AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors

Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors are sized at 1.19mm x 0.51mm x 0.66mm with ceramic construction to assure the utmost thermal stability and high SRF. With exceptionally high Q compared to non-wirewound inductors (especially at high frequencies) and an operating temperature of -25°C to 85°C, the Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors offer inductance options from 1.0nH to 150nH. The AISC inductors are widely applied in VCO, SAW circuit for GSM, and CDMA communications and in hard disk, notebook computers, and other electronic equipment. The AISC series is available in case sizes 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, 1210, 1210H, and 1812H.

Tipos de inductores, bobinas y espirales
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Inductancia
Tolerancia
Corriente CC máxima
Estilo de terminación
Temperatura de trabajo máxima
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 0.33 uH 0.310 A 1400.00 mOhm
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5,772En existencias
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330 nH 5 % 310 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 0.22 uH 0.400 A 1100.00 mOhm
Hoja de datos
4,074En existencias
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Carrete: 2,000

220 nH 2 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 47.00 nH 1.000 A 130.00 mOhm
Hoja de datos
3,305En existencias
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47 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de potencia - SMD 3.9 NH 5%
Hoja de datos
9,256En existencias
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3.9 nH 5 % 1.7 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD Inductor Ceramic Core Wire wound 2.9 x 2.8 x 2.3mm
Hoja de datos
80En existencias
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1.8 uH 5 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD Inductor Ceramic Core Wire wound 2.3 x 1.7 x 1.55mm
Hoja de datos
591En existencias
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6.8 uH 5 % 115 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD Inductor Ceramic Core Wire wound 2.3 x 1.7 x 1.55mm
Hoja de datos
1,170En existencias
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3.3 uH 5 % 175 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD Inductor Ceramic Core Wire wound 2.9 x 2.8 x 2.3mm
Hoja de datos
1,431En existencias
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3.3 uH 5 % 450 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de potencia - SMD IND 8.70 nH 1.300 A 85.00 mOhm
Hoja de datos
8,629En existencias
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8.7 nH 5 % 1.3 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de potencia - SMD 10 NH 5%
Hoja de datos
24,651En existencias
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10 uH 5 % 100 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON Inductores de RF - SMD 3.9 NH 2%
Hoja de datos
29,625En existencias
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3.9 nH 2 % 840 mA SMD/SMT
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 0.56 uH 0.460 A 1100.00 mOhm
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6,357En existencias
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560 nH 5 % 460 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 10.00 nH 0.480 A 200.00 mOhm
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4,483En existencias
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10 nH 5 % 480 mA SMD/SMT
ABRACON Inductores de RF - SMD 15 NH 5%
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13,669En existencias
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15 nH 5 % 560 mA SMD/SMT
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 2.00 nH 1.040 A 70.00 mOhm
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2,714En existencias
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2 nH 5 % 1.04 A SMD/SMT
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 5.60 nH 0.760 A 83.00 mOhm
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7,801En existencias
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5.6 nH 5 % 760 mA SMD/SMT
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 6.20 nH 0.760 A 83.00 mOhm
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6,772En existencias
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6.2 nH 5 % 760 mA SMD/SMT
ABRACON Inductores de potencia - SMD IND 1.00 uH 0.280 A 940.00 mOhm
Hoja de datos
2,750En existencias
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1 uH 5 % 280 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON Inductores de potencia - SMD IND 1.80 uH 0.230 A 1400.00 mOhm
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1,463En existencias
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1.8 uH 5 % 230 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON Inductores de potencia - SMD IND 22.00 uH 0.070 A 11400.00 mOhm
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5,981En existencias
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22 uH 5 % 70 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON Inductores de potencia - SMD IND 2.20 uH 0.220 A 1500.00 mOhm
Hoja de datos
4,079En existencias
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2.2 uH 5 % 220 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON Inductores de potencia - SMD IND 4.70 uH 0.160 A 2700.00 mOhm
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889En existencias
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4.7 uH 5 % 160 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON Inductores de potencia - SMD IND 5.60 uH 0.150 A 3000.00 mOhm
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2,029En existencias
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5.6 uH 5 % 150 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON Inductores de potencia - SMD 100 NH 10%
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815En existencias
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100 nH 10 % 850 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON Inductores de potencia - SMD IND 0.15 uH 0.820 A 120.00 mOhm
Hoja de datos
3,000En existencias
3,000Se espera el 20/02/2026
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Carrete: 3,000

150 nH 5 % 820 mA SMD/SMT + 85 C