Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

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Resultados: 108

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.15
17,598En existencias

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SI3585CDV-T1-GE3

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78-SI3585CDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

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Cinta cortada

S/3.15

S/1.96

S/1.27

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.747

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

2.1 A, 3.9 A

58 mOhms, 195 mOhms

- 8 V, 8 V

600 mV

3.2 nC, 6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W, 1.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3993CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.96
30,238En existencias

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SI3993CDV-T1-GE3

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78-SI3993CDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/2.96

S/1.84

S/1.19

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.697

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

2.2 A

133 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.15 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

SI4288DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.51
10,281En existencias

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SI4288DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4288DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

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S/7.51

S/4.79

S/3.23

S/2.56

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S/2.11

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

40 V

9.2 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4554DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.55
7,418En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4554DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4554DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

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S/4.55

S/2.83

S/1.86

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.17

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

8 A

24 mOhms, 27 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 1.2 V

13.3 nC, 41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W, 3.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8

SI4909DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.11
6,110En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4909DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4909DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/6.11

S/3.86

S/2.58

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.65

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

40 V

8 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR

SIA527DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.15
16,753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA527DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA527DJ-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR

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S/3.15

S/1.96

S/1.27

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.747

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

12 V

4.5 A

29 mOhms, 41 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

15 nC, 26 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA929DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.93
11,037En existencias

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SIA929DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA929DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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S/3.93

S/2.40

S/1.57

S/1.23

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S/1.02

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Min.: 1
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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

30 V

4.5 A

52 mOhms, 52 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRB40DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.59
9,848En existencias

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SIRB40DP-T1-GE3

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78-SIRB40DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/7.59

S/4.83

S/3.26

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.18

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

40 A

3.25 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

46.2 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS903DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.49
10,229En existencias

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SIS903DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS903DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/5.49

S/3.52

S/2.39

S/1.91

Envase tipo carrete

S/1.54

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Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

2 Channel

20 V

6 A

20.1 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

28 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS932EDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/1.79
9,730En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS932EDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS932EDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/1.79

S/1.66

S/1.22

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.829

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6 A

22 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

9.2 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

SIZ340DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.61
6,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ340DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ340DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

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Cinta cortada

S/5.61

S/3.53

S/2.35

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.49

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-3x3-8

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A, 40 A

9.5 mOhms, 5.1 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

19 nC, 35 nC

- 55 C

+ 150 C

16.7 W, 31 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

SIZ350DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.50
14,842En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ350DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ350DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

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14,842En existencias

Cinta cortada

S/6.50

S/4.13

S/2.76

S/2.17

Envase tipo carrete

S/1.74

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-3x3-8

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A

6.75 mOhms

- 12 V, 16 V

1 V

20.3 nC

- 55 C

+ 150 C

16.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4202DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.51
4,712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4202DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4202DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.23

S/2.56

Envase tipo carrete

S/2.11

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

12.1 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

3.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4599DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.02
7,446En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4599DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4599DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

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7,446En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/3.13

S/2.07

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.32

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

5.8 A, 6.8 A

35.5 mOhms, 45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V, 1.4 V

11.7 nC, 25 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W, 3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7216DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/8.56
2,387En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7216DN-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7216DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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2,387En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/5.53

S/3.73

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.42

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

40 V

6 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

19 nC

- 50 C

+ 150 C

20.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7232DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.02
11,204En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7232DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7232DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/5.02

S/3.17

S/2.09

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.27

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

20 V

25 A

16.4 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

32 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7272DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.62
3,847En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7272DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7272DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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3,847En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.52

S/3.18

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.17

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

25 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7942DP-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/15.22
1,118En existencias
3,000Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI7942DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7942DP-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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1,118En existencias

3,000Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/15.22

S/10.00

S/7.01

S/6.34

Envase tipo carrete

S/5.37

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

100 V

5.9 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2NCH 20V 1A

SI1902CDL-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.14
32,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1902CDL-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1902CDL-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2NCH 20V 1A

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S/1.38

S/0.884

S/0.666

Envase tipo carrete

S/0.413

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

1.1 A

235 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

420 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2PCH 20V 1A

SI1967DH-T1-BE3
Vishay
1: S/2.57
49,151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1967DH-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1967DH-T1-BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2PCH 20V 1A

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Cinta cortada

S/2.57

S/1.58

S/1.02

S/0.775

Envase tipo carrete

S/0.522

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

2 Channel

20 V

1.3 A

490 mOhms

- 8 V, 8 V

2.5 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4214DDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/5.25
12,521En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4214DDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4214DDY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

S/5.25

S/3.30

S/2.18

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.41

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8.5 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7223DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.64
7,068En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7223DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7223DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/5.64

S/3.57

S/2.37

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.48

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

2 Channel

30 V

6 A

26.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

26.3 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7972DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.38
26,277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7972DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7972DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.70

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.70

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

60 V

8 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

15.2 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS990DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.61
14,096En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS990DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS990DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/5.61

S/3.53

S/2.35

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.46

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

100 V

12.1 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

SIZF906DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.80
4,074En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF906DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF906DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

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4,074En existencias

Cinta cortada

S/8.80

S/5.64

S/3.82

S/3.05

Envase tipo carrete

S/2.48

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

3 mOhms, 900 uOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

49 nC, 200 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W, 83 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Integrated MOSFET Solutions

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

350 mA, 500 mA
450 mA
610 mA
700 mA
1.1 A
1.3 A
2.1 A, 3.9 A
2.2 A
2.5 A
3.7 A
4 A
4 A, 3.7 A
4.1 A
4.3 A, 6 A
4.5 A
5 A
5.8 A
5.8 A, 6.8 A
5.9 A
6 A

850 uOhms
960 uOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms, 4.8 mOhms
3 mOhms, 900 uOhms
3.07 mOhms, 1.05 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms, 1.17 mOhms
4.2 mOhms
4.39 mOhms, 1.06 mOhms
4.5 mOhms, 1.84 mOhms
4.6 mOhms
4.7 mOhms, 1.1 mOhms
4.7 mOhms, 2.2 mOhms
5.3 mOhms, 9.3 mOhms
5.5 mOhms
5.5 mOhms, 5.8 mOhms
5.6 mOhms

400 mV
500 mV
600 mV
600 mV, 500 mV
1 V
1 V, 1.1 V
1 V, 1.2 V
1.1 V
1.1 V, 1 V
1.2 V
1.2 V, 1.1 V
1.2 V, 1.4 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.5 V, 2.5 V
2.1 V
2.2 V
2.2 V, 2.4 V
2.5 V

950 pC
1.3 nC
1.3 nC, 1.65 nC
2 nC
2.4 nC
2.5 nC
3 nC
3.2 nC, 6 nC
3.7 nC, 5.3 nC
4 nC
4.2 nC
4.2 nC, 5.6 nC
5 nC
5.2 nC
6 nC
6 nC, 7.8 nC
6.6 nC, 10 nC
7.8 nC, 11.6 nC
8 nC
9 nC

220 mW
340 mW
420 mW
1.14 W
1.15 W
1.25 W
1.3 W, 1.4 W
1.4 W
1.4 W, 2.4 W
1.6 W, 1.7 W
2 W
2.3 W
2.6 W
2.78 W
2.8 W
3 W, 3.1 W
3.1 W
3.1 W, 3.2 W
3.2 W
3.25 W