Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

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Resultados: 104

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4599DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.23
138En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI4599DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4599DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

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Cinta cortada

S/6.23

S/3.85

S/2.53

S/1.99

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

5.8 A, 6.8 A

35.5 mOhms, 45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V, 1.4 V

11.7 nC, 25 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W, 3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4925DDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.31
86En existencias
22,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI4925DDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4925DDY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

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22,500En pedido

Cinta cortada

S/6.31

S/4.01

S/2.65

S/2.08

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

8 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SO-8

SI4931DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.61
166En existencias
2,500Se espera el 8/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
SI4931DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4931DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SO-8

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2,500Se espera el 8/04/2027

Cinta cortada

S/9.61

S/6.11

S/4.13

S/3.34

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

12 V

8.9 A

18 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

52 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET

SI5513CDC-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/4.44
53En existencias
3,000Se espera el 14/01/2028

N.º de artículo del Fabricante
SI5513CDC-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI5513CDC-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET

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53En existencias

3,000Se espera el 14/01/2028

Cinta cortada

S/4.44

S/2.75

S/1.78

S/1.28

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.887

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

ChipFET-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

3.7 A, 4 A

55 mOhms, 150 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

4.2 nC, 5.6 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET

SI5515CDC-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/5.06
2,320En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI5515CDC-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI5515CDC-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET

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Cinta cortada

S/5.06

S/3.17

S/2.09

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

ChipFET-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

36 mOhms, 100 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

11.3 nC, 11 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7272DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.60
233En existencias
12,000Se espera el 14/01/2028

N.º de artículo del Fabricante
SI7272DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7272DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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233En existencias

12,000Se espera el 14/01/2028

Cinta cortada

S/8.60

S/5.41

S/3.66

S/2.87

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

25 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7938DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.46
200En existencias
12,000Se espera el 14/01/2028

N.º de artículo del Fabricante
SI7938DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7938DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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12,000Se espera el 14/01/2028

Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.16

S/3.50

S/3.10

Envase tipo carrete

S/2.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

60 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs SO-8

SI9926CDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/7.75
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI9926CDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI9926CDY-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs SO-8

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Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.30

S/2.62

S/2.33

Envase tipo carrete

S/2.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

20 V

8 A

18 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

22 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA517DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.71
599En existencias
60,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIA517DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA517DJ-GE3

Vishay Semiconductors

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Cinta cortada

S/4.71

S/3.36

S/2.09

S/1.44

S/1.21

Envase tipo carrete

S/1.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

12 V

4.5 A

29 mOhms, 61 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

15 nC, 20 nC

- 55 C

+ 150 C

6.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- & P- Channel 20V MOSFET

SIA519EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.55
214En existencias
75,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIA519EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA519EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- & P- Channel 20V MOSFET

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Cinta cortada

S/4.55

S/3.24

S/2.02

S/1.39

S/1.17

Envase tipo carrete

S/1.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SC70-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

40 mOhms, 90 mOhms

- 8 V, 8 V

500 mV, 600 mV

3.7 nC, 5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

SIA931DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
160,589Se espera el 31/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIA931DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA931DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

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160,589Se espera el 31/08/2026

Cinta cortada

S/3.70

S/2.30

S/1.49

S/1.14

S/1.03

Envase tipo carrete

S/0.887

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

30 V

4.5 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SC70-6 N&P PAIR

SI1539CDL-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.30
12,501Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI1539CDL-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1539CDL-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SC70-6 N&P PAIR

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Cinta cortada

S/2.30

S/1.42

S/0.907

S/0.681

S/0.611

Envase tipo carrete

S/0.514

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

700 mA

388 mOhms, 890 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

340 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3993CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.19
13,476En existencias
6,000Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI3993CDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3993CDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/3.19

S/1.97

S/1.27

S/0.969

S/0.872

Envase tipo carrete

S/0.747

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

2.2 A

133 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.15 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR

SI1016CX-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.45
31,399Se espera el 8/11/2027

N.º de artículo del Fabricante
SI1016CX-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1016CX-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR

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Cinta cortada

S/2.45

S/1.52

S/0.973

S/0.79

Envase tipo carrete

S/0.701

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SC-89-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

350 mA, 500 mA

396 mOhms, 756 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1.3 nC, 1.65 nC

- 55 C

+ 150 C

220 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6

SI1034CX-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.11
98,010Se espera el 17/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
SI1034CX-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1034CX-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6

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Cinta cortada

S/3.11

S/2.13

S/1.35

S/0.833

S/0.615

Envase tipo carrete

S/0.549

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SC-89-6

N-Channel

2 Channel

20 V

610 mA

396 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1.3 nC

- 55 C

+ 150 C

220 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC70-6

SI1922EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.06
68,714En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI1922EDH-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC70-6

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S/5.06

S/2.88

S/1.86

S/1.20

S/0.915

Envase tipo carrete

S/0.685

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

1.3 A

198 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8

SI4946CDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.61
32,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI4946CDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4946CDY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

S/5.61

S/3.47

S/2.34

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

6.1 A

51.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4532CDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.44
21,818Se espera el 2/09/2027

N.º de artículo del Fabricante
SI4532CDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4532CDY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

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Cinta cortada

S/4.44

S/2.77

S/1.82

S/1.43

S/1.27

Envase tipo carrete

S/1.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

4.3 A, 6 A

47 mOhms, 89 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

6 nC, 7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.78 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4816BDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/9.81
8,932En pedido

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SI4816BDY-T1-E3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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S/2.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6.8 A, 11.4 A

11.5 mOhms, 18.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7.8 nC, 11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W, 2.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7232DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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38,997Se espera el 7/10/2027

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SI7232DN-T1-GE3

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S/1.96

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S/1.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

20 V

25 A

16.4 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

32 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7998DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.91
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SI7998DP-T1-GE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/3.26

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S/2.70

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

25 A, 30 A

5.3 mOhms, 9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC, 32 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W, 40 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA537EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.87
6,000Se espera el 17/06/2027

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SIA537EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA537EDJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

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S/4.87

S/3.47

S/2.16

S/1.49

S/1.25

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S/1.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

12 V, 20 V

4.5 A

23 mOhms, 44 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

16 nC, 25 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2NCH 20V 1.3A

SI1922EDH-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.76
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SI1922EDH-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1922EDH-T1-BE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2NCH 20V 1.3A

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S/1.09

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

1.3 A

198 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6

SI8902AEDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
6,000: S/1.22
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SI8902AEDB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8902AEDB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6

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S/1.22

S/1.20

Min.: 6,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-6

N-Channel

1 Channel

24 V

11 A

28 mOhms

- 12 V, 12 V

400 mV

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRC04DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
6,000: S/3.57
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SIRC04DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRC04DP-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/3.57

Min.: 6,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

3.5 mOhms

- 16 V, 20 V

2.1 V

16.6 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel

Integrated MOSFET Solutions

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

350 mA, 500 mA
450 mA
610 mA
700 mA
1.1 A
1.3 A
2.1 A, 3.9 A
2.2 A
2.5 A
3.7 A
3.7 A, 4 A
4 A
4.1 A
4.3 A, 6 A
4.5 A
5 A
5.8 A
5.8 A, 6.8 A
5.9 A
6 A

850 uOhms
960 uOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms, 4.8 mOhms
3 mOhms, 900 uOhms
3.07 mOhms, 1.05 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms, 1.17 mOhms
4.2 mOhms
4.39 mOhms, 1.06 mOhms
4.6 mOhms
4.7 mOhms, 1.1 mOhms
4.7 mOhms, 2.2 mOhms
5.3 mOhms, 9.3 mOhms
5.5 mOhms
5.5 mOhms, 5.8 mOhms
5.6 mOhms
5.7 mOhms, 2.8 mOhms

400 mV
500 mV
500 mV, 600 mV
600 mV
1 V
1 V, 1.1 V
1 V, 1.2 V
1.1 V
1.1 V, 1.2 V
1.2 V
1.2 V, 1.4 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.5 V, 2.5 V
2.1 V
2.2 V
2.2 V, 2.4 V
2.5 V
2.7 V

950 pC
1.3 nC
1.3 nC, 1.65 nC
2 nC
2.4 nC
2.5 nC
3 nC
3.2 nC, 6 nC
3.7 nC, 5.3 nC
4 nC
4.2 nC
4.2 nC, 5.6 nC
5 nC
5.2 nC
6 nC
6 nC, 7.8 nC
6.6 nC, 10 nC
7.8 nC, 11.6 nC
8 nC
9 nC

220 mW
340 mW
420 mW
1.15 W
1.25 W
1.3 W, 1.4 W
1.4 W
1.4 W, 2.4 W
1.6 W, 1.7 W
2 W
2.3 W
2.6 W
2.78 W
2.8 W
3 W, 3.1 W
3.1 W
3.1 W, 3.2 W
3.2 W
3.25 W
3.5 W