Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive N-/P-Channel SSMx MOSFETs

Toshiba Automotive N- and P-Channel SSMx MOSFETs are available in multiple package styles to cover various automotive applications in 12V to 48V battery systems. The AEC-qualified SSMx MOSFETS benefit from Toshiba's state-of-the-art wafer processes that suppress switching noise. The wafer processes and low resistance allow these MOSFETs to achieve a leading level of low on-resistance. The low resistance contributes to reduced energy loss and miniaturization of applications.

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Resultados: 24

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20

SSM6N62TU,LXHF
Toshiba
1: S/3.39
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SSM6N62TU,LXHF

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757-SSM6N62TULXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20

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S/1.42

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: 3,000

SMD/SMT

UF6-6

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

456 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

2 nC

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET

SSM3K341TU,LXHF
Toshiba
1: S/3.97
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SSM3K341TU,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341TULXHF

Toshiba

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S/3.97

S/2.48

S/1.61

S/1.24

Envase tipo carrete

S/0.965

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SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.3 nC

- 55 C

+ 175 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

SSM3J140TU,LXHF
Toshiba
1: S/3.27
2,980En existencias

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SSM3J140TU,LXHF

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757-SSM3J140TULXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

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S/3.27

S/2.01

S/1.32

S/1.04

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S/0.802

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P-Channel

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET

SSM3K361TU,LXHF
Toshiba
1: S/3.85
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SSM3K361TU,LXHF

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757-SSM3K361TULXHF

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S/3.85

S/2.40

S/1.57

S/1.21

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S/0.915

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UFM-3

N-Channel

1 Channel

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3.5 A

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2.5 V

3.2 nC

- 55 C

+ 175 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.

SSM6J422TU,LXHF
Toshiba
1: S/2.57
8,560En existencias

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SSM6J422TU,LXHF

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757-SSM6J422TULXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.

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S/2.57

S/1.58

S/1.02

S/0.779

Envase tipo carrete

S/0.584

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SMD/SMT

UF6-6

P-Channel

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4 A

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- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

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1 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET

SSM3K341R,LXHF
Toshiba
1: S/4.01
7,462En existencias

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SSM3K341R,LXHF

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757-SSM3K341RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET

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S/4.01

S/2.51

S/1.64

S/1.26

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S/0.981

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SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

9.3 nC

- 55 C

+ 175 C

2.4 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET

SSM3K361R,LXHF
Toshiba
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14,692En existencias
36,000Se espera el 29/05/2026

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SSM3K361R,LXHF

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757-SSM3K361RLXHF

Toshiba

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S/4.20

S/2.62

S/1.71

S/1.32

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S/1.03

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

69 mOhms

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2.5 V

3.2 nC

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+ 175 C

2.4 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET

SSM3J378R,LXHF
Toshiba
1: S/2.41
90,678En existencias

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SSM3J378R,LXHF

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757-SSM3J378RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET

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S/2.41

S/1.49

S/0.954

S/0.72

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S/0.529

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20 V

6 A

29.8 mOhms

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1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A

SSM3J143TU,LXHF
Toshiba
1: S/2.80
828En existencias
3,000Se espera el 12/06/2026

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SSM3J143TU,LXHF

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757-SSM3J143TULXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A

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3,000Se espera el 12/06/2026

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S/2.80

S/1.71

S/1.12

S/0.864

Envase tipo carrete

S/0.642

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1 Channel

20 V

5.5 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A U

SSM3J145TU,LXHF
Toshiba
1: S/2.06
6,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J145TU,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J145TULXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A U

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S/2.06

S/1.27

S/0.806

S/0.607

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S/0.455

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: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3 A

103 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Vds:-60 V Vgss:+10/-20V Id:

SSM3J168F,LXHF
Toshiba
1: S/2.53
7,203En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J168F,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J168FLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Vds:-60 V Vgss:+10/-20V Id:

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S/2.53

S/1.56

S/1.00

S/0.755

Envase tipo carrete

S/0.541

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

S-Mini-3

P-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

2 Ohms

- 20 V, 10 V

2 V

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+ 150 C

1.2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET

SSM3J372R,LXHF
Toshiba
1: S/2.41
8,736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J372R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J372RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET

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S/2.41

S/1.49

S/0.954

S/0.72

Envase tipo carrete

S/0.545

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

30 V

6 A

42 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

8.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A

SSM3J374R,LXHF
Toshiba
1: S/2.18
2,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J374R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J374RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A

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S/2.18

S/1.35

S/0.856

S/0.646

Envase tipo carrete

S/0.487

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

30 V

4 A

71 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

5.9 nC

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET

SSM3J375F,LXHF
Toshiba
1: S/1.63
4,824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J375F,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J375FLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET

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S/1.63

S/1.12

S/0.728

S/0.545

Envase tipo carrete

S/0.397

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

S-Mini-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2 A

150 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET

SSM3J377R,LXHF
Toshiba
1: S/1.83
8,568En existencias
12,000Se espera el 29/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J377R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET

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S/1.83

S/1.11

S/0.708

S/0.529

Envase tipo carrete

S/0.385

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W

SSM3K376R,LXHF
Toshiba
1: S/2.02
5,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K376R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K376RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W

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S/2.02

S/1.25

S/0.802

S/0.599

Envase tipo carrete

S/0.44

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4 A

56 mOhms

- 8 V, 12 V

1 V

2.2 nC

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2

SSM3K62TU,LXHF
Toshiba
1: S/2.18
5,174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K62TU,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2

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S/2.18

S/1.35

S/0.856

S/0.646

Envase tipo carrete

S/0.572

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

57 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

2 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss

SSM3K7002KFU,LXH
Toshiba
1: S/1.32
6,717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K7002KFU,LXH

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K7002KFULXH

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss

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S/1.32

S/0.806

S/0.506

S/0.374

Envase tipo carrete

S/0.269

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

USM-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.75 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

390 pC

+ 150 C

700 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET

SSM3J356R,LXHF
Toshiba
1: S/2.53
37En existencias
9,000Se espera el 30/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J356R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J356RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET

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9,000Se espera el 30/10/2026

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S/2.53

S/1.56

S/1.00

S/0.755

Envase tipo carrete

S/0.673

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2 A

360 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min

SSM3K7002KF,LXHF
Toshiba
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19,158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K7002KF,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K7002KFLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min

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S/1.40

S/0.86

S/0.541

S/0.401

Envase tipo carrete

S/0.296

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

S-Mini-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.75 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

+ 150 C

900 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET

SSM3J351R,LXHF
Toshiba
1: S/3.81
108,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J351R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J351RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET

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S/3.81

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S/1.55

S/1.19

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S/0.923

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

3.5 A

164 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A S

SSM3J371R,LXHF
Toshiba
1: S/2.02
3,000Se espera el 29/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J371R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J371RLXHF

Toshiba

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S/2.02

S/1.25

S/0.802

S/0.599

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S/0.44

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

55 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

10.4 nC

+ 175 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected

SSM6N7002KFU,LXH
Toshiba
1: S/1.67
4,391Se espera el 14/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N7002KFU,LXH

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N7002KFULXH

Toshiba

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S/1.67

S/1.03

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S/0.487

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S/0.362

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

US6-6

N-Channel

1 Channel

60 V

300 mA

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

390 pC

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A

SSM3J144TU,LXHF
Toshiba
1: S/2.14
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SSM3J144TU,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J144TULXHF

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S/1.32

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S/0.467

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.7 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Automotive N-/P-Channel SSMx MOSFETs

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