Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.41
61,773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ075N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ075N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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61,773En existencias

Cinta cortada

S/8.41

S/4.67

S/3.67

S/3.42

Envase tipo carrete

S/3.42

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.00
15,021En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

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15,021En existencias

Cinta cortada

S/10.00

S/3.63

Envase tipo carrete

S/3.63

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

95 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.49
885En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB020N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

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885En existencias

Cinta cortada

S/21.49

S/13.31

S/10.20

S/9.11

Envase tipo carrete

S/8.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.29
10,762En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ084N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ084N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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Cinta cortada

S/8.29

S/4.79

S/3.40

S/2.85

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Envase tipo carrete

S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

11.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC009NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.02
21,515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS5IATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS5IATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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Cinta cortada

S/11.02

S/6.62

S/4.83

S/4.01

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Envase tipo carrete

S/3.48

MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

950 uOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.08
4,896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC026N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC026N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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Cinta cortada

S/16.08

S/10.20

S/7.43

S/6.19

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.55
5,610En existencias

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BSC061N08NS5ATMA1

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726-BSC061N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

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Cinta cortada

S/10.55

S/6.54

S/4.59

S/3.74

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Envase tipo carrete

S/3.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

82 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

27 nC

- 55 C

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74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8

BSC117N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
17,280En existencias

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BSC117N08NS5ATMA1

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726-BSC117N08NS5ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8

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S/8.02

S/5.14

S/3.45

S/2.74

S/2.38

Envase tipo carrete

S/2.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

49 A

11.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB017N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.06
1,896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N08N5ATMA1

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726-IPB017N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

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S/28.06

S/18.96

S/13.74

S/13.04

Envase tipo carrete

S/12.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

223 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.26
10,698En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS5ATMA1

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726-BSC009NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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Cinta cortada

S/9.26

S/5.92

S/4.05

S/3.23

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Envase tipo carrete

S/2.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.25 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC026NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.66
4,628En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC026NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC026NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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4,628En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/3.93

S/2.67

S/2.14

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Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

82 A

4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC037N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.91
13,036En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC037N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC037N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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Hoja de datos

13,036En existencias

Cinta cortada

S/11.91

S/7.36

S/5.33

S/4.28

Ver

Envase tipo carrete

S/3.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
1,824En existencias
5,000Se espera el 26/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC040N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC040N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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1,824En existencias

5,000Se espera el 26/05/2026

Cinta cortada

S/11.41

S/7.36

S/5.02

S/4.09

Ver

Envase tipo carrete

S/3.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A

BSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.18
34,815En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A

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Hoja de datos

34,815En pedido

Cinta cortada

S/12.18

S/7.47

S/5.33

S/4.40

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.12
19,830En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ110N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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Hoja de datos

19,830En pedido

Cinta cortada

S/7.12

S/4.40

S/2.93

S/2.36

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Envase tipo carrete

S/1.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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