025En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4936CDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4936CDY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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S/3.89

S/2.43

S/1.58

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.919

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

5.8 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SC70-6

SI1965DH-T1-E3
Vishay / Siliconix
1: S/2.96
23En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1965DH-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI1965DH-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SC70-6

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S/2.96

S/1.84

S/1.19

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.697

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

2 Channel

12 V

1.3 A

390 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SO-8

SI4931DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.91
1,991En existencias
2,500Se espera el 24/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI4931DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4931DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SO-8

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S/8.91

S/5.92

S/4.20

S/3.80

Envase tipo carrete

S/2.57

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

12 V

8.9 A

18 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

52 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET

SI5513CDC-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.43
3,206En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI5513CDC-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI5513CDC-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET

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3,206En existencias

Cinta cortada

S/3.43

S/2.14

S/1.39

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.794

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

ChipFET-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

4 A, 3.7 A

55 mOhms, 150 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

4.2 nC, 5.6 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET

SI5515CDC-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/4.71
2,421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI5515CDC-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI5515CDC-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET

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S/4.71

S/2.96

S/1.95

S/1.52

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S/1.19

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

ChipFET-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

36 mOhms, 100 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

11.3 nC, 11 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

SI7234DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.34
584En existencias
6,000Se espera el 30/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI7234DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7234DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/15.34

S/10.08

S/7.08

S/6.34

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Envase tipo carrete

S/5.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

12 V

60 A

3.4 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

37 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 2NCH 25V 30.5A

SISF02DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.03
3,580Se espera el 19/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SISF02DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISF02DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/9.03

S/5.37

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.39

S/2.18

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

2.15 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

PowerPAK

Ammo Pack

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6

SI1034CX-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/1.95
38,124En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI1034CX-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1034CX-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6

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S/1.95

S/1.16

S/0.755

S/0.557

Envase tipo carrete

S/0.374

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-89-6

N-Channel

2 Channel

20 V

610 mA

396 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1.3 nC

- 55 C

+ 150 C

220 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8

SI4946CDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.25
33,302En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI4946CDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4946CDY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

S/5.25

S/3.30

S/2.19

S/1.70

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

6.1 A

51.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISB46DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.98
15,513Se espera el 30/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SISB46DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISB46DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/4.98

S/3.12

S/2.06

S/1.61

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

40 V

34 A

11.71 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Integrated MOSFET Solutions

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

350 mA, 500 mA
450 mA
610 mA
700 mA
1.1 A
1.3 A
2.1 A, 3.9 A
2.2 A
2.5 A
3.7 A
4 A
4 A, 3.7 A
4.1 A
4.3 A, 6 A
4.5 A
5 A
5.8 A
5.8 A, 6.8 A
5.9 A
6 A

850 uOhms
960 uOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms, 4.8 mOhms
3 mOhms, 900 uOhms
3.07 mOhms, 1.05 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms, 1.17 mOhms
4.2 mOhms
4.39 mOhms, 1.06 mOhms
4.5 mOhms, 1.84 mOhms
4.6 mOhms
4.7 mOhms, 1.1 mOhms
4.7 mOhms, 2.2 mOhms
5.3 mOhms, 9.3 mOhms
5.5 mOhms
5.5 mOhms, 5.8 mOhms
5.6 mOhms

400 mV
500 mV
600 mV
600 mV, 500 mV
1 V
1 V, 1.1 V
1 V, 1.2 V
1.1 V
1.1 V, 1 V
1.2 V
1.2 V, 1.1 V
1.2 V, 1.4 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.5 V, 2.5 V
2.1 V
2.2 V
2.2 V, 2.4 V
2.5 V

950 pC
1.3 nC
1.3 nC, 1.65 nC
2 nC
2.4 nC
2.5 nC
3 nC
3.2 nC, 6 nC
3.7 nC, 5.3 nC
4 nC
4.2 nC
4.2 nC, 5.6 nC
5 nC
5.2 nC
6 nC
6 nC, 7.8 nC
6.6 nC, 10 nC
7.8 nC, 11.6 nC
8 nC
9 nC

220 mW
340 mW
420 mW
1.14 W
1.15 W
1.25 W
1.3 W, 1.4 W
1.4 W
1.4 W, 2.4 W
1.6 W, 1.7 W
2 W
2.3 W
2.6 W
2.78 W
2.8 W
3 W, 3.1 W
3.1 W
3.1 W, 3.2 W
3.2 W
3.25 W