Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

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Resultados: 104

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRC18DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.58
42,874En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRC18DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRC18DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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42,874En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/4.67

S/4.20

S/3.34

S/3.24

Envase tipo carrete

S/2.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

850 uOhms

- 16 V, 20 V

1 V

111 nC

- 55 C

+ 150 C

54.3 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8

SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.72
48,647En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4228DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4228DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8

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Hoja de datos

48,647En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/2.69

S/2.39

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

25 V

8 A

18 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

25 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRB40DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.81
9,722En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRB40DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRB40DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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9,722En existencias

Cinta cortada

S/9.81

S/4.79

S/4.32

S/3.44

S/3.26

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

40 A

3.25 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

46.2 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7216DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/9.19
9,213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7216DN-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7216DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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9,213En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/5.88

S/4.01

S/3.18

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

40 V

6 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

19 nC

- 50 C

+ 150 C

20.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA929DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.71
48,568En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA929DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA929DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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48,568En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/2.96

S/1.95

S/1.66

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

2 Channel

30 V

4.5 A

52 mOhms, 52 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7972DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.81
23,625En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7972DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7972DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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23,625En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/3.24

S/2.89

S/2.28

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

60 V

8 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

15.2 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

SIZF906DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.22
3,524En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF906DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF906DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

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3,524En existencias

Cinta cortada

S/12.22

S/7.90

S/5.41

S/4.67

Envase tipo carrete

S/3.97

S/3.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

3 mOhms, 900 uOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

49 nC, 200 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W, 83 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA817EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.50
49,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA817EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA817EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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49,490En existencias

Cinta cortada

S/3.50

S/1.60

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.833

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

30 V

4.5 A

54 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

6.5 W

Enhancement

LITTLE FOOT, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S

SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.55
13,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ200DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ200DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S

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13,046En existencias

Cinta cortada

S/7.55

S/4.20

S/3.04

S/2.53

S/2.31

Envase tipo carrete

S/1.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-3x3-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A, 61 A

5.5 mOhms, 5.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

28 nC, 30 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ980DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.07
2,966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ980DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ980DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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2,966En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/4.40

S/3.97

S/3.15

S/3.04

Envase tipo carrete

S/2.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A, 60 A

4.7 mOhms, 1.1 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V, 1.2 V

18 nC, 77 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W, 66 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA533EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
72,736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA533EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA533EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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72,736En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/1.69

S/1.49

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.821

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

12 V

4.5 A

34 mOhms, 59 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

10 nC, 13 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ998DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.81
5,723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ998DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ998DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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5,723En existencias

Cinta cortada

S/9.81

S/4.79

S/4.32

S/3.44

S/3.26

Envase tipo carrete

S/2.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A, 60 A

4.7 mOhms, 2.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

18 nC, 44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

20.2 W, 32.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7956DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.32
5,936En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7956DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7956DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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5,936En existencias

Cinta cortada

S/17.32

S/8.87

S/8.06

S/6.81

Envase tipo carrete

S/6.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

150 V

4.1 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC89-6

SI1023CX-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.41
82,847En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1023CX-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1023CX-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC89-6

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82,847En existencias

Cinta cortada

S/2.41

S/1.07

S/0.946

S/0.712

Envase tipo carrete

S/0.537

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-89-6

P-Channel

2 Channel

20 V

450 mA

756 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

220 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRC16DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.69
9,137En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRC16DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRC16DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

9,137En existencias

Cinta cortada

S/9.69

S/4.75

S/4.24

S/3.39

S/3.29

Envase tipo carrete

S/2.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

960 uOhms

- 16 V, 20 V

1 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

54.3 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

SIZ348DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.90
4,087En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ348DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ348DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

Obtenga más información

Hoja de datos

4,087En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/3.80

S/3.39

S/2.69

S/2.62

Envase tipo carrete

S/2.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-3x3-8

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A

7.12 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

18.2 nC

- 55 C

+ 150 C

16.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAIR

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7772DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.98
5,867En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7772DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7772DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

5,867En existencias

Cinta cortada

S/4.98

S/2.31

S/2.05

S/1.59

Envase tipo carrete

S/1.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35.6 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18.5 nC

- 55 C

+ 150 C

29.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAIR 6 x 5

SIZ980BDT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.81
13,649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ980BDT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ980BDT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAIR 6 x 5

Obtenga más información

Hoja de datos

13,649En existencias

Cinta cortada

S/9.81

S/4.79

S/4.32

S/3.44

S/3.34

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

54.8 A, 197 A

4.39 mOhms, 1.06 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V, 1.2 V

18 nC, 79 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W, 66 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF918DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.04
5,096En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF918DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF918DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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Hoja de datos

5,096En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/4.90

S/4.40

S/3.52

S/3.43

Envase tipo carrete

S/3.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

30 V

40 A, 60 A

6.8 mOhms, 2.7 mOhms

- 12 V, 16 V

1 V, 1.1 V

14.6 nC, 37 nC

- 50 C

+ 150 C

26.6 W, 50 W

Enhancement

TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8

SI4204DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.90
11,262En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4204DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4204DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8

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S/4.83

S/3.88

S/3.67

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S/3.44

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: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

20 V

19.8 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

3.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7949DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.85
6,821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7949DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7949DP-GE3

Vishay Semiconductors

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S/9.85

S/4.83

S/4.32

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S/3.11

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

60 V

5 A

64 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SO-8

SI9933CDY-T1-E3
Vishay / Siliconix
1: S/3.89
21,260En existencias

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SI9933CDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI9933CDY-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SO-8

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S/3.89

S/1.92

S/1.58

S/1.30

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S/0.958

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

58 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

26 nC

- 50 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

SISF00DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.50
15,054En existencias

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SISF00DN-T1-GE3

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78-SISF00DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

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S/9.50

S/4.63

S/4.16

S/3.31

S/3.20

Envase tipo carrete

S/2.84

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SCD-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

4.2 mOhms

- 16 V, 20 V

2.1 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs SC89-6

SI1036X-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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48,954En existencias

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SI1036X-T1-GE3

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78-SI1036X-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs SC89-6

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S/2.26

S/1.02

S/0.891

S/0.673

Envase tipo carrete

S/0.506

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: 3,000

SMD/SMT

SC-89-6

N-Channel

2 Channel

30 V

610 mA

540 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

2 nC

- 55 C

+ 150 C

220 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS780DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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7,411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS780DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS780DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/5.02

S/3.57

S/2.22

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.16

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

18 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

27.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Integrated MOSFET Solutions

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

350 mA, 500 mA
450 mA
610 mA
700 mA
1.1 A
1.3 A
2.1 A, 3.9 A
2.2 A
2.5 A
3.7 A
3.7 A, 4 A
4 A
4.1 A
4.3 A, 6 A
4.5 A
5 A
5.8 A
5.8 A, 6.8 A
5.9 A
6 A

850 uOhms
960 uOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms, 4.8 mOhms
3 mOhms, 900 uOhms
3.07 mOhms, 1.05 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms, 1.17 mOhms
4.2 mOhms
4.39 mOhms, 1.06 mOhms
4.6 mOhms
4.7 mOhms, 1.1 mOhms
4.7 mOhms, 2.2 mOhms
5.3 mOhms, 9.3 mOhms
5.5 mOhms
5.5 mOhms, 5.8 mOhms
5.6 mOhms
5.7 mOhms, 2.8 mOhms

400 mV
500 mV
500 mV, 600 mV
600 mV
1 V
1 V, 1.1 V
1 V, 1.2 V
1.1 V
1.1 V, 1.2 V
1.2 V
1.2 V, 1.4 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.5 V, 2.5 V
2.1 V
2.2 V
2.2 V, 2.4 V
2.5 V
2.7 V

950 pC
1.3 nC
1.3 nC, 1.65 nC
2 nC
2.4 nC
2.5 nC
3 nC
3.2 nC, 6 nC
3.7 nC, 5.3 nC
4 nC
4.2 nC
4.2 nC, 5.6 nC
5 nC
5.2 nC
6 nC
6 nC, 7.8 nC
6.6 nC, 10 nC
7.8 nC, 11.6 nC
8 nC
9 nC

220 mW
340 mW
420 mW
1.15 W
1.25 W
1.3 W, 1.4 W
1.4 W
1.4 W, 2.4 W
1.6 W, 1.7 W
2 W
2.3 W
2.6 W
2.78 W
2.8 W
3 W, 3.1 W
3.1 W
3.1 W, 3.2 W
3.2 W
3.25 W
3.5 W