Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

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Resultados: 113

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET i

STB80N4F6AG
STMicroelectronics
1: S/9.61
856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB80N4F6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB80N4F6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET i

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Hoja de datos

856En existencias

Cinta cortada

S/9.61

S/6.15

S/4.24

S/3.42

Envase tipo carrete

S/2.77

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE

STB120N4LF6
STMicroelectronics
1: S/11.13
1,490Se espera el 4/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
STB120N4LF6

N.º de artículo de Mouser
511-STB120N4LF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE

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Hoja de datos

1,490Se espera el 4/01/2027

Cinta cortada

S/11.13

S/7.20

S/4.98

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.70

S/3.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP220N6F7
STMicroelectronics
1: S/11.37
1,000Se espera el 6/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP220N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP220N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag

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Hoja de datos

1,000Se espera el 6/04/2026

S/11.37

S/5.64

S/5.10

S/4.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

237 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

STD80N6F7
STMicroelectronics
2,500: S/1.35
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD80N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.35

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI

STD96N3LLH6
STMicroelectronics
1: S/6.11
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD96N3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STD96N3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Cinta cortada

S/6.11

S/3.86

S/2.58

S/2.02

S/1.85

Envase tipo carrete

S/1.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

STH270N8F7-2
STMicroelectronics
1: S/20.63
Plazo de entrega 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STH270N8F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH270N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

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Hoja de datos

Plazo de entrega 26 Semanas

Cinta cortada

S/20.63

S/13.74

S/9.81

S/9.54

Envase tipo carrete

S/8.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet

STH300NH02L-6
STMicroelectronics
1,000: S/7.51
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STH300NH02L-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH300NH02L-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/7.51

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

24 V

180 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

109 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package

STL12N10F7
STMicroelectronics
3,000: S/2.14
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL12N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL12N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.14

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

13.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

STripFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mOhm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a

STL86N3LLH6AG
STMicroelectronics
3,000: S/2.02
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL86N3LLH6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL86N3LLH6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mOhm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.02

S/1.90

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFET in

STL8N6LF6AG
STMicroelectronics
1: S/6.50
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL8N6LF6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL8N6LF6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFET in

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Cinta cortada

S/6.50

S/4.16

S/2.77

S/2.18

S/1.99

Envase tipo carrete

S/1.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

60 V

32 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STP315N10F7
STMicroelectronics
1: S/19.66
Plazo de entrega 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP315N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP315N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 26 Semanas

S/19.66

S/10.24

S/9.30

S/7.71

S/7.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LGS LV MOSFET

STH290N4F6-2AG
STMicroelectronics
1,000: S/6.31
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STH290N4F6-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH290N4F6-2AG

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LGS LV MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.31

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

115 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

STB85NF55T4
STMicroelectronics
1,000: S/4.13
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB85NF55T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB85NF55

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.13

S/3.89

Presupuesto

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel

STripFET Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.3 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
7.8 A
8 A
10 A
12 A
16 A
18 A
19 A
20 A
21 A
24 A
25 A
32 A
33 A
35 A

1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms

3.6 nC
6 nC
6.4 nC
6.5 nC
7.8 nC
8 nC
8.7 nC
12 nC
13 nC
14 nC
16 nC
17 nC
20 nC
20.5 nC
22 nC
25 nC
26 nC
27 nC
27.6 nC
28 nC

350 mW
1.6 W
2.4 W
2.6 W
2.9 W
3.2 W
4.8 W
5 W
25 W
30 W
33 W
35 W
40 W
50 W
52 W
55 W
58 W
60 W
62.5 W
70 W