Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

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Resultados: 451

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

NTMYS014N06CLTWG
onsemi
1: S/8.95
2,855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS014N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS014N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

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Hoja de datos

2,855En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.61

S/3.69

S/2.93

S/2.80

Envase tipo carrete

S/2.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NTTFS5C460NLTAG
onsemi
1: S/4.20
8,164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS5C460NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS5C460NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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Hoja de datos

8,164En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.60

S/1.71

S/1.34

Envase tipo carrete

S/1.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

74 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C470NT1G
onsemi
1: S/11.91
2,864En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C470NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C470NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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Hoja de datos

2,864En existencias

Cinta cortada

S/11.91

S/7.71

S/5.29

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

36 A

11.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C672NLWFT1G
onsemi
1: S/13.66
4,195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C672NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C672NLWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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Hoja de datos

4,195En existencias

Cinta cortada

S/13.66

S/8.84

S/6.11

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.44

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

49 A

9.8 mOhms, 9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12.3 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NT1G
onsemi
1: S/19.31
1,447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

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Hoja de datos

1,447En existencias

Cinta cortada

S/19.31

S/12.65

S/9.42

S/7.90

Envase tipo carrete

S/6.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

NVMFS5C468NWFT1G
onsemi
1: S/8.72
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C468NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C468NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/8.72

S/5.57

S/3.77

S/3.00

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04C
onsemi
1: S/28.96
2,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04C

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

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Hoja de datos

2,792En existencias

Cinta cortada

S/28.96

S/19.58

S/14.25

S/13.58

S/12.69

Envase tipo carrete

S/12.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

313 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL SO8FL DUAL

NTMFD5C680NLT1G
onsemi
1: S/5.45
11,738En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFD5C680NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFD5C680NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL SO8FL DUAL

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Hoja de datos

11,738En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/3.36

S/2.21

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.35

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

26 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

19 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLWFAFT1G
onsemi
1: S/38.96
1,433En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NWAT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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1,433En existencias

Cinta cortada

S/38.96

S/25.26

S/20.51

S/20.12

S/19.15

Envase tipo carrete

S/19.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVMFS5C456NLAFT1G
onsemi
1: S/10.00
13,211En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C456NLAF1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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Hoja de datos

13,211En existencias

Cinta cortada

S/10.00

S/6.42

S/4.40

S/3.70

Envase tipo carrete

S/3.10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

NVMFS5C646NLAFT1G
onsemi
1: S/12.57
1,597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C646NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C646NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

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Hoja de datos

1,597En existencias

Cinta cortada

S/12.57

S/8.17

S/5.64

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

93 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

33.7 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C670NT1G
onsemi
1: S/10.78
1,962En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C670NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C670NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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Hoja de datos

1,962En existencias

Cinta cortada

S/10.78

S/6.97

S/4.75

S/3.85

Envase tipo carrete

S/3.61

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

71 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION

NTMTS001N06CLTXG
onsemi
1: S/17.71
2,972En existencias
3,000Se espera el 31/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS001N06CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS001N06CLTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION

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Hoja de datos

2,972En existencias

3,000Se espera el 31/08/2026

Cinta cortada

S/17.71

S/11.68

S/8.25

S/7.01

Envase tipo carrete

S/6.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

Power-88-8

N-Channel

1 Channel

60 V

398.2 A

810 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

165 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH

NTMTS0D7N04CTXG
onsemi
1: S/16.66
1,581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS0D7N04CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS0D7N04CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH

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Hoja de datos

1,581En existencias

Cinta cortada

S/16.66

S/10.98

S/7.71

S/6.27

S/6.07

Envase tipo carrete

S/6.03

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFNW-8

N-Channel

1 Channel

40 V

420 A

670 uOhms

- 20 V, 20 V

4 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel

NTMYS7D3N04CLTWG
onsemi
1: S/8.76
4,007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS7D3N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS7D3N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel

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Hoja de datos

4,007En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.57

S/3.74

S/3.03

Envase tipo carrete

S/2.62

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C632NLT4G
onsemi
1: S/21.53
1,684En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C632NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C632NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

Obtenga más información

Hoja de datos

1,684En existencias

Cinta cortada

S/21.53

S/14.09

Envase tipo carrete

S/14.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

155 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

4 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NVMJS1D7N04CTWG
onsemi
1: S/11.05
9,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMJS1D7N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMJS1D7N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

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Hoja de datos

9,254En existencias

Cinta cortada

S/11.05

S/7.08

S/4.83

S/4.09

S/3.51

Envase tipo carrete

S/2.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-8

N-Channel

1 Channel

40 V

185 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

106 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NVMYS2D9N04CLTWG
onsemi
1: S/8.10
2,515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS2D9N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS2D9N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,515En existencias

Cinta cortada

S/8.10

S/5.18

S/3.48

S/2.76

S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

LFPAK-4

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFS003N04CTAG
onsemi
1: S/10.39
5,417En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS003N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS003N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,417En existencias

Cinta cortada

S/10.39

S/6.70

S/4.59

S/3.67

S/3.19

Envase tipo carrete

S/3.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

103 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

69 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF

NVTFS5C478NLWFTAG
onsemi
1: S/7.59
5,617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C478NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C478NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF

Obtenga más información

Hoja de datos

5,617En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.83

S/3.25

S/2.57

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

26 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 312A 900MO

NTMFS5C410NLT1G
onsemi
1: S/14.79
1,904En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C410NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C410NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 312A 900MO

Obtenga más información

Hoja de datos

1,904En existencias

Cinta cortada

S/14.79

S/9.69

S/7.05

S/5.92

Envase tipo carrete

S/5.10

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NTMYS1D2N04CLTWG
onsemi
1: S/12.26
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NTMYS1D2N04CLTWG

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Cinta cortada

S/12.26

S/7.90

S/5.41

S/4.67

Envase tipo carrete

S/3.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

258 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C454NT4G
onsemi
1: S/12.34
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Cinta cortada

S/12.34

S/8.02

S/5.53

S/4.48

S/4.32

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C486NLT4G
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5,000En existencias

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Cinta cortada

S/10.04

S/6.38

S/4.32

S/3.48

S/3.43

Envase tipo carrete

S/2.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

24 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9.8 nC

- 55 C

+ 175 C

18 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C446NLWFT1G
onsemi
1: S/24.99
2,177En existencias

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NVMFD5C446NLWFT1G

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863-NVMFD5C446NLWFT

onsemi

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Cinta cortada

S/24.99

S/16.74

S/12.07

S/11.44

S/10.39

Envase tipo carrete

S/10.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

145 A

2.2 mOhms, 2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W