.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs set industry benchmark performance with a wide portfolio offering, including PQFN 3.3mm x 3.3mm, SuperSO8, PQFN 5mm x 6mm Dual-Side Cooling, and PQFN 3.3mm x 3.3mm Source-Down. The 80V family is ideal for high switching frequency applications such as telecom, servers, and solar. The performance improvements of OptiMOS™ 6 80V also demonstrate benefits in battery management systems (BMS).

Todos los resultados (14)

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

A continuación, seleccione una categoría para ver las opciones de filtrado y reducir su búsqueda.

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.76
630En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

Obtenga más información

Hoja de datos

630En existencias

Cinta cortada

S/15.76

S/10.32

S/7.24

S/6.07

Ver

Envase tipo carrete

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC056N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.04
880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC056N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC056N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

880En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/6.42

S/4.40

S/3.48

Ver

Envase tipo carrete

S/2.81

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

IPB014N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.14
700En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB014N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

Obtenga más información

Hoja de datos

700En existencias

Cinta cortada

S/28.14

S/20.79

S/16.82

S/14.95

Envase tipo carrete

S/13.23

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

IPF011N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.26
700En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF011N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF011N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

Obtenga más información

Hoja de datos

700En existencias

Cinta cortada

S/31.26

S/21.29

S/15.96

S/15.57

Envase tipo carrete

S/14.56

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.70
630En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

Obtenga más información

Hoja de datos

630En existencias

Cinta cortada

S/13.70

S/8.95

S/6.23

S/5.22

Ver

Envase tipo carrete

S/4.79

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.70
700En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6CGAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

Obtenga más información

Hoja de datos

700En existencias

Cinta cortada

S/13.70

S/8.95

S/6.23

S/5.22

Ver

Envase tipo carrete

S/4.79

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.67
595En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

Obtenga más información

Hoja de datos

595En existencias

Cinta cortada

S/14.67

S/9.61

S/6.73

S/5.72

Ver

Envase tipo carrete

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC018N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.09
455En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC018N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC018N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

455En existencias

Cinta cortada

S/20.09

S/13.35

S/9.50

S/8.60

Ver

Envase tipo carrete

S/8.02

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC031N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.95
875En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC031N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC031N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

875En existencias

Cinta cortada

S/11.95

S/7.75

S/5.45

S/4.48

Ver

Envase tipo carrete

S/3.88

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL

IPT009N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/35.07
5En existencias
2,000Se espera el 10/04/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT009N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT009N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

2,000Se espera el 10/04/2026

Cinta cortada

S/35.07

S/21.29

S/16.43

S/15.84

Envase tipo carrete

S/15.34

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

ISC031N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.66
13En existencias
4,000Se espera el 11/02/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC031N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC031N08NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

Obtenga más información

Hoja de datos

13En existencias

4,000Se espera el 11/02/2027

Cinta cortada

S/16.66

S/11.48

S/8.21

S/7.94

S/7.71

Envase tipo carrete

S/6.81

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220

IPP014N08NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.22
500Se espera el 7/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP014N08NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP014N08NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220

Obtenga más información

Hoja de datos

500Se espera el 7/05/2026

S/25.22

S/17.01

S/12.34

S/12.03

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC014N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.11
4,990Se espera el 24/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC014N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC014N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,990Se espera el 24/09/2026

Cinta cortada

S/22.11

S/14.75

S/10.98

S/9.61

Ver

Envase tipo carrete

S/8.99

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

ISC018N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.62
3,976Se espera el 23/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC018N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC018N08NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,976Se espera el 23/07/2026

Cinta cortada

S/16.62

S/11.60

S/9.96

S/9.65

S/9.38

Envase tipo carrete

S/8.33

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

Todos los resultados (14)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

Todos los resultados (14)

Semiconductores

Sin clasificar