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FET GaN LMG341xR150
El FET GaN LMG341xR150 de Texas Instruments con controlador y protección integrados permite que los diseñadores alcancen nuevos niveles de densidad de potencia y eficiencia en sistemas electrónicos de alimentación. El FET GaN LMG341xR150 cuenta con capacitancia de entrada y salida ultrabaja, sin recuperación inversa para reducir las pérdidas de conmutación hasta en un 80 % y un bajo nivel de repique del nodo de conmutación para reducir las EMI. Las funciones permiten topologías densas y eficientes como la corrección de factor de potencia (PFC) "Totem-Pole".