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BGAV1A10E6327XTSA1

Name: Infineon BGAV1A10E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGAV1A10E6327XTS
Price: 1.57 PEN
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

726-BGAV1A10E6327XTS

Fabricante N.º:

BGAV1A10E6327XTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Amplificador de RF RF SILICON MMIC

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

BGAV1A10E6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/1.52	S/13,680.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	3.4 GHz to 3.8 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	1.7 V to 1.9 V
Corriente de suministro operativa:	5 mA
Ganancia:	22 dB
NF - Figura de ruido:	1.3 dB
Tipo:	Low Noise Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	ATSLP-10-3
Tecnología:	Si
P1dB: punto de compresión:	3 dBm
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	32 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 30 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Reel
Marca:	Infineon Technologies
Pérdida de retorno de entrada:	13 dB
Aislamiento dB:	32 dB
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	90 mW
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	4500
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	3.5 GHz
Alias de las piezas n.º:	BGA V1A10 E6327 SP001628074
Peso de la unidad:	2.450 mg

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Product Catalogs

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CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8537109920
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8537109899
ECCN:: EAR99

BGAx1A10 LTE LNA with Gain Control

Infineon Technologies BGAx1A10 LTE Low Noise Amplifiers (LNA) with Gain Control are designed to significantly improve the data rate of LTE communications. These BGAx1A10 LNAs feature an integrated gain control, bypass function, high system flexibility, and a low noise figure. The bypass mode reduces current consumption, and the Mobile Industry Processor Interface (MIPI) control interface reduces the control lines to a minimum. The BGAx1A10 LNAs ensures high LTE data rates due to high gain feature and higher system flexibility due to integrated gain control.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.