Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

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Resultados: 108

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7998DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.33
5,131En existencias

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SI7998DP-T1-GE3

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781-SI7998DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/8.33

S/5.33

S/3.61

S/2.87

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S/2.34

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

25 A, 30 A

5.3 mOhms, 9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC, 32 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W, 40 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF916DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.49
2,158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF916DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF916DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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S/8.49

S/5.45

S/3.69

S/2.94

Envase tipo carrete

S/2.39

S/2.30

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

30 V

40 A, 60 A

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- 12 V, 16 V

1.1 V

14.6 nC, 62 nC

- 55 C

+ 150 C

26.6 W, 60 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7956DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.15
5,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7956DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7956DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/16.15

S/10.67

S/7.51

S/6.81

Envase tipo carrete

S/5.76

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

150 V

4.1 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA817EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.92
49,450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA817EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA817EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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S/2.92

S/1.82

S/1.19

S/0.907

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S/0.697

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

30 V

4.5 A

54 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

6.5 W

Enhancement

LITTLE FOOT, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S

SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.18
13,374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ200DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ200DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S

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Cinta cortada

S/5.18

S/2.70

S/2.27

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.50

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-3x3-8

N-Channel

2 Channel

30 V

61 A, 60 A

5.5 mOhms, 5.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

28 nC, 30 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ980DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.45
2,966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ980DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ980DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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S/8.45

S/5.41

S/3.67

S/2.93

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S/2.29

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SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A, 60 A

4.7 mOhms, 1.1 mOhms

- 16 V, 20 V

1.2 V, 1.1 V

18 nC, 77 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W, 66 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7212DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.54
2,594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7212DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7212DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/9.54

S/6.11

S/4.16

S/3.36

Envase tipo carrete

S/2.75

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6.8 A

36 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

11 nC

- 55 C

+ 150 C

2.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7922DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/9.73
1,300En existencias

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SI7922DN-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7922DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

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S/9.73

S/6.27

S/4.28

S/3.49

Envase tipo carrete

S/2.88

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

100 V

2.5 A

195 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

5.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF914DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.23
2,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF914DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF914DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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S/9.23

S/5.92

S/4.01

S/3.34

Envase tipo carrete

S/2.72

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

25 V

40 A, 60 A

6.2 mOhms, 1.5 mOhms

- 12 V, 16 V

1.1 V

14 nC, 65 nC

- 50 C

+ 150 C

26.6 W, 60 W

Enhancement

TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA923EDJ-T4-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.05
2,138En existencias

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SIA923EDJ-T4-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA923EDJ-T4-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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S/4.05

S/2.50

S/1.63

S/1.26

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S/0.961

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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

54 mOhms

- 8 V, 8 V

500 mV

25 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA921EDJ-T4-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.93
5,151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA921EDJ-T4-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA921EDJ-T4-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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S/3.93

S/2.45

S/1.60

S/1.23

Envase tipo carrete

S/1.02

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

59 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

23 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F

SIZF920DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.24
7,382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF920DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF920DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F

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S/10.24

S/6.58

S/4.55

S/3.65

Envase tipo carrete

S/3.59

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

76 A, 197 A

3.07 mOhms, 1.05 mOhms

- 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V

1.1 V

29 nC, 125 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W, 74 W

Enhancement

TrenchFET; PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA811ADJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.15
5,746En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA811ADJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA811ADJ-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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Cinta cortada

S/3.15

S/1.96

S/1.27

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.806

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SC70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4.5 A

116 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

13 nC

- 55 C

+ 150 C

6.5 W

Enhancement

LITTLE FOOT, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2NCH 20V 1.3A

SI1922EDH-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.57
8,313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1922EDH-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1922EDH-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2NCH 20V 1.3A

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S/1.58

S/1.02

S/0.775

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S/0.463

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

1.3 A

198 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs SO-8

SI4943CDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/9.46
1,781En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4943CDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4943CDY-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs SO-8

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S/9.46

S/6.11

S/4.16

S/3.33

Envase tipo carrete

S/2.78

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

20 V

8 A

19.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS782DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.93
4,671En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS782DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS782DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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S/3.93

S/2.45

S/1.60

S/1.23

Envase tipo carrete

S/1.02

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

16 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

30.5 nC

- 50 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ926DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
5,662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ926DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ926DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.06

S/2.43

Envase tipo carrete

S/2.11

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

25 V

40 A, 60 A

2.2 mOhms, 4.8 mOhms

- 12 V, 16 V

2.2 V

12.5 nC, 27 nC

- 55 C

+ 150 C

20.2 W, 40 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7288DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.94
26,815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7288DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7288DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/7.94

S/5.14

S/3.48

S/2.77

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.14

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

15.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA910EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
90,858En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA910EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA910EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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S/3.70

S/2.30

S/1.50

S/1.15

Envase tipo carrete

S/0.903

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

2 Channel

12 V

4.5 A

28 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

16 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET

SI5936DU-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.05
114,482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI5936DU-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI5936DU-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET

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S/1.00

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SMD/SMT

ChipFET-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

10.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

SIA931DJ-T1-GE3
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N.º de artículo del Fabricante
SIA931DJ-T1-GE3

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78-SIA931DJ-T1-GE3

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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

30 V

4.5 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3932DV-T1-GE3
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1: S/3.11
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SI3932DV-T1-GE3

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781-SI3932DV-T1-GE3

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

2 Channel

30 V

3.7 A

58 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4925DDY-T1-GE3
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SI4925DDY-T1-GE3

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781-SI4925DDY-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

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S/5.88

S/3.72

S/2.48

S/1.94

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S/1.65

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

8 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7938DP-T1-GE3
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SI7938DP-T1-GE3

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781-SI7938DP-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/5.68

S/3.85

S/3.08

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S/2.51

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

60 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7997DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI7997DP-T1-GE3

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781-SI7997DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/11.41

S/7.40

S/5.14

S/4.24

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S/4.09

S/3.71

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

30 V

60 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Integrated MOSFET Solutions

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

350 mA, 500 mA
450 mA
610 mA
700 mA
1.1 A
1.3 A
2.1 A, 3.9 A
2.2 A
2.5 A
3.7 A
4 A
4 A, 3.7 A
4.1 A
4.3 A, 6 A
4.5 A
5 A
5.8 A
5.8 A, 6.8 A
5.9 A
6 A

850 uOhms
960 uOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms, 4.8 mOhms
3 mOhms, 900 uOhms
3.07 mOhms, 1.05 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms, 1.17 mOhms
4.2 mOhms
4.39 mOhms, 1.06 mOhms
4.5 mOhms, 1.84 mOhms
4.6 mOhms
4.7 mOhms, 1.1 mOhms
4.7 mOhms, 2.2 mOhms
5.3 mOhms, 9.3 mOhms
5.5 mOhms
5.5 mOhms, 5.8 mOhms
5.6 mOhms

400 mV
500 mV
600 mV
600 mV, 500 mV
1 V
1 V, 1.1 V
1 V, 1.2 V
1.1 V
1.1 V, 1 V
1.2 V
1.2 V, 1.1 V
1.2 V, 1.4 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.5 V, 2.5 V
2.1 V
2.2 V
2.2 V, 2.4 V
2.5 V

950 pC
1.3 nC
1.3 nC, 1.65 nC
2 nC
2.4 nC
2.5 nC
3 nC
3.2 nC, 6 nC
3.7 nC, 5.3 nC
4 nC
4.2 nC
4.2 nC, 5.6 nC
5 nC
5.2 nC
6 nC
6 nC, 7.8 nC
6.6 nC, 10 nC
7.8 nC, 11.6 nC
8 nC
9 nC

220 mW
340 mW
420 mW
1.14 W
1.15 W
1.25 W
1.3 W, 1.4 W
1.4 W
1.4 W, 2.4 W
1.6 W, 1.7 W
2 W
2.3 W
2.6 W
2.78 W
2.8 W
3 W, 3.1 W
3.1 W
3.1 W, 3.2 W
3.2 W
3.25 W