Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

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Resultados: 104

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

SIZF906DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.22
3,524En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF906DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF906DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

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Cinta cortada

S/12.22

S/7.90

S/5.41

S/4.67

Envase tipo carrete

S/3.97

S/3.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

3 mOhms, 900 uOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

49 nC, 200 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W, 83 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ902DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.68
992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ902DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ902DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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Cinta cortada

S/8.68

S/5.53

S/3.73

S/3.01

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

16 A

12 mOhms, 6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

21 nC, 65 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W, 66 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF914DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.85
2,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF914DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF914DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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Cinta cortada

S/9.85

S/5.84

S/4.32

S/3.64

Envase tipo carrete

S/3.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

25 V

40 A, 60 A

6.2 mOhms, 1.5 mOhms

- 12 V, 16 V

1.1 V

14 nC, 65 nC

- 50 C

+ 150 C

26.6 W, 60 W

Enhancement

TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs SO-8

SI4943CDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/10.12
1,772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4943CDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4943CDY-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

S/10.12

S/6.54

S/4.48

S/3.57

S/3.35

Envase tipo carrete

S/3.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

20 V

8 A

19.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS782DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.20
4,609En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS782DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS782DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/4.20

S/2.62

S/1.71

S/1.32

Envase tipo carrete

S/1.03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

16 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

30.5 nC

- 50 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ926DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.67
5,662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ926DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ926DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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S/7.67

S/4.90

S/3.28

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

25 V

40 A, 60 A

2.2 mOhms, 4.8 mOhms

- 12 V, 16 V

2.2 V

12.5 nC, 27 nC

- 55 C

+ 150 C

20.2 W, 40 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA811ADJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
5,746En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA811ADJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA811ADJ-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.934

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SC70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4.5 A

116 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

13 nC

- 55 C

+ 150 C

6.5 W

Enhancement

LITTLE FOOT, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA921EDJ-T4-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.20
5,050En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA921EDJ-T4-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA921EDJ-T4-GE3

Vishay / Siliconix

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S/4.20

S/2.62

S/1.71

S/1.32

Envase tipo carrete

S/1.09

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

59 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

23 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET

SI5936DU-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.87
69,024En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI5936DU-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI5936DU-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/4.87

S/3.05

S/2.01

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

ChipFET-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

10.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7252DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.07
21,426En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7252DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7252DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/7.82

S/5.41

S/4.36

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

100 V

36.7 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7997DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.64
43,302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7997DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7997DP-T1-GE3

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S/14.64

S/9.58

S/6.70

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

30 V

60 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR

SI1553CDL-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.76
12,276En existencias
42,000Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI1553CDL-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1553CDL-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR

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S/2.76

S/1.72

S/1.10

S/0.837

S/0.751

Envase tipo carrete

S/0.638

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

700 mA

390 mOhms, 850 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

340 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
24,462En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3585CDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3585CDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.04

S/0.938

Envase tipo carrete

S/0.934

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

2.1 A, 3.9 A

58 mOhms, 195 mOhms

- 8 V, 8 V

600 mV

3.2 nC, 6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W, 1.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7223DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.81
7,517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7223DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7223DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/6.81

S/4.36

S/2.89

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

2 Channel

30 V

6 A

26.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

26.3 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR

SIA527DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
11,461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA527DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA527DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.802

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

12 V

4.5 A

29 mOhms, 41 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

15 nC, 26 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA929DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.71
33,588En existencias
14,980Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIA929DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA929DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/4.71

S/2.96

S/1.95

S/1.66

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

30 V

4.5 A

52 mOhms, 52 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS932EDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.81
12,835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS932EDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS932EDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/3.81

S/2.37

S/1.55

S/1.19

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.923

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6 A

22 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

9.2 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS990DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.99
2,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS990DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS990DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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2,888En existencias

Cinta cortada

S/5.99

S/3.78

S/2.51

S/1.97

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

100 V

12.1 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISB46DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.19
4,200En existencias
7,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SISB46DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISB46DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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4,200En existencias

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S/6.19

S/3.93

S/2.60

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.62

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

40 V

34 A

11.71 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 2NCH 25V 30.5A

SISF02DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SISF02DN-T1-GE3

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S/5.61

S/3.79

S/3.02

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.54

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

2.15 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

PowerPAK

Ammo Pack

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7288DP-T1-GE3
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S/5.53

S/3.73

S/2.97

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

15.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7994DP-T1-GE3
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S/12.49

S/9.11

S/7.94

S/7.82

Envase tipo carrete

S/7.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR770DP-T1-GE3
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S/6.27

S/4.28

S/3.56

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

17.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

SI4288DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI4288DY-T1-GE3

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S/5.14

S/3.46

S/2.74

S/2.56

Envase tipo carrete

S/2.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

40 V

9.2 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET

SI5935CDC-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
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SI5935CDC-T1-GE3

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78-SI5935CDC-T1-GE3

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S/2.10

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.782

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

ChipFET-8

P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

100 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

11 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Integrated MOSFET Solutions

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

350 mA, 500 mA
450 mA
610 mA
700 mA
1.1 A
1.3 A
2.1 A, 3.9 A
2.2 A
2.5 A
3.7 A
3.7 A, 4 A
4 A
4.1 A
4.3 A, 6 A
4.5 A
5 A
5.8 A
5.8 A, 6.8 A
5.9 A
6 A

850 uOhms
960 uOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms, 4.8 mOhms
3 mOhms, 900 uOhms
3.07 mOhms, 1.05 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms, 1.17 mOhms
4.2 mOhms
4.39 mOhms, 1.06 mOhms
4.6 mOhms
4.7 mOhms, 1.1 mOhms
4.7 mOhms, 2.2 mOhms
5.3 mOhms, 9.3 mOhms
5.5 mOhms
5.5 mOhms, 5.8 mOhms
5.6 mOhms
5.7 mOhms, 2.8 mOhms

400 mV
500 mV
500 mV, 600 mV
600 mV
1 V
1 V, 1.1 V
1 V, 1.2 V
1.1 V
1.1 V, 1.2 V
1.2 V
1.2 V, 1.4 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.5 V, 2.5 V
2.1 V
2.2 V
2.2 V, 2.4 V
2.5 V
2.7 V

950 pC
1.3 nC
1.3 nC, 1.65 nC
2 nC
2.4 nC
2.5 nC
3 nC
3.2 nC, 6 nC
3.7 nC, 5.3 nC
4 nC
4.2 nC
4.2 nC, 5.6 nC
5 nC
5.2 nC
6 nC
6 nC, 7.8 nC
6.6 nC, 10 nC
7.8 nC, 11.6 nC
8 nC
9 nC

220 mW
340 mW
420 mW
1.15 W
1.25 W
1.3 W, 1.4 W
1.4 W
1.4 W, 2.4 W
1.6 W, 1.7 W
2 W
2.3 W
2.6 W
2.78 W
2.8 W
3 W, 3.1 W
3.1 W
3.1 W, 3.2 W
3.2 W
3.25 W
3.5 W