Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

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Resultados: 104

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i

STLD125N4F6AG
STMicroelectronics
1: S/13.51
2,387En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STLD125N4F6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STLD125N4F6AG

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i

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2,387En existencias

Cinta cortada

S/13.51

S/8.84

S/6.15

S/4.98

Envase tipo carrete

S/4.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

STD140N6F7
STMicroelectronics
1: S/9.30
42,066En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD140N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD140N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

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42,066En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.99

S/4.09

S/3.24

Envase tipo carrete

S/2.87

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

STH310N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/24.44
6,584En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH310N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

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6,584En existencias

Cinta cortada

S/24.44

S/16.19

S/11.83

S/10.90

Envase tipo carrete

S/10.90

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 pa

STL7N6F7
STMicroelectronics
1: S/3.46
136,095En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 pa

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136,095En existencias

Cinta cortada

S/3.46

S/2.15

S/1.39

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.825

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-2x2-6

N-Channel

1 Channel

60 V

7 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.4 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package

STB130N6F7
STMicroelectronics
1: S/10.12
1,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB130N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STB130N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package

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1,978En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.54

S/4.48

S/3.56

Envase tipo carrete

S/3.27

S/3.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

160 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK

STB18NF30
STMicroelectronics
1: S/13.55
1,420En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB18NF30

N.º de artículo de Mouser
511-STB18NF30

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK

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1,420En existencias

Cinta cortada

S/13.55

S/8.84

S/6.31

S/5.29

Envase tipo carrete

S/4.87

S/4.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

330 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

STD100N10F7
STMicroelectronics
1: S/12.22
5,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

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Cinta cortada

S/12.22

S/7.36

S/5.33

S/4.44

Envase tipo carrete

S/4.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

120 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i

STD105N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/11.44
3,068En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD105N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD105N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i

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Cinta cortada

S/11.44

S/7.43

S/5.10

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

120 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat

STD10P6F6
STMicroelectronics
1: S/5.68
7,443En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10P6F6

N.º de artículo de Mouser
511-STD10P6F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat

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7,443En existencias

Cinta cortada

S/5.68

S/3.58

S/2.37

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.66

Ver

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

10 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.4 nC

- 55 C

+ 175 C

35 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packa

STD110N8F6
STMicroelectronics
1: S/10.08
5,567En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD110N8F6

N.º de artículo de Mouser
511-STD110N8F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packa

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5,567En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/5.96

S/4.16

S/3.46

Envase tipo carrete

S/2.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep

STD120N4LF6
STMicroelectronics
1: S/11.76
2,617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD120N4LF6

N.º de artículo de Mouser
511-STD120N4LF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep

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2,617En existencias

Cinta cortada

S/11.76

S/7.59

S/5.22

S/4.24

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 100V 0027 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET

STD25N10F7
STMicroelectronics
1: S/6.11
4,894En existencias
5,000Se espera el 9/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
STD25N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD25N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 100V 0027 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET

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4,894En existencias

5,000Se espera el 9/04/2027

Cinta cortada

S/6.11

S/3.85

S/3.01

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET

STD25NF20
STMicroelectronics
1: S/9.42
3,412En existencias
5,000Se espera el 1/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
STD25NF20

N.º de artículo de Mouser
511-STD25NF20

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET

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3,412En existencias

5,000Se espera el 1/09/2026

Cinta cortada

S/9.42

S/5.99

S/4.05

S/3.26

Envase tipo carrete

S/2.56

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI

STD26P3LLH6
STMicroelectronics
1: S/7.32
9,689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD26P3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STD26P3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI

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Hoja de datos

9,689En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.52

S/3.11

S/2.54

Envase tipo carrete

S/1.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

12 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 100V 0013 Ohm typ 45 A Pwr MOSFET

STD45N10F7
STMicroelectronics
1: S/8.33
3,447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD45N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD45N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 100V 0013 Ohm typ 45 A Pwr MOSFET

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Hoja de datos

3,447En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.58

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

45 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII

STD80N10F7
STMicroelectronics
1: S/8.33
2,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII

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Hoja de datos

2,764En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.59

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

85 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET

STD85N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/10.39
2,815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD85N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD85N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET

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Hoja de datos

2,815En existencias

Cinta cortada

S/10.39

S/6.70

S/4.59

S/3.67

S/3.40

Envase tipo carrete

S/3.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

85 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-2AG
STMicroelectronics
1: S/26.31
1,051En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH275N8F7-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH275N8F7-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

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1,051En existencias

Cinta cortada

S/26.31

S/17.63

S/12.81

S/11.95

Envase tipo carrete

S/10.00

S/9.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STH315N10F7-6
STMicroelectronics
1: S/21.06
2,031En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH315N10F7-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH315N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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Hoja de datos

2,031En existencias

Cinta cortada

S/21.06

S/13.97

S/10.47

S/8.87

Envase tipo carrete

S/8.84

S/8.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG

STL100N10F7
STMicroelectronics
1: S/12.61
1,627En existencias
3,000Se espera el 2/09/2026

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STL100N10F7

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511-STL100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG

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Cinta cortada

S/12.61

S/8.14

S/5.68

S/4.59

Envase tipo carrete

S/3.79

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

19 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

STL115N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/13.39
12,000En existencias

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STL115N10F7AG

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

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Cinta cortada

S/13.39

S/8.72

S/6.07

S/4.90

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

107 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

72.5 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL117N4LF7AG
STMicroelectronics
1: S/9.38
4,134En existencias

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STL117N4LF7AG

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511-STL117N4LF7AG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i

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Cinta cortada

S/9.38

S/5.37

S/4.36

S/4.20

Envase tipo carrete

S/2.57

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

27.6 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII

STL130N8F7
STMicroelectronics
1: S/14.44
3,764En existencias

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STL130N8F7

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511-STL130N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII

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Cinta cortada

S/14.44

S/9.42

S/6.58

S/5.37

S/5.33

Envase tipo carrete

S/4.98

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.

STL20N6F7
STMicroelectronics
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9,638En existencias

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STL20N6F7

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511-STL20N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.

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Cinta cortada

S/7.01

S/4.44

S/2.97

S/2.34

Envase tipo carrete

S/1.82

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8

N-Channel

1 Channel

60 V

20 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

STL220N6F7
STMicroelectronics
1: S/13.47
7,824En existencias
6,000Se espera el 23/10/2026

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STL220N6F7

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511-STL220N6F7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

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Cinta cortada

S/13.47

S/8.76

S/6.11

S/4.94

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.52

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

60 V

260 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

STripFET Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.3 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
7.8 A
8 A
10 A
12 A
16 A
18 A
19 A
20 A
21 A
24 A
25 A
32 A
33 A
35 A

1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms

3.6 nC
6 nC
6.4 nC
7.8 nC
8 nC
8.7 nC
12 nC
13 nC
14 nC
16 nC
17 nC
20 nC
20.5 nC
22 nC
25 nC
26 nC
27 nC
27.6 nC
28 nC
29 nC

350 mW
1.6 W
2.4 W
2.6 W
2.9 W
3.2 W
4.8 W
5 W
30 W
33 W
35 W
40 W
50 W
52 W
55 W
58 W
60 W
62.5 W
70 W
72 W