FET LDMOS y JFET de RF 5G

Los transistores de efecto de campo de unión (JFET) y los FET de semiconductores de óxido metálico de difusión lateral (LDMOS) de RF 5G de MACOM son transistores de alta potencia mejorados térmicamente para la próxima generación de transmisión inalámbrica. Estos dispositivos cuentan con tecnología de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) GaN en SiC, sincronización de entrada, alta eficiencia y un paquete de montaje en superficie mejorado térmicamente con una brida sin orejas. Los JFET y FET LDMOS de RF 5G de MACOM son ideales para aplicaciones de amplificadores de potencia celular multiestándar. 

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
MACOM GaN FETs 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
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MACOM GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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40En existencias
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MACOM GaN FETs 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
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MACOM GaN FETs 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
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53En existencias
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MACOM GaN FETs 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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30En existencias
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MACOM GaN FETs 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
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