Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

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Resultados: 451

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 38A 9.1MOH

NTMFS4C13NT1G
onsemi
1: S/4.36
3,099En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4C13NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4C13NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 38A 9.1MOH

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Hoja de datos

3,099En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/2.72

S/1.83

S/1.42

S/1.20

Envase tipo carrete

S/1.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

30 V

38 A

9.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15.2 nC

- 55 C

+ 150 C

5.32 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 30V NCH U8FL

NTTFS4C02NTAG
onsemi
1: S/4.40
5,572En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS4C02NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS4C02NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 30V NCH U8FL

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Hoja de datos

5,572En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.12

S/1.50

S/1.23

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.969

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

170 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

91 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C423NLAFT1G
onsemi
1: S/12.92
729En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C423NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C423NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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Hoja de datos

729En existencias

Cinta cortada

S/12.92

S/8.37

S/5.80

S/4.83

S/4.44

Envase tipo carrete

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH

NVMTS0D7N04CTXG
onsemi
1: S/41.18
1,877En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS0D7N04CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS0D7N04CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH

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Hoja de datos

1,877En existencias

Cinta cortada

S/41.18

S/28.34

S/21.64

S/20.44

Envase tipo carrete

S/20.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

433 A

630 uOhms

- 20 V, 20 V

1 V

205 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C486NLT4G
onsemi
1: S/9.42
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C486NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C486NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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Hoja de datos

5,000En existencias

Cinta cortada

S/9.42

S/6.07

S/4.13

S/3.28

S/3.02

Envase tipo carrete

S/2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

24 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9.8 nC

- 55 C

+ 175 C

18 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C466NT1G
onsemi
1: S/11.25
1,307En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C466NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C466NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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Hoja de datos

1,307En existencias

Cinta cortada

S/11.25

S/7.28

S/5.02

S/4.05

S/3.78

Envase tipo carrete

S/3.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL

NVMFS5C466NLT1G
onsemi
1: S/8.87
1,746En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C466NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C466NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL

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Hoja de datos

1,746En existencias

Cinta cortada

S/8.87

S/5.61

S/3.80

S/3.25

Envase tipo carrete

S/2.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM

NTTFS4C50NTAG
onsemi
1: S/10.28
1,330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS4C50NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS4C50NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM

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1,330En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/6.66

S/4.55

S/3.67

Envase tipo carrete

S/3.61

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

25 V

22.4 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

2.66 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO

NTMFS5C442NLT1G
onsemi
1: S/8.06
1,346En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C442NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C442NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO

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1,346En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/4.24

S/3.14

S/2.70

S/2.26

Envase tipo carrete

S/2.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

3.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C478NLT4G
onsemi
1: S/10.94
1,710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C478NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C478NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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Hoja de datos

1,710En existencias

Cinta cortada

S/10.94

S/7.01

S/4.79

S/4.05

S/3.60

Envase tipo carrete

S/3.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

45 A

7.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NWFT1G
onsemi
1: S/19.31
749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

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Hoja de datos

749En existencias

Cinta cortada

S/19.31

S/11.95

S/9.07

S/7.90

S/7.43

Envase tipo carrete

S/7.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

NVTFS4C02NTAG
onsemi
1: S/11.76
948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C02NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C02NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

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Hoja de datos

948En existencias

Cinta cortada

S/11.76

S/7.51

S/5.53

S/4.71

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

162 A

2.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

3.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

NVMFS4C01NWFT1G
onsemi
1: S/19.46
1,363En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C01NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS4C01NWFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

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Hoja de datos

1,363En existencias

Cinta cortada

S/19.46

S/14.13

S/11.21

S/10.20

S/9.61

Envase tipo carrete

S/9.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel

NVMJS1D5N04CLTWG
onsemi
1: S/10.20
2,965En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMJS1D5N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMJS1D5N04CLTWG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel

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Hoja de datos

2,965En existencias

Cinta cortada

S/10.20

S/6.27

S/4.48

S/3.74

S/3.32

Envase tipo carrete

S/3.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-8

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C456NT1G
onsemi
1: S/9.03
1,474En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C456NT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN

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Hoja de datos

1,474En existencias

Cinta cortada

S/9.03

S/5.45

S/3.86

S/3.19

S/2.75

Envase tipo carrete

S/2.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

NVMFS4C05NWFT1G
onsemi
1: S/8.37
2,898En existencias
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C05NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS4C05NWFT1G

Pedido especial de fábrica

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

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Hoja de datos

2,898En existencias

Cinta cortada

S/8.37

S/5.88

S/4.44

S/3.77

S/3.32

Envase tipo carrete

S/3.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

30 V

116 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

3.61 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

NVMFS4C03NT1G
onsemi
1: S/11.95
1,000En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C03NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS4C03NT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

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Hoja de datos

1,000En existencias

Cinta cortada

S/11.95

S/7.36

S/5.57

S/4.67

S/4.13

Envase tipo carrete

S/4.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

30 V

159 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

45.2 nC

- 55 C

+ 175 C

77 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C628NLAFT1G
onsemi
1: S/16.58
697En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NLFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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Hoja de datos

697En existencias

Cinta cortada

S/16.58

S/10.90

S/7.67

S/6.70

S/6.03

Envase tipo carrete

S/6.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM

NVTFS4C06NTAG
onsemi
1: S/9.34
1,500En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C06NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C06NTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM

Obtenga más información

Hoja de datos

1,500En existencias

Cinta cortada

S/9.34

S/4.75

S/3.70

S/3.29

Envase tipo carrete

S/2.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

71 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

NVMYS5D3N04CTWG
onsemi
1: S/6.70
2,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS5D3N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS5D3N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

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Hoja de datos

2,970En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.05

S/2.82

S/2.31

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.86

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVTFS020N06CTAG
onsemi
1: S/7.32
1,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS020N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS020N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

1,485En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.67

S/3.12

S/2.46

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.99

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

20.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.8 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVTFS024N06CTAG
onsemi
1: S/7.16
1,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS024N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS024N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

1,497En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.04

S/2.40

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

WDFN-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C460NT1G
onsemi
1: S/8.99
1,521En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C460NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C460NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 MOHM T6 S08FL SIN

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1,521En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/5.76

S/3.93

S/3.11

S/2.60

Envase tipo carrete

S/2.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL

NVMFWD027N10MCLT1G
onsemi
1: S/9.65
1,155En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWD027N10MCLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFWD027N10MCLT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL

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1,155En existencias

Cinta cortada

S/9.65

S/6.11

S/4.13

Envase tipo carrete

S/4.13

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

2 Channel

100 V

28 A

26 mOhms

20 V

3 V

5.5 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

NVTFS4C13NETAG
onsemi
1: S/3.74
2,220En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C13NETAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C13NETAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

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2,220En existencias

Cinta cortada

S/3.74

S/2.34

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.52

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

14 A

9.4 mOhms

20 V

2.1 V

15.2 nC

- 55 C

+ 175 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W