BST400D12P4A101

ROHM Semiconductor
755-BST400D12P4A101
BST400D12P4A101

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
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Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/2,386.84 S/2,386.84
S/2,016.59 S/20,165.90

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Módulos MOSFET
SiC
Press Fit
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
394 A
8.6 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
- 40 C
+ 175 C
1.667 kW
Bulk
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 42 ns
Producto: Power Module
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de subida: 102 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 80
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Nombre comercial: EcoSiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 198 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 119 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Specification Sheets

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Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541590080
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Japón
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules

ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 and BST400D12P4A111 TRCDRIVE pack™ with 2-in-1 SiC Molded Modules feature 1200V rated voltage in a compact package with 41.6mm × 52.5mm dimensions. These modules integrate 4th Generation SiC MOSFETs for a power-dense design that greatly reduces the size of electric vehicle (xEV) inverters. ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 and BST400D12P4A111 modules support up to 300kW and feature a terminal configuration designed to meet the critical challenges of traction inverters regarding miniaturization, higher efficiency, and fewer person-hours. These modules do not require soldering for the signal terminals, offering ease of use for designers.

High-Density SiC Power Modules

ROHM Semiconductor High-Density Silicon Carbide (SiC) Power Modules are designed to support high-efficiency power conversion in automotive and industrial applications. The lineup includes several package platforms such as TRCDRIVE pack™, HSDIP20, and DOT-247, each optimized for different power classes and system requirements. These packages integrate SiC MOSFETs into compact module structures that enable high power density, stable switching performance, and efficient thermal management. Depending on the package, configurations such as 2-in-1, 4-in-1, and 6-in-1 are available, providing flexibility for a wide range of power conversion and motor drive applications.

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