Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 9

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.11
25,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4961EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4961EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/9.11

S/5.84

S/3.97

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.79

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

60 V

4.4 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.67
111,760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3985EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3985EV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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111,760En existencias

Cinta cortada

S/4.67

S/2.93

S/1.93

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

20 V

3.9 A

130 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified

SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.73
31,337En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4949EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4949EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified

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31,337En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.27

S/4.28

S/3.40

Envase tipo carrete

S/2.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

7.5 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified

SQ3987EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.52
36,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3987EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3987EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/4.52

S/2.83

S/1.85

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

3 A

85 mOhms, 85 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.2 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified

SQ4937EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.40
8,302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4937EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4937EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified

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8,302En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/4.71

S/3.16

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

5 A

56 mOhms, 56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ951EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.95
13,144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ951EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ951EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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13,144En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.76

S/3.89

S/3.10

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

2 Channel

30 V

30 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id

SQM40061EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.70
3,235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM40061EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40061EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id

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Hoja de datos

3,235En existencias

Cinta cortada

S/10.70

S/6.93

S/4.75

S/3.59

Envase tipo carrete

S/3.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

SQJ963EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.70
6,922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ963EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ963EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

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6,922En existencias

Cinta cortada

S/10.70

S/6.93

S/4.75

S/3.80

S/3.54

Envase tipo carrete

S/3.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

2 Channel

60 V

8 A

67 mOhms, 67 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

SQD40081EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.03
205En existencias
8,000Se espera el 19/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQD40081EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD40081EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

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205En existencias

8,000Se espera el 19/05/2026

Cinta cortada

S/9.03

S/5.61

S/3.68

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.29

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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