Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC70-6
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SI1967DH-T1-E3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC70-6
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Si
SMD/SMT
SOT-363-6
P-Channel
2 Channel
20 V
1.3 A
490 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV
4 nC
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1.25 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3932DV-T1-GE3
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52,331 En existencias
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Si
SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel
2 Channel
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3.7 A
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- 20 V, 20 V
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Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
SI7234DP-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
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S/16.66
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S/10.90
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
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Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
SIA906EDJ-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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S/3.70
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Si
SMD/SMT
SC-70-6
N-Channel
2 Channel
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Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
SIA910EDJ-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
17,541 En existencias
9,000 Se espera el 22/03/2027
1
S/4.09
10
S/2.51
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S/1.01
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Si
SMD/SMT
SC-70-6
N-Channel
2 Channel
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TrenchFET, PowerPAK
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
SIA975DJ-T1-GE3
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781-SIA975DJ-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
7,688 En existencias
1
S/4.55
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S/2.85
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S/1.03
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Detalles
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
2 Channel
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4.5 A
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TrenchFET, PowerPAK
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
SIZ350DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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S/7.82
8 En existencias
6,000 Se espera el 12/08/2026
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78-SIZ350DT-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
8 En existencias
6,000 Se espera el 12/08/2026
1
S/7.82
10
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S/2.18
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3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAIR-3x3-8
N-Channel
2 Channel
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30 A
6.75 mOhms
- 12 V, 16 V
1 V
20.3 nC
- 55 C
+ 150 C
16.7 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4202DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/8.06
1,323 En existencias
2,500 Se espera el 6/08/2026
N.º de artículo de Mouser
781-SI4202DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
1,323 En existencias
2,500 Se espera el 6/08/2026
1
S/8.06
10
S/5.14
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1,000
S/2.51
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S/2.26
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Min.: 1
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Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
30 V
12.1 A
14 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
3.7 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7922DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1:
S/10.39
1,442 En existencias
3,000 Se espera el 6/08/2026
N.º de artículo de Mouser
781-SI7922DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1,442 En existencias
3,000 Se espera el 6/08/2026
1
S/10.39
10
S/6.70
100
S/4.59
500
S/4.01
1,000
S/3.53
3,000
S/3.22
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
2 Channel
100 V
2.5 A
195 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
5.2 nC
- 55 C
+ 150 C
2.6 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2NCH 20V 1A
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SI1902CDL-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1:
S/2.41
16,520 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
78-SI1902CDL-T1-BE3
Fin de vida útil
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2NCH 20V 1A
16,520 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.41
10
S/1.48
100
S/0.946
500
S/0.712
3,000
S/0.537
6,000
Ver
1,000
S/0.638
6,000
S/0.518
9,000
S/0.471
24,000
S/0.413
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
20 V
1.1 A
235 mOhms
- 12 V, 12 V
1.5 V
2 nC
- 55 C
+ 150 C
420 mW
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F
SIZF920DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/10.90
4,376 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
78-SIZF920DT-T1-GE3
Fin de vida útil
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F
4,376 En existencias
1
S/10.90
10
S/7.05
100
S/4.87
500
S/4.01
3,000
S/3.97
6,000
Ver
6,000
S/3.87
9,000
S/3.77
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAIR-6x5-8
N-Channel
2 Channel
30 V
76 A, 197 A
3.07 mOhms, 1.05 mOhms
- 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V
1.1 V
29 nC, 125 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W, 74 W
Enhancement
TrenchFET; PowerPAK
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR
SI6562CDQ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/6.46
6,257 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
781-SI6562CDQ-GE3
Fin de vida útil
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR
6,257 En existencias
1
S/6.46
10
S/4.09
100
S/2.72
500
S/2.14
1,000
S/1.95
3,000
S/1.70
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSSOP-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
6.1 A, 6.7 A
22 mOhms, 30 mOhms
- 8 V, 8 V
600 mV
15 nC, 34 nC
- 55 C
+ 150 C
1.6 W, 1.7 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
+2 imágenes
SI4214DDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1:
S/6.15
412 En existencias
15,000 Se espera el 25/02/2027
N.º de artículo de Mouser
78-SI4214DDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
412 En existencias
15,000 Se espera el 25/02/2027
1
S/6.15
10
S/3.83
100
S/2.53
500
S/1.98
1,000
S/1.74
2,500
S/1.48
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
30 V
8.5 A
19.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
3.1 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
+2 imágenes
SI4554DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/5.45
500 En existencias
25,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
78-SI4554DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
500 En existencias
25,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
500 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
17,500 Se espera el 8/02/2027
7,500 Se espera el 23/08/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/5.45
10
S/3.34
100
S/2.20
500
S/1.73
1,000
S/1.48
2,500
S/1.34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
40 V
8 A
24 mOhms, 27 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V, 1.2 V
13.3 nC, 41.5 nC
- 55 C
+ 150 C
3.1 W, 3.2 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8
+2 imágenes
SI4909DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/6.77
1,562 En existencias
22,500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
78-SI4909DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8
1,562 En existencias
22,500 En pedido
Ver fechas
Existencias:
1,562 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
12,500 Se espera el 7/12/2026
10,000 Se espera el 12/08/2027
Plazo de entrega de fábrica:
44 Semanas
1
S/6.77
10
S/4.28
100
S/2.80
500
S/2.22
1,000
S/1.98
2,500
S/1.80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
2 Channel
40 V
8 A
27 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
63 nC
- 55 C
+ 150 C
3.2 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
+2 imágenes
SI4936CDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1:
S/4.16
666 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SI4936CDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
666 En existencias
1
S/4.16
10
S/2.59
100
S/1.69
500
S/1.30
2,500
S/0.973
5,000
Ver
1,000
S/1.18
5,000
S/0.907
10,000
S/0.903
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
30 V
5.8 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
9 nC
- 55 C
+ 150 C
2.3 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
SIA918EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.04
2,960 En existencias
6,000 Se espera el 31/08/2026
N.º de artículo de Mouser
78-SIA918EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
2,960 En existencias
6,000 Se espera el 31/08/2026
1
S/3.04
10
S/1.89
100
S/1.22
500
S/1.07
3,000
S/0.81
6,000
Ver
1,000
S/0.903
6,000
S/0.654
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SC-70-6
N-Channel
2 Channel
30 V
4.5 A
58 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV
9.5 nC
- 55 C
+ 150 C
7.8 W
Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
SIA923EDJ-T4-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/4.40
268 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIA923EDJ-T4-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
268 En existencias
1
S/4.40
10
S/2.71
100
S/1.79
500
S/1.32
3,000
S/0.969
9,000
Ver
1,000
S/1.19
9,000
S/0.934
24,000
S/0.915
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
2 Channel
20 V
4.5 A
54 mOhms
- 8 V, 8 V
500 mV
25 nC
- 55 C
+ 150 C
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TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
P-Channel
2 Channel
20 V
6 A
20.1 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV
28 nC
- 55 C
+ 150 C
23 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SIS990DN-T1-GE3
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376 En existencias
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1
S/5.99
10
S/3.78
100
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S/1.79
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Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
2 Channel
100 V
12.1 A
85 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
8 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
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9 En existencias
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1
S/7.20
10
S/3.78
100
S/2.51
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S/1.97
3,000
S/1.56
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Si
SMD/SMT
PowerPAIR-3x3-8
N-Channel
2 Channel
30 V
30 A, 40 A
9.5 mOhms, 5.1 mOhms
- 16 V, 20 V
1 V
19 nC, 35 nC
- 55 C
+ 150 C
16.7 W, 31 W
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TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
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10
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100
S/3.52
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S/2.32
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Si
SMD/SMT
PowerPAIR-6x5-8
N-Channel
2 Channel
30 V
40 A, 60 A
5.7 mOhms, 2.8 mOhms
- 16 V, 20 V
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21.5 nC, 51 nC
- 55 C
+ 150 C
20.2 W, 40 W
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SIZF916DT-T1-GE3
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78-SIZF916DT-T1-GE3
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1,028 En existencias
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S/9.07
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S/5.84
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S/3.97
500
S/3.15
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S/2.67
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Si
SMD/SMT
PowerPAIR-6x5-8
N-Channel, NPN
2 Channel
30 V
40 A, 60 A
12.7 mOhms, 6.58 mOhms
- 12 V, 16 V
1.1 V
14.6 nC, 62 nC
- 55 C
+ 150 C
26.6 W, 60 W
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TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SC70-6
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SI1965DH-T1-E3
Vishay / Siliconix
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781-SI1965DH-E3
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Si
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SOT-363-6
P-Channel
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1.3 A
390 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV
4.2 nC
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+ 150 C
1.25 W
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TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
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SI4599DY-T1-GE3
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S/6.23
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781-SI4599DY-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
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S/2.53
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S/1.99
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
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2 Channel
40 V
5.8 A, 6.8 A
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3 W, 3.1 W
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