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NTBG040N120M3S

Name: onsemi NTBG040N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG040N120M3S
Price: 40.95 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTBG040N120M3S

Fabricante N.º:

NTBG040N120M3S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3

Hoja de datos:

NTBG040N120M3S Hoja de datos

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	S/40.95	S/40.95
	S/28.61	S/286.10
	S/23.47	S/2,347.00
	S/22.03	S/11,015.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	S/22.03	S/17,624.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	51 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	52 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.4 V
Qg - Carga de puerta:	70 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	329 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	13 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	16 ns
Serie:	NTBG040N120M3S
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	24 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC MOSFET

onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC (Silicon Carbide) MOSFET is optimized for fast switching applications and offers a low 22mΩ drain-to-source on-resistance. The M3S Series SiC MOSFETs provide optimum performance when driven with an 18V gate drive but also work well with a 15V gate drive. This device features planar technology, which works reliably with a negative gate voltage drive and turns off spikes on the gate.