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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NAFT1G
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NVMFS5C404NAFT1G

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863-NVMFS5C404NAFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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S/11.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO

NVMFS4C01NWFT1G
onsemi
1: S/15.96
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NVMFS4C01NWFT1G

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863-NVMFS4C01NWFT1G

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S/9.69

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S/7.90

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

NVTFS4C13NWFTWG
onsemi
1: S/5.25
5,000En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C13NWFTWG

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863-NVTFS4C13NWFTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

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S/5.25

S/4.05

S/2.83

S/2.45

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S/1.88

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi
1: S/15.73
10,243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS5C420NLWFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

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S/15.73

S/9.93

S/7.94

S/7.47

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S/6.34

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

NTMFS5C677NLT1G
onsemi
1: S/3.39
845En existencias

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NTMFS5C677NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C677NLT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

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S/3.39

S/2.41

S/1.88

S/1.56

S/1.50

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S/0.763

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

NTMFS0D6N03CT1G
onsemi
1: S/11.13
4,334En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D6N03CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D6N03CT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

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S/4.98

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET

NTMFS5C430NT1G
onsemi
1: S/2.72
2,355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C430NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C430NT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET

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S/2.72

S/2.30

S/1.95

S/1.69

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S/1.49

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

NVTFS5C658NLWFTAG
onsemi
1: S/8.14
1,399En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C658NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C658NWFTAG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

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S/8.14

S/5.64

S/4.20

S/3.27

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

NVTFWS008N04CTAG
onsemi
1: S/7.28
1,400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS008N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS008N04CTAG

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S/7.28

S/4.98

S/3.34

S/2.64

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S/2.18

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C446NT1G
onsemi
1: S/17.09
1,356En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C446NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C446NT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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S/17.09

S/11.41

S/8.91

S/8.68

S/8.17

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S/7.36

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C423NLAFT1G
onsemi
1: S/8.68
760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C423NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C423NLFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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S/8.68

S/6.66

S/4.79

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.61

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH

NVMTS0D7N04CTXG
onsemi
1: S/37.10
1,891En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS0D7N04CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS0D7N04CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH

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S/37.10

S/25.50

S/20.59

S/20.55

S/18.92

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S/16.78

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVTFWS030N06CTAG
onsemi
1: S/5.72
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS030N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS030N06CTAG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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S/5.72

S/3.81

S/2.68

S/2.22

Envase tipo carrete

S/1.74

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Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 49A 8.1Ohm Single N-Channel

NTMYS8D0N04CTWG
onsemi
1: S/7.01
3,020En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS8D0N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS8D0N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 49A 8.1Ohm Single N-Channel

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S/7.01

S/4.90

S/3.35

S/2.61

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.98

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NTTFS004N04CTAG
onsemi
1: S/2.65
4,438En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS004N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS004N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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4,438En existencias

Cinta cortada

S/2.65

S/2.06

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.716

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NT1G
onsemi
1: S/13.97
1,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

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1,497En existencias

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S/13.97

S/9.42

S/7.24

S/7.01

S/6.34

Envase tipo carrete

S/5.68

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C442NWFAFT1G
onsemi
1: S/7.71
1,448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C442NWAT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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1,448En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/5.99

S/4.36

S/3.88

Envase tipo carrete

S/3.25

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

NVMYS011N04CTWG
onsemi
1: S/3.08
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS011N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS011N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

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3,000En existencias

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S/3.08

S/2.99

S/2.18

S/1.74

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.28

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO

NTMFS5C442NLT1G
onsemi
1: S/2.57
1,384En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C442NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C442NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO

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1,384En existencias

Cinta cortada

S/2.57

S/2.56

S/2.35

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.89

S/1.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C460NT1G
onsemi
1: S/6.34
1,521En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C460NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C460NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 MOHM T6 S08FL SIN

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1,521En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.87

S/3.48

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.25

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

NVTFS4C02NTAG
onsemi
1: S/8.17
1,009En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C02NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C02NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

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1,009En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/6.15

S/5.02

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.71

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.0 Ohm 142A Single N-Channel

NVTFWS002N04CLTAG
onsemi
1: S/7.59
1,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS002N04CLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS002N04CLTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.0 Ohm 142A Single N-Channel

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Cinta cortada

S/7.59

S/5.88

S/4.24

S/3.82

S/3.42

Envase tipo carrete

S/3.12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM

NTTFS4C50NTAG
onsemi
1: S/10.59
1,355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS4C50NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS4C50NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM

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1,355En existencias

Cinta cortada

S/10.59

S/6.85

S/4.71

S/3.81

Envase tipo carrete

S/3.23

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NLWFT1G
onsemi
1: S/8.99
978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C478NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C478NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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978En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/5.88

S/4.05

S/3.23

S/3.01

Envase tipo carrete

S/2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NVMJS1D7N04CTWG
onsemi
1: S/6.89
9,354En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMJS1D7N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMJS1D7N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

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9,354En existencias

Cinta cortada

S/6.89

S/5.37

S/3.79

S/3.36

Envase tipo carrete

S/2.81

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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