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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL U8FL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL U8FL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NTMFS5C673NT1G
onsemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL IN DPAK

NVD5C434NT4G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C462NT1G
onsemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C426NWFAFT1G
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NVMFS5C426NWFAFT1G

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863-NVMFS5C426NWAT1G

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S/7.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C430NLAFT1G
onsemi
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NVMFS5C430NLAFT1G

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863-NVMFS5C430NLFT1G

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S/6.11

S/5.29

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH

NTMTS0D7N04CTXG
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1: S/12.30
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NTMTS0D7N04CTXG

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863-NTMTS0D7N04CTXG

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S/9.50

S/6.62

S/5.84

S/4.87

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel

NTMYS7D3N04CLTWG
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NTMYS7D3N04CLTWG

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863-NTMYS7D3N04CLTWG

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S/4.16

S/3.41

S/3.11

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C632NLT4G
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NVD5C632NLT4G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C410NLWFAFT1G
onsemi
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NVMFS5C410NLWFAFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C430NAFT1G
onsemi
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NVMFS5C430NAFT1G

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863-NVMFS5C430NAFT1G

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S/5.80

S/4.98

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S/4.01

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFS003N04CTAG
onsemi
1: S/8.10
5,653En existencias

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NVTFS003N04CTAG

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863-NVTFS003N04CTAG

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S/8.10

S/5.22

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S/3.25

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S/2.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH

NTMFS4C05NT1G
onsemi
1: S/3.08
15,128En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4C05NT1G

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863-NTMFS4C05NT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH

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S/3.08

S/1.92

S/1.24

S/0.946

Envase tipo carrete

S/0.802

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 373A 750MO

NTMFS5C404NLT1G
onsemi
1: S/8.17
3,686En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C404NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C404NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 373A 750MO

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S/8.17

S/7.98

S/7.12

S/6.54

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S/5.53

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel

NTMYS2D4N04CTWG
onsemi
1: S/7.82
2,935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS2D4N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS2D4N04CTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel

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S/7.82

S/5.25

S/3.93

S/3.54

S/3.47

Envase tipo carrete

S/2.45

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVMFS5C450NLWFAFT1G
onsemi
1: S/7.82
3,499En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C450NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C450NLWFA1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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S/7.82

S/6.07

S/4.59

S/3.71

Envase tipo carrete

S/3.26

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
onsemi
1: S/13.70
6,926En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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S/13.70

S/8.72

S/7.01

S/6.46

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Envase tipo carrete

S/5.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C670NWFT1G
onsemi
1: S/10.39
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C670NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C670NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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S/10.39

S/7.12

S/5.06

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.53

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC1D6N06CL
onsemi
1: S/28.14
2,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC1D6N06CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC1D6N06CL

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S/28.14

S/18.53

S/15.61

S/15.49

S/14.25

Envase tipo carrete

S/12.77

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVTFS016N06CTAG
onsemi
1: S/6.85
6,160En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS016N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS016N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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S/6.85

S/4.44

S/2.97

S/2.43

S/2.42

Envase tipo carrete

S/2.01

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH

NTMFS4C55NT1G
onsemi
1: S/1.28
15,498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4C55NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4C55NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH

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S/1.28

S/1.27

Envase tipo carrete

S/0.973

S/0.794

S/0.736

S/0.572

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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION

NTMTS0D6N04CTXG
onsemi
1: S/16.82
2,342En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS0D6N04CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS0D6N04CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION

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S/16.82

S/11.25

S/8.06

S/7.40

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Envase tipo carrete

S/5.92

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C410NWFAFT1G
onsemi
1: S/19.11
805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C410NWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C410NWT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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805En existencias

Cinta cortada

S/19.11

S/14.87

S/10.67

S/10.43

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Envase tipo carrete

S/8.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET TOLL 60V 1.0MO

NVBLS001N06C
onsemi
1: S/36.63
4,440En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS001N06C

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS001N06C

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET TOLL 60V 1.0MO

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4,440En existencias

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S/36.63

S/31.72

S/24.60

S/23.74

Envase tipo carrete

S/23.24

Presupuesto

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NVMYS1D3N04CTWG
onsemi
1: S/10.00
2,069En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS1D3N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS1D3N04CTWG

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

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S/10.00

S/7.05

S/5.06

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.50

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Carrete: 3,000

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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