Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

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Resultados: 451

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C688NLT4G
onsemi
1: S/10.04
9,977En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C688NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C688NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

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Hoja de datos

9,977En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/6.42

S/4.40

S/3.73

S/3.30

Envase tipo carrete

S/3.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

17 A

22.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

18 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL

NVMFD5C668NLT1G
onsemi
1: S/19.31
1,855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C668NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C668NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL

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Hoja de datos

1,855En existencias

Cinta cortada

S/19.31

S/12.65

S/9.42

S/7.90

Envase tipo carrete

S/6.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

68 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

21.3 nC

- 55 C

+ 175 C

57.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
onsemi
1: S/17.83
6,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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Hoja de datos

6,822En existencias

Cinta cortada

S/17.83

S/11.68

S/8.72

S/7.28

Envase tipo carrete

S/6.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVTFS016N06CTAG
onsemi
1: S/7.82
5,560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS016N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS016N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

5,560En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/4.98

S/3.35

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.31

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

NVTFS5C454NLWFTAG
onsemi
1: S/9.89
3,159En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C454NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C454NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

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Hoja de datos

3,159En existencias

Cinta cortada

S/9.89

S/5.92

S/4.20

S/3.53

S/3.06

Envase tipo carrete

S/3.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFWS015N04CTAG
onsemi
1: S/7.59
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS015N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS015N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.87

S/3.25

S/2.57

S/2.09

Envase tipo carrete

S/2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

27 A

17.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.3 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NAFT1G
onsemi
1: S/31.57
1,358En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NAFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Hoja de datos

1,358En existencias

Cinta cortada

S/31.57

S/21.41

S/15.65

S/14.36

Envase tipo carrete

S/14.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

378 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W, 200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL

NVTFS5C453NLTAG
onsemi
1: S/10.08
3,665En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL

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Hoja de datos

3,665En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/6.46

S/4.40

S/3.74

Envase tipo carrete

S/3.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

107 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

NVMYS3D3N06CLTWG
onsemi
1: S/9.89
5,850En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS3D3N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS3D3N06CLTWG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

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5,850En existencias

Cinta cortada

S/9.89

S/5.92

S/4.28

S/3.53

S/3.25

Envase tipo carrete

S/3.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

133 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40.7 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM

NVTFS4C06NTWG
onsemi
1: S/9.34
4,989En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C06NTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C06NTWG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM

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Hoja de datos

4,989En existencias

Cinta cortada

S/9.34

S/6.31

S/4.28

S/3.44

Ver

Envase tipo carrete

S/2.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

71 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

NVTFS5C466NLTAG
onsemi
1: S/8.45
2,731En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C466NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C466NLTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

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Hoja de datos

2,731En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/5.33

S/3.62

S/3.10

Envase tipo carrete

S/2.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

51 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C468NLWFAFT1G
onsemi
1: S/9.58
1,144En existencias
3,000Se espera el 12/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C468NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C468NLWFA1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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Hoja de datos

1,144En existencias

3,000Se espera el 12/04/2027

Cinta cortada

S/9.58

S/6.11

S/4.13

S/3.32

Envase tipo carrete

S/2.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

37 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

7.3 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

NTMFS5C677NLT1G
onsemi
1: S/4.05
583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C677NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C677NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

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Hoja de datos

583En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.86

S/1.78

S/1.35

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

3.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

NVTFS008N04CTAG
onsemi
1: S/8.99
943En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS008N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS008N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

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Hoja de datos

943En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/5.64

S/3.70

S/2.93

S/2.24

Envase tipo carrete

S/2.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

WDFN-8

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C460NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/6.27
16En existencias
6,000Se espera el 24/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C460NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-S5C460NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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Hoja de datos

16En existencias

6,000Se espera el 24/08/2026

Cinta cortada

S/6.27

S/3.97

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.44

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

78 A

4.5 mOhms

20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NLWFT1G
onsemi
1: S/10.55
613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C478NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C478NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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Hoja de datos

613En existencias

Cinta cortada

S/10.55

S/6.77

S/4.63

S/3.93

S/3.14

Envase tipo carrete

S/3.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

29 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO

NTMFS5C442NLT1G
onsemi
1: S/8.06
1,346En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C442NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C442NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO

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Hoja de datos

1,346En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/4.24

S/3.14

S/2.70

S/2.26

Envase tipo carrete

S/2.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

3.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C478NLT4G
onsemi
1: S/10.94
1,710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C478NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C478NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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Hoja de datos

1,710En existencias

Cinta cortada

S/10.94

S/7.01

S/4.79

S/4.05

S/3.60

Envase tipo carrete

S/3.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

45 A

7.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NWFT1G
onsemi
1: S/19.31
749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

Obtenga más información

Hoja de datos

749En existencias

Cinta cortada

S/19.31

S/11.95

S/9.07

S/7.90

S/7.43

Envase tipo carrete

S/7.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

NVTFS4C02NTAG
onsemi
1: S/11.76
948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C02NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C02NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

948En existencias

Cinta cortada

S/11.76

S/7.51

S/5.53

S/4.71

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

162 A

2.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

3.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 38A 9.1MOH

NTMFS4C13NT1G
onsemi
1: S/4.36
3,099En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4C13NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4C13NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 38A 9.1MOH

Obtenga más información

Hoja de datos

3,099En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/2.72

S/1.83

S/1.42

S/1.20

Envase tipo carrete

S/1.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

30 V

38 A

9.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15.2 nC

- 55 C

+ 150 C

5.32 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 30V NCH U8FL

NTTFS4C02NTAG
onsemi
1: S/4.40
5,572En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS4C02NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS4C02NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 30V NCH U8FL

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5,572En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.12

S/1.50

S/1.23

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.969

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

170 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

91 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C423NLAFT1G
onsemi
1: S/12.92
729En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C423NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C423NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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729En existencias

Cinta cortada

S/12.92

S/8.37

S/5.80

S/4.83

S/4.44

Envase tipo carrete

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH

NVMTS0D7N04CTXG
onsemi
1: S/41.18
1,877En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS0D7N04CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS0D7N04CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH

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1,877En existencias

Cinta cortada

S/41.18

S/28.34

S/21.64

S/20.44

Envase tipo carrete

S/20.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

433 A

630 uOhms

- 20 V, 20 V

1 V

205 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel

NTMYS025N06CLTWG
onsemi
1: S/8.95
1,853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS025N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS025N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel

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1,853En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.61

S/3.69

S/2.92

S/2.60

Envase tipo carrete

S/2.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.7 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W