Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 15

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840STRRPBF
Vishay Semiconductors
1: S/14.17
707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840STRRPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840STRRPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

707En existencias

Cinta cortada

S/14.17

S/9.23

S/6.73

S/5.22

Envase tipo carrete

S/4.83

S/4.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840LCLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/15.92
863En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840LCLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840LCLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

863En existencias

S/15.92

S/8.33

S/7.55

S/6.19

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840APBF
Vishay Semiconductors
1: S/9.50
1,898En existencias
2,000Se espera el 21/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF840APBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840APBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,898En existencias

2,000Se espera el 21/05/2026

S/9.50

S/6.93

S/5.25

S/4.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840ASPBF
Vishay Semiconductors
1: S/13.70
9,519En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRF840ASPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840ASPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

9,519En existencias

5,000En pedido

S/13.70

S/7.01

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S/4.87

Ver

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N-Channel

1 Channel

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8 A

850 mOhms

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125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V

IRF840ASTRRPBF
Vishay Semiconductors
1: S/15.49
1,297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840ASTRRPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840ASTRRPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V

Hoja de datos

1,297En existencias

Cinta cortada

S/15.49

S/10.12

S/7.28

S/6.31

Envase tipo carrete

S/5.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

38 nC

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+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840SPBF
Vishay Semiconductors
1: S/10.98
2,120En existencias
4,000Se espera el 25/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF840SPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840SPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

2,120En existencias

4,000Se espera el 25/06/2026

S/10.98

S/5.22

S/4.40

S/3.89

Ver

Min.: 1
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D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840LCPBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.57
2,234En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840LCPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRF840LCPBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

2,234En existencias

S/12.57

S/7.79

S/6.15

S/5.57

S/3.85

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840ALPBF
Vishay Semiconductors
1: S/15.69
5,052En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840ALPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840ALPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

5,052En existencias

S/15.69

S/7.98

S/7.24

S/5.92

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840LCPBF
Vishay Semiconductors
1: S/11.21
3,159En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840LCPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840LCPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

3,159En existencias

S/11.21

S/6.42

S/4.90

S/4.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

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- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840PBF
Vishay Semiconductors
1: S/10.28
2,324En existencias
4,000Se espera el 29/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRF840PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

2,324En existencias

4,000Se espera el 29/03/2027

S/10.28

S/6.23

S/5.29

S/4.28

Ver

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Mult.: 1

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TO-220-3

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1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

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63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.70
978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRF840PBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

978En existencias

S/10.70

S/6.54

S/4.75

S/3.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840STRLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/11.52
1,293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840STRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840STRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

1,293En existencias

Cinta cortada

S/11.52

S/7.08

S/5.33

Envase tipo carrete

S/4.79

S/3.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840LCSPBF
Vishay Semiconductors
1: S/15.92
235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840LCSPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840LCSPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

235En existencias

S/15.92

S/8.21

S/7.05

S/6.31

S/5.99

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840APBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.34
9,900Se espera el 11/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF840APBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRF840APBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

9,900Se espera el 11/09/2026

S/15.34

S/10.04

S/7.05

S/5.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp

IRF840ASTRLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/12.53
1,600Existencias disponibles

N.º de artículo del Fabricante
IRF840ASTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840ASTRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp

Hoja de datos

1,600Existencias disponibles

Más información disponible

Cinta cortada

S/12.53

S/8.10

S/5.80

S/4.98

Envase tipo carrete

S/4.94

S/4.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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