UG3SC120009K4S

onsemi
431-UG3SC120009K4S
UG3SC120009K4S

Fabricante:

Descripción:
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:  
SiC
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Single
1.2 kV
- 25 V to 25 V
6 uA
120 A
7.6 mOhms
789 W
- 55 C
+ 175 C
UG3S
Tube
Marca: onsemi
Tipo de producto: JFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
Filipinas
País de difusión:
Estados Unidos
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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En existencias: 603

Existencias:
603 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
31 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 603 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/268.31 S/268.31
S/205.91 S/2,059.10
S/189.29 S/18,929.00
600 Presupuesto

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