Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

NVTFS4C13NETAG
onsemi
1: S/3.74
2,220En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C13NETAG

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863-NVTFS4C13NETAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

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2,220En existencias

Cinta cortada

S/3.74

S/2.34

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.52

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

14 A

9.4 mOhms

20 V

2.1 V

15.2 nC

- 55 C

+ 175 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLWFHT3G
onsemi
1: S/16.00
5,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLWFHT3G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C404NLWFHT3G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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5,000En existencias

Cinta cortada

S/16.00

S/8.14

S/7.36

S/6.11

Envase tipo carrete

S/6.11

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500

: 5,000

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

670 uOhms

20 V

2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C628NLET1G-YE
onsemi
1: S/9.58
2,858En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NLET1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C628NLET1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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2,858En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/6.15

S/4.20

Envase tipo carrete

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

2.4 mOhms

20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.67 MOHMS LL

NVMFS5C404NLET1G
onsemi
1: S/16.97
1,252En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NLET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.67 MOHMS LL

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Cinta cortada

S/16.97

S/11.09

S/8.29

Envase tipo carrete

S/8.29

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

670 uOhms

20 V

2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 2 MOHMS LL

NVMFS5C423NLET1G
onsemi
1: S/7.24
3,000En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C423NLET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C423NLET1G

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 2 MOHMS LL

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Cinta cortada

S/7.24

S/4.63

S/3.09

Envase tipo carrete

S/3.09

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

2 mOhms

20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C410NWFAFT1G-TK
onsemi
1: S/12.96
1,500En existencias
Nuevo producto

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NVMFS5C410NWFAFT1G-TK

N.º de artículo de Mouser
863-S5C410NWFAFT1GTK

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Cinta cortada

S/12.96

S/8.41

S/5.80

Envase tipo carrete

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

9.2 mOhms

20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.7 MOHMS SL

NVMFS5C404NWFHT1G
onsemi
1: S/16.08
1,500En existencias
Nuevo producto

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NVMFS5C404NWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS5C404NWFHT1G

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.7 MOHMS SL

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Cinta cortada

S/16.08

S/10.51

S/7.86

Envase tipo carrete

S/7.86

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

378 A

700 uOhms

20 V

4 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C410NWFHT1G
onsemi
1: S/12.73
1,384En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C410NWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS5C410NWFHT1G

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Cinta cortada

S/12.73

S/8.25

S/5.72

Envase tipo carrete

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

920 uOhms

20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 30V 1.2 MOHM PQFN56MP

NTMFD001N03P9
onsemi
1: S/11.72
2,917En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFD001N03P9

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFD001N03P9

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 30V 1.2 MOHM PQFN56MP

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2,917En existencias

Cinta cortada

S/11.72

S/7.59

S/5.22

S/4.20

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

2 Channel

30 V

57 A, 165 A

- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V

3 V

7.9 nC, 43 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W, 41 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C466NLT1G
onsemi
1: S/11.76
27,865En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C466NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C466NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

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27,865En existencias

Cinta cortada

S/11.76

S/7.63

S/5.25

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

52 A

6.2 mOhms, 6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

NVMFS4C301NWFET1G
onsemi
1: S/14.95
1,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C301NWFET1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS4C301NWFET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

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1,500En existencias

Cinta cortada

S/14.95

S/9.77

S/7.08

Envase tipo carrete

S/7.08

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

NVMFS5C442NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/6.31
906En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C442NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

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906En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/2.67

S/2.10

Envase tipo carrete

S/2.10

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

2.5 mOhms

20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C628NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/9.42
1,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C628NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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1,500En existencias

Cinta cortada

S/9.42

S/6.07

S/4.13

Envase tipo carrete

S/4.13

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

2.4 mOhms

20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C673NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/6.89
1,360En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C673NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C673NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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1,360En existencias

Cinta cortada

S/6.89

S/4.24

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.81

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

9.2 mOhms

20 V

2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SO8FL

NVMFS5C410NLWFHT1G
onsemi
1: S/12.73
1,169En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C410NLWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C410NLWFHT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SO8FL

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Hoja de datos

1,169En existencias

Cinta cortada

S/12.73

S/8.25

S/5.72

Envase tipo carrete

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

330 A

820 uOhms

20 V

2 V

143 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C423NLWFHT1G
onsemi
1: S/8.41
1,484En existencias
1,500Se espera el 19/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C423NLWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C423NLWFHT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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Hoja de datos

1,484En existencias

1,500Se espera el 19/08/2026

Cinta cortada

S/8.41

S/4.40

S/3.46

Envase tipo carrete

S/3.46

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

2 mOhms

20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C430NLWFHT1G
onsemi
1: S/9.34
1,432En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C430NLWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C430NLWFHT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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1,432En existencias

Cinta cortada

S/9.34

S/5.92

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.97

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.4 mOhms

20 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

NVMFS5C442NLET1G-YE
onsemi
1: S/7.40
1,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NLET1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C442NLET1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

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Hoja de datos

1,500En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/4.63

S/3.06

Envase tipo carrete

S/3.06

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

2.5 mOhms

20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL S08FL

NVMFS5C450NLWFET1G
onsemi
1: S/7.98
1,981En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C450NLWFET1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C450NLWFET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL S08FL

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Hoja de datos

1,981En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/4.90

S/3.25

Envase tipo carrete

S/3.25

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

110 A

2.8 mOhms

20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL S08FL

NVMFS5C450NLWFHT1G
onsemi
1: S/6.46
1,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C450NLWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C450NLWFHT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL S08FL

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Hoja de datos

1,500En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/3.06

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.72

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

110 A

2.8 mOhms

20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVMFS5C456NLWFET1G
onsemi
1: S/5.88
1,483En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NLWFET1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C456NLWFET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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Hoja de datos

1,483En existencias

Cinta cortada

S/5.88

S/3.70

S/2.45

Envase tipo carrete

S/2.45

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

3.7 mOhms

20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVMFS5C456NLWFHT1G
onsemi
1: S/8.17
1,470En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NLWFHT1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C456NLWFHT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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1,470En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/5.22

S/3.52

Envase tipo carrete

S/3.52

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

3.7 mOhms

20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C460NLET1G-YE
onsemi
1: S/5.61
1,055En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C460NLET1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C460NLET1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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1,055En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/3.52

S/2.33

Envase tipo carrete

S/2.33

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

78 A

4.5 mOhms

20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C460NLWFET1G
onsemi
1: S/5.61
2,722En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C460NLWFET1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C460NLWFET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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2,722En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/2.63

S/2.34

Envase tipo carrete

S/2.34

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

78 A

4.5 mOhms

20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

NVMFS5C646NLET1G-YE
onsemi
1: S/8.68
1,412En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C646NLET1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C646NLET1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

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Cinta cortada

S/8.68

S/5.45

S/3.59

Envase tipo carrete

S/3.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

93 A

4.7 mOhms

20 V

2 V

33.7 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W