Diodos Schottky de SiC – Mouser Perú

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TSCD 650V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 650V SiC Schottky Diodes feature a maximum junction temperature of +175°C and ensure robust performance under challenging conditions. Taiwan Semiconductor TSCD diodes have an MPS structure that enhances ruggedness to forward current surge events, making them suitable for high-demand scenarios. These diodes facilitate high-speed switching and boast a high forward surge capability, enabling efficient operation in various power supply systems. Additionally, the positive temperature coefficient on VF ensures stability across temperature ranges.

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N.° de pieza

Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDF16065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/18.76
1,000En existencias

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TSCDF16065G1

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821-TSCDF16065G1

Taiwan Semiconductor

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S/18.76

S/12.61

S/9.42

S/8.37

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AC-2

Single

16 A

650 V

1.38 V

100 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDT16065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/16.47
997En existencias

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TSCDT16065G1

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821-TSCDT16065G1

Taiwan Semiconductor

Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode

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997En existencias

S/16.47

S/11.41

S/6.03

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220AC-2

Single

16 A

650 V

1.38 V

100 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDT20065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/18.92
985En existencias

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TSCDT20065G1

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821-TSCDT20065G1

Taiwan Semiconductor

Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode

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S/13.78

S/7.08

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Through Hole

TO-220AC-2

Single

20 A

650 V

1.38 V

128 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

Diodos Schottky de SiC 6A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDF06065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/10.47
984En existencias

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TSCDF06065G1

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821-TSCDF06065G1

Taiwan Semiconductor

Diodos Schottky de SiC 6A, 650V, SiC Schottky Diode

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984En existencias

S/10.47

S/6.77

S/5.53

S/3.41

S/3.16

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Through Hole

TO-220AC-2

Single

6 A

650 V

1.32 V

44 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

Diodos Schottky de SiC 8A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDF08065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/11.72
998En existencias

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TSCDF08065G1

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998En existencias

S/11.72

S/7.59

S/6.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AC-2

Single

8 A

650 V

1.35 V

72 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

Diodos Schottky de SiC 10A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDF10065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/12.77
1,000En existencias

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TSCDF10065G1

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821-TSCDF10065G1

Taiwan Semiconductor

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S/12.77

S/8.41

S/7.94

S/4.24

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220AC-2

Single

10 A

650 V

1.34 V

84 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

Diodos Schottky de SiC 12A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDF12065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/14.01
977En existencias

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TSCDF12065G1

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821-TSCDF12065G1

Taiwan Semiconductor

Diodos Schottky de SiC 12A, 650V, SiC Schottky Diode

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977En existencias

S/14.01

S/9.26

S/9.15

S/4.87

S/4.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AC-2

Single

12 A

650 V

1.36 V

88 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDH16065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/22.27
200En existencias

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TSCDH16065G1

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821-TSCDH16065G1

Taiwan Semiconductor

Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode

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200En existencias

S/22.27

S/14.83

S/14.67

S/8.84

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

Dual Anode Common Cathode

16 A

650 V

1.33 V

68 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDH20065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/24.29
290En existencias

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TSCDH20065G1

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821-TSCDH20065G1

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290En existencias

S/24.29

S/17.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

Dual Anode Common Cathode

20 A

650 V

1.34 V

88 A

20 uA

AEC-Q101

Tube

Diodos Schottky de SiC 30A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDH30065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/29.82
300En existencias

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TSCDH30065G1

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821-TSCDH30065G1

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S/29.82

S/24.02

S/13.00

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

Dual Anode Common Cathode

30 A

650 V

1.36 V

128 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

Diodos Schottky de SiC 40A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDH40065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/38.15
274En existencias

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S/38.15

S/29.12

S/23.90

S/22.73

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TO-247-3

Dual Anode Common Cathode

40 A

650 V

1.33 V

140 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

Diodos Schottky de SiC 6A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDT06065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/10.78
974En existencias

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TSCDT06065G1

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821-TSCDT06065G1

Taiwan Semiconductor

Diodos Schottky de SiC 6A, 650V, SiC Schottky Diode

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974En existencias

S/10.78

S/6.93

S/5.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AC-2

Single

6 A

650 V

1.32 V

44 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

Diodos Schottky de SiC 8A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDT08065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/11.91
550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSCDT08065G1

N.º de artículo de Mouser
821-TSCDT08065G1

Taiwan Semiconductor

Diodos Schottky de SiC 8A, 650V, SiC Schottky Diode

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550En existencias

S/11.91

S/7.86

S/6.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AC-2

Single

8 A

650 V

1.35 V

72 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

Diodos Schottky de SiC 10A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDT10065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/14.64
978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSCDT10065G1

N.º de artículo de Mouser
821-TSCDT10065G1

Taiwan Semiconductor

Diodos Schottky de SiC 10A, 650V, SiC Schottky Diode

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978En existencias

S/14.64

S/9.54

S/7.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AC-2

Single

10 A

650 V

1.34 V

84 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

Diodos Schottky de SiC 12A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDT12065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/14.64
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSCDT12065G1

N.º de artículo de Mouser
821-TSCDT12065G1

Taiwan Semiconductor

Diodos Schottky de SiC 12A, 650V, SiC Schottky Diode

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1,000En existencias

S/14.64

S/9.58

S/9.15

S/5.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AC-2

Single

12 A

650 V

1.65 V

88 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDF20065G1
Taiwan Semiconductor
1: S/18.41
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

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TSCDF20065G1

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821-TSCDF20065G1

Taiwan Semiconductor

Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/18.41

S/12.03

S/9.38

S/7.86

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AC-2

Single

20 A

650 V

1.38 V

128 A

20 uA

- 55 C

+ 175 C

AEC-Q101

Tube

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