Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

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Resultados: 113

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG

STP270N8F7
STMicroelectronics
1: S/20.51
839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP270N8F7

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511-STP270N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG

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839En existencias

S/20.51

S/11.25

S/9.96

S/9.69

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET

STLD200N4F6AG
STMicroelectronics
1: S/15.61
2,251En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STLD200N4F6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STLD200N4F6AG

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET

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Cinta cortada

S/15.61

S/10.28

S/7.47

S/6.62

S/6.46

Envase tipo carrete

S/5.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.27 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

STL4N10F7
STMicroelectronics
1: S/3.81
923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL4N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL4N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

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923En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.38

S/1.55

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.911

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

4.5 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET

STD155N3LH6
STMicroelectronics
1: S/9.19
363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD155N3LH6

N.º de artículo de Mouser
511-STD155N3LH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET

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363En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/5.92

S/4.01

S/3.14

Envase tipo carrete

S/2.61

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI

STH260N6F6-2
STMicroelectronics
1: S/14.67
693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH260N6F6-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH260N6F6-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI

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693En existencias

Cinta cortada

S/14.67

S/11.68

S/9.15

S/8.10

Envase tipo carrete

S/6.34

S/6.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

75 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

183 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a D2PAK package

STB100N6F7
STMicroelectronics
1: S/8.52
1,291En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB100N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STB100N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a D2PAK package

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1,291En existencias

Cinta cortada

S/8.52

S/5.45

S/3.70

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package

STB130N6F7
STMicroelectronics
1: S/9.58
1,739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB130N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STB130N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package

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1,739En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/6.15

S/4.20

S/3.48

Envase tipo carrete

S/3.06

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

160 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII

STL40N10F7
STMicroelectronics
1: S/8.17
2,086En existencias

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STL40N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL40N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII

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Cinta cortada

S/8.17

S/5.22

S/3.60

S/2.87

Envase tipo carrete

S/2.22

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

20 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i

STLD125N4F6AG
STMicroelectronics
1: S/12.49
2,487En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STLD125N4F6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STLD125N4F6AG

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i

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S/12.49

S/8.17

S/5.84

S/4.98

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Envase tipo carrete

S/3.93

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

STD140N6F7
STMicroelectronics
1: S/8.72
20,815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD140N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD140N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

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20,815En existencias

Cinta cortada

S/8.72

S/5.61

S/3.79

S/3.03

Envase tipo carrete

S/2.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

STH310N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/20.20
8,894En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH310N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

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S/20.20

S/14.01

S/11.33

S/10.08

Envase tipo carrete

S/8.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

STB120N4F6
STMicroelectronics
1: S/10.08
2,295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB120N4F6

N.º de artículo de Mouser
511-STB120N4F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

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2,295En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/6.50

S/4.48

S/3.58

Envase tipo carrete

S/3.22

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

STD100N10F7
STMicroelectronics
1: S/8.91
5,779En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

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5,779En existencias

Cinta cortada

S/8.91

S/6.54

S/5.14

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.46

S/3.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

120 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i

STD105N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/10.74
3,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD105N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD105N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i

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Hoja de datos

3,792En existencias

Cinta cortada

S/10.74

S/6.93

S/4.94

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.38

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

120 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packa

STD110N8F6
STMicroelectronics
1: S/9.38
6,681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD110N8F6

N.º de artículo de Mouser
511-STD110N8F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packa

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Hoja de datos

6,681En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/5.99

S/4.13

S/3.34

Envase tipo carrete

S/2.67

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep

STD120N4LF6
STMicroelectronics
1: S/10.63
3,836En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD120N4LF6

N.º de artículo de Mouser
511-STD120N4LF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep

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3,836En existencias

Cinta cortada

S/10.63

S/6.89

S/4.75

S/3.84

Envase tipo carrete

S/3.18

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 100V 0027 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET

STD25N10F7
STMicroelectronics
1: S/5.80
4,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD25N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD25N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 100V 0027 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET

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Hoja de datos

4,048En existencias

Cinta cortada

S/5.80

S/3.65

S/2.42

S/2.05

Envase tipo carrete

S/1.74

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET

STD25NF20
STMicroelectronics
1: S/7.59
13,806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD25NF20

N.º de artículo de Mouser
511-STD25NF20

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET

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Hoja de datos

13,806En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.83

S/3.26

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.18

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 100V 0013 Ohm typ 45 A Pwr MOSFET

STD45N10F7
STMicroelectronics
1: S/7.79
4,850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD45N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD45N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 100V 0013 Ohm typ 45 A Pwr MOSFET

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Hoja de datos

4,850En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.46

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

45 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII

STD80N10F7
STMicroelectronics
1: S/7.79
2,753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII

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S/7.79

S/4.98

S/3.36

S/2.67

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S/2.50

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

85 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate

STD80N4F6
STMicroelectronics
1: S/3.85
3,009En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N4F6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N4F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate

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S/3.85

S/3.71

S/3.36

S/3.02

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S/2.55

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac

STH240N10F7-6
STMicroelectronics
1: S/18.29
3,875En existencias

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STH240N10F7-6

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511-STH240N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac

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S/18.29

S/12.11

S/9.46

S/8.87

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S/7.51

S/6.73

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Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STH315N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/21.68
889En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH315N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH315N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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S/21.68

S/14.48

S/10.98

S/9.34

Envase tipo carrete

S/7.20

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Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL100N8F7
STMicroelectronics
1: S/11.29
7,245En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL100N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL100N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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S/11.29

S/7.43

S/5.14

S/4.28

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S/3.62

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

46.8 nC

- 55 C

+ 175 C

120 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

STL115N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/12.46
2,317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL115N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL115N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

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S/12.46

S/8.14

S/5.68

S/4.83

S/4.71

Envase tipo carrete

S/3.89

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

107 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

72.5 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

STripFET Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.3 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
7.8 A
8 A
10 A
12 A
16 A
18 A
19 A
20 A
21 A
24 A
25 A
32 A
33 A
35 A

1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms

3.6 nC
6 nC
6.4 nC
6.5 nC
7.8 nC
8 nC
8.7 nC
12 nC
13 nC
14 nC
16 nC
17 nC
20 nC
20.5 nC
22 nC
25 nC
26 nC
27 nC
27.6 nC
28 nC

350 mW
1.6 W
2.4 W
2.6 W
2.9 W
3.2 W
4.8 W
5 W
25 W
30 W
33 W
35 W
40 W
50 W
52 W
55 W
58 W
60 W
62.5 W
70 W