Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

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Resultados: 104

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa

STP160N3LL
STMicroelectronics
1: S/6.97
478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP160N3LL

N.º de artículo de Mouser
511-STP160N3LL

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa

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478En existencias

S/6.97

S/3.30

S/2.78

S/2.25

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP200N3LL
STMicroelectronics
1: S/7.90
2,898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP200N3LL

N.º de artículo de Mouser
511-STP200N3LL

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package

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2,898En existencias

S/7.90

S/4.71

S/3.93

S/3.37

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

120 A

2.15 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

176.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII

STP240N10F7
STMicroelectronics
1: S/18.92
79En existencias
1,000Se espera el 4/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP240N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP240N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII

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79En existencias

1,000Se espera el 4/12/2026

S/18.92

S/10.94

S/9.26

S/7.75

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300V 0.063Ohm 42A pwr MOSFET

STP46NF30
STMicroelectronics
1: S/17.59
90En existencias
13,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STP46NF30

N.º de artículo de Mouser
511-STP46NF30

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300V 0.063Ohm 42A pwr MOSFET

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90En existencias

13,000En pedido

S/17.59

S/10.47

S/7.94

S/6.50

S/6.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

42 A

63 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V

STR2N2VH5
STMicroelectronics
1: S/4.98
2,206En existencias
6,000Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STR2N2VH5

N.º de artículo de Mouser
511-STR2N2VH5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V

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2,206En existencias

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Cinta cortada

S/4.98

S/3.07

S/2.02

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.3 A

30 mOhms

- 8 V, 8 V

700 mV

6 nC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a

STS8N6LF6AG
STMicroelectronics
1: S/5.14
3,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS8N6LF6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STS8N6LF6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a

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Cinta cortada

S/5.14

S/3.24

S/2.13

S/1.66

Envase tipo carrete

S/1.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

3.2 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI

STT6N3LLH6
STMicroelectronics
1: S/3.08
7,976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STT6N3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STT6N3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI

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7,976En existencias

Cinta cortada

S/3.08

S/1.91

S/1.23

S/0.934

Envase tipo carrete

S/0.716

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-6

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

STB100N10F7
STMicroelectronics
1: S/12.73
8,902En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STB100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STB100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

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S/12.73

S/8.25

S/5.72

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

STH150N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/17.56
1,000Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STH150N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH150N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

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Cinta cortada

S/17.56

S/10.94

S/8.14

S/6.97

Envase tipo carrete

S/6.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL8P4LLF6
STMicroelectronics
1: S/6.19
5,923Se espera el 27/08/2027

N.º de artículo del Fabricante
STL8P4LLF6

N.º de artículo de Mouser
511-STL8P4LLF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

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5,923Se espera el 27/08/2027

Cinta cortada

S/6.19

S/3.97

S/2.66

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

P-Channel

1 Channel

40 V

8 A

20.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII

STL90N10F7
STMicroelectronics
1: S/9.03
5,987En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STL90N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL90N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII

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Cinta cortada

S/9.03

S/5.80

S/3.93

S/3.13

S/2.87

Envase tipo carrete

S/2.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

16 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

STP150N10F7
STMicroelectronics
1: S/15.18
5,000Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP150N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP150N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

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5,000Se espera el 24/08/2026

S/15.18

S/7.79

S/6.97

S/5.72

S/5.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG

STP270N8F7
STMicroelectronics
1: S/21.84
1,000Se espera el 23/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP270N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP270N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG

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1,000Se espera el 23/10/2026

S/21.84

S/11.41

S/10.39

S/8.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET

STLD200N4F6AG
STMicroelectronics
1: S/16.39
2,500Se espera el 30/04/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STLD200N4F6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STLD200N4F6AG

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET

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2,500Se espera el 30/04/2027

Cinta cortada

S/16.39

S/10.74

S/7.55

S/6.31

Envase tipo carrete

S/5.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.27 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET i

STB80N4F6AG
STMicroelectronics
1: S/10.47
756En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB80N4F6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB80N4F6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET i

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756En existencias

Cinta cortada

S/10.47

S/6.77

S/4.63

S/3.70

Envase tipo carrete

S/3.34

S/3.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

STH140N8F7-2
STMicroelectronics
1: S/14.32
997Se espera el 11/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
STH140N8F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH140N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

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Hoja de datos

997Se espera el 11/09/2026

Cinta cortada

S/14.32

S/9.34

S/6.54

S/5.33

Envase tipo carrete

S/4.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

STL4N10F7
STMicroelectronics
1: S/4.13
5,456En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STL4N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL4N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

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5,456En pedido

Cinta cortada

S/4.13

S/2.54

S/1.67

S/1.25

Envase tipo carrete

S/0.973

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

4.5 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

STD80N6F7
STMicroelectronics
1: S/6.42
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD80N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/6.42

S/3.97

S/2.60

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.41

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI

STD96N3LLH6
STMicroelectronics
1: S/6.93
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STD96N3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STD96N3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI

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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/6.93

S/4.40

S/2.92

S/2.29

Envase tipo carrete

S/1.77

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

STH270N8F7-2
STMicroelectronics
1: S/22.23
Plazo de entrega 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STH270N8F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH270N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

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Cinta cortada

S/22.23

S/14.83

S/10.59

S/9.54

Envase tipo carrete

S/8.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet

STH300NH02L-6
STMicroelectronics
1,000: S/8.37
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STH300NH02L-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH300NH02L-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet

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S/8.37

S/7.86

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

24 V

180 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

109 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL100N8F7
STMicroelectronics
1: S/12.26
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

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STL100N8F7

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511-STL100N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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S/12.26

S/7.98

S/5.53

S/4.48

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

46.8 nC

- 55 C

+ 175 C

120 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package

STL12N10F7
STMicroelectronics
3,000: S/3.01
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL12N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL12N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package

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Envase tipo carrete

S/3.01

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

13.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

STripFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mOhm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a

STL86N3LLH6AG
STMicroelectronics
1: S/8.80
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STL86N3LLH6AG

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511-STL86N3LLH6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mOhm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a

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S/8.80

S/5.53

S/3.64

S/2.88

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S/2.32

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: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFET in

STL8N6LF6AG
STMicroelectronics
1: S/7.71
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL8N6LF6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL8N6LF6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFET in

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S/7.71

S/4.94

S/3.30

S/2.62

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S/2.11

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Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

60 V

32 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

STripFET Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.3 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
7.8 A
8 A
10 A
12 A
16 A
18 A
19 A
20 A
21 A
24 A
25 A
32 A
33 A
35 A

1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms

3.6 nC
6 nC
6.4 nC
7.8 nC
8 nC
8.7 nC
12 nC
13 nC
14 nC
16 nC
17 nC
20 nC
20.5 nC
22 nC
25 nC
26 nC
27 nC
27.6 nC
28 nC
29 nC

350 mW
1.6 W
2.4 W
2.6 W
2.9 W
3.2 W
4.8 W
5 W
30 W
33 W
35 W
40 W
50 W
52 W
55 W
58 W
60 W
62.5 W
70 W
72 W