Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NTTFS012N10MDTAG

Name: onsemi NTTFS012N10MDTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS012N10MDTAG
Price: 8.41 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NTTFS012N10MDTAG

Fabricante N.º:

NTTFS012N10MDTAG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

Hoja de datos:

NTTFS012N10MDTAG Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NTTFS012N10MDTAG

En existencias: 9,702

Existencias:: 9,702 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 21 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/8.41	S/8.41
	S/5.57	S/55.70
	S/3.76	S/376.00
	S/3.00	S/1,500.00
	S/2.85	S/2,850.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/2.58	S/3,870.00
	S/2.36	S/7,080.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	WDFN-8
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTTFS012N10MD
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTTFS012N10MDTAG Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET

onsemi NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET is designed using an advanced PowerTrench^® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize the on-state resistance R_DS(on) to minimize conduction losses and yet maintain superior switching performance. The NTTFS012N10MD MOSFET features low Q_G and capacitance to minimize driver losses, low Q_RR, soft recovery body diode, and low Q_OSS to improve light-load efficiency. Typical applications include primary switches in isolated DC-DC converters, AC-DC adapters, synchronous rectification in DC-DC and AC-DC, BLDC motors, load switches, and solar inverters.