Módulos MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXFN200N10P
IXYS
1:
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1,320 En existencias
670 Se espera el 25/11/2026
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747-IXFN200N10P
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Módulos MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
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670 Se espera el 25/11/2026
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MOSFET Modules
Si
Screw Mount
SOT-227-4
Módulos MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds
IXFN210N20P
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S/212.69
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1,200 Se espera el 21/12/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXFN210N20P
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Módulos MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds
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1,200 Se espera el 21/12/2026
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MOSFET Modules
Si
Screw Mount
SOT-227-4
Módulos MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN300N10P
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747-IXFN300N10P
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Módulos MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
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MOSFET Modules
Si
Screw Mount
SOT-227-4
Módulos MOSFET 38 Amps 1000V
IXFN38N100P
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378 En existencias
220 Se espera el 31/08/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXFN38N100P
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Módulos MOSFET 38 Amps 1000V
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MOSFET Modules
Si
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SOT-227-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V
IXFA4N100P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V
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MOSFETs
Si
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D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 800V 0.14 Rds
IXFB60N80P
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S/140.75
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300 Se espera el 25/11/2026
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747-IXFB60N80P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 800V 0.14 Rds
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MOSFETs
Si
Through Hole
PLUS-264-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
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IXFH110N10P
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747-IXFH110N10P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
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2,220 Se espera el 21/12/2026
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MOSFETs
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TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V
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IXFH12N100P
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645 En existencias
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747-IXFH12N100P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V
645 En existencias
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S/47.72
10
S/26.31
120
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.15 Rds
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IXFH12N120P
IXYS
1:
S/82.21
1,049 En existencias
720 Se espera el 3/11/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N120P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.15 Rds
1,049 En existencias
720 Se espera el 3/11/2026
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
+1 imagen
IXFH140N10P
IXYS
1:
S/49.43
768 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH140N10P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
768 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1
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IXFH16N120P
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S/96.88
158 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH16N120P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1
158 En existencias
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S/96.88
10
S/62.63
120
S/62.59
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
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IXFH16N50P
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2,352 En existencias
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747-IXFH16N50P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
2,352 En existencias
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S/31.10
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S/16.47
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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IXFH18N90P
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747-IXFH18N90P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 1000V 1 Rds
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IXFH20N100P
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158 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 1000V 1 Rds
158 En existencias
1
S/67.77
10
S/41.84
120
S/41.81
510
S/39.16
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Si
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TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 22A
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459 En existencias
300 Se espera el 6/10/2026
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747-IXFH22N50P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 22A
459 En existencias
300 Se espera el 6/10/2026
1
S/36.39
10
S/22.42
120
S/20.63
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A
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IXFH22N60P
IXYS
1:
S/42.55
597 En existencias
120 Se espera el 26/10/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH22N60P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A
597 En existencias
120 Se espera el 26/10/2026
1
S/42.55
10
S/30.09
120
S/25.03
510
S/22.30
1,020
S/21.53
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id26 BVdass500
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IXFH26N50P
IXYS
1:
S/42.23
1,961 En existencias
4,620 En pedido
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH26N50P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id26 BVdass500
1,961 En existencias
4,620 En pedido
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1,961 Se puede enviar inmediatamente
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2,040 Se espera el 2/12/2026
2,580 Se espera el 4/01/2027
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
1
S/42.23
10
S/30.05
120
S/25.03
510
S/22.15
1,020
S/20.86
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A
+1 imagen
IXFH36N50P
IXYS
1:
S/53.87
630 En existencias
480 Se espera el 30/11/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N50P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A
630 En existencias
480 Se espera el 30/11/2026
1
S/53.87
10
S/38.26
120
S/32.70
510
S/29.27
1,020
S/27.95
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A
+1 imagen
IXFH44N50P
IXYS
1:
S/62.01
222 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH44N50P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A
222 En existencias
1
S/62.01
10
S/35.11
120
S/34.88
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Min.: 1
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds
+1 imagen
IXFH52N30P
IXYS
1:
S/40.83
1,747 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH52N30P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds
1,747 En existencias
1
S/40.83
10
S/22.19
120
S/20.47
510
S/20.05
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
+1 imagen
IXFH88N30P
IXYS
1:
S/75.55
185 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH88N30P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
185 En existencias
1
S/75.55
10
S/51.19
120
S/47.80
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Min.: 1
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds
+1 imagen
IXFH96N20P
IXYS
1:
S/49.43
730 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH96N20P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds
730 En existencias
1
S/49.43
10
S/32.81
120
S/30.40
510
S/26.86
1,020
S/25.65
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds
IXFK140N30P
IXYS
1:
S/114.01
360 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFK140N30P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds
360 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-264-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A
IXFK44N50P
IXYS
1:
S/65.67
196 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFK44N50P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A
196 En existencias
1
S/65.67
10
S/38.19
100
S/37.10
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-264-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 800V
IXFK44N80P
IXYS
1:
S/103.85
255 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFK44N80P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 800V
255 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-264-3