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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.34
720En existencias
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IQE036N08NM6SCATMA1

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726-IQE036N08NM6SCAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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S/15.34

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S/5.25

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Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

ISC031N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.66
5En existencias
4,000Se espera el 20/08/2026
Nuevo producto

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ISC031N08NM6SCATMA1

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726-ISC031N08NM6SCAT

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Infineon Technologies

Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

IPB014N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.14
800En existencias
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IPB014N08NM6ATMA1

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726-IPB014N08NM6ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

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S/28.14

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S/16.82

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

IPF011N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/30.17
800En existencias
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726-IPF011N08NM6ATMA

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S/21.80

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S/15.57

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL

IPT009N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/39.39
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IPT009N08NM6ATMA1

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726-IPT009N08NM6ATMA

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S/39.39

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S/20.55

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S/19.19

Min.: 1
Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.70
720En existencias
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IQE036N08NM6ATMA1

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726-IQE036N08NM6ATMA

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S/6.23

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.70
776En existencias
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IQE036N08NM6CGATMA1

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726-IQE036N08NM6CGAT

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S/8.95

S/6.23

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S/4.79

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: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.67
378En existencias
6,000Se espera el 25/05/2026
Nuevo producto

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IQE036N08NM6CGSCATMA1

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726-IQE036N08NM6CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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S/14.67

S/9.61

S/6.73

S/5.72

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Envase tipo carrete

S/5.25

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC018N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.09
387En existencias
5,000Se espera el 23/07/2026

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ISC018N08NM6ATMA1

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726-ISC018N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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S/20.09

S/13.35

S/9.50

S/8.60

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S/8.02

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC056N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.50
775En existencias
5,000Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC056N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC056N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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S/9.50

S/6.07

S/4.16

S/3.32

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S/2.81

Min.: 1
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: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC031N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.22
26En existencias
5,000Se espera el 29/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC031N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC031N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Cinta cortada

S/12.22

S/7.86

S/5.37

S/4.44

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Envase tipo carrete

S/3.88

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220

IPP014N08NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.22
500Se espera el 11/06/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP014N08NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP014N08NM6AKSA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220

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500Se espera el 11/06/2026

S/25.22

S/17.01

S/12.34

S/12.03

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC014N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.51
4,740Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC014N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC014N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

4,740Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/26.51

S/17.79

S/13.66

S/12.42

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Envase tipo carrete

S/11.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

ISC018N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.22
3,976Se espera el 29/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC018N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC018N08NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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Hoja de datos

3,976Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/28.22

S/18.76

S/15.18

S/13.51

S/11.91

Envase tipo carrete

S/11.91

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

ISC025N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.05
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

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S/20.05

S/13.08

S/10.24

S/8.56

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S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

ISC025N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.86
1,000En pedido
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ISC025N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM6ATMA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

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1,000En pedido

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S/13.86

S/8.99

S/6.58

S/5.53

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S/4.79

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

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