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CMPA2735030S

Name: MACOM CMPA2735030S
Brand: MACOM
SKU: 941-CMPA2735030S
Price: 1248.32 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-CMPA2735030S

Fabricante N.º:

CMPA2735030S

Fabricante:

MACOM

Descripción:

Amplificador de RF MMIC, GaN HEMT, G50V3-1C, 30W, 2.7-3.5GH

Hoja de datos:

CMPA2735030S Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/1,248.32	S/1,248.32
	S/1,107.18	S/11,071.80
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 25)
	S/1,058.45	S/26,461.25
250	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	2.7 GHz to 3.5 GHz
Ganancia:	28.1 dB
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-32
Tecnología:	GaN
Temperatura de trabajo máxima:	+ 225 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	MACOM
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Sensibles a la humedad:	Yes
Dp - Disipación de potencia :	32 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits

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USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
ECCN:: EAR99

Amplificador de potencia MMIC GaN de 30 W CMPA2735030S

El amplificador de potencia MMIC GaN de 2.7 GHz a 3.5 GHz y 30 W CMPA2735030S de Wolfspeed / Cree es un circuito integrado de microondas monolíticas (MMIC) basado en un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT). El amplificador de nitruro de galio (GaN) CMPA2735030S ofrece excelentes beneficios en comparación con el arseniuro de galio y silicio, incluso un mayor voltaje de ruptura, una mayor velocidad de deriva de electrones saturada y una mayor conductividad térmica. Además, los HEMT GaN ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplios en comparación con los transistores de Si y GaAs.