Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen IV Top-Side Double Cooling MOSFETs

Vishay TrenchFET^® Gen IV Top-Side Double Cooling MOSFETs feature top-side cooling and offer an additional venue for thermal transfer. These MOSFETs come in the PowerPAK^® SO-8DC package. The TrenchFET double cooling MOSFETs offer variants with different drain-source breakdown voltages of 25V, 30V, 40V, 60V, 80V, 100V, 150V, and 200V. These N-channel MOSFETs operate at a temperature range from -55°C to 150°C. The TrenchFET MOSFETs can be utilized for product-specific applications including synchronous rectification, DC/DC conversion, power supplies, battery management, and others.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET, PowerPAK SO-8DC

SIDR668ADP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.22
20,267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR668ADP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR668ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET, PowerPAK SO-8DC

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20,267En existencias

Cinta cortada

S/12.22

S/8.10

S/5.64

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8DC

N-Channel

1 Channel

100 V

104 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR668DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.09
52,021En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR668DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR668DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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52,021En existencias

Cinta cortada

S/14.09

S/9.23

S/6.46

S/5.64

Envase tipo carrete

S/4.75

S/4.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

95 A

5.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR622DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.52
7,038En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR622DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR622DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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7,038En existencias

Cinta cortada

S/14.52

S/9.54

S/6.66

S/5.88

Envase tipo carrete

S/4.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

150 V

64.6 A

17.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR680DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.94
9,797En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR680DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR680DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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9,797En existencias

Cinta cortada

S/13.94

S/9.11

S/6.38

S/5.57

S/5.45

Envase tipo carrete

S/4.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

69.5 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR626DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.78
8,646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR626DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR626DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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8,646En existencias

Cinta cortada

S/13.78

S/7.20

S/5.49

S/4.98

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR140DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.85
8,815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR140DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR140DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8DC

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8,815En existencias

Cinta cortada

S/12.85

S/8.33

S/6.11

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

670 uOhms

- 16 V, 20 V

1 V

170 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR392DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.31
1,069En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR392DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR392DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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1,069En existencias

Cinta cortada

S/13.31

S/8.72

S/6.07

S/5.25

S/5.02

Envase tipo carrete

S/4.24

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

620 uOhms

- 10 V, 10 V

1 V

125 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR638DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.94
8,728En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR638DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR638DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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8,728En existencias

Cinta cortada

S/10.94

S/7.08

S/4.90

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.16 mOhms

- 16 V, 20 V

2.3 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR870ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.82
26,128En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR870ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR870ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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26,128En existencias

Cinta cortada

S/10.82

S/7.01

S/4.83

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

95 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR610DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.93
3,922En existencias
3,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIDR610DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR610DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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Hoja de datos

3,922En existencias

3,000Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/16.93

S/11.33

S/8.72

S/7.75

Envase tipo carrete

S/6.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

200 V

39.6 A

31.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR390DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.42
156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR390DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR390DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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Hoja de datos

156En existencias

Cinta cortada

S/12.42

S/8.10

S/5.64

S/4.79

S/4.52

Envase tipo carrete

S/3.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.15 mOhms

- 16 V, 20 V

800 mV

102 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR402DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.69
3,000Existencias disponibles

N.º de artículo del Fabricante
SIDR402DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR402DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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Hoja de datos

3,000Existencias disponibles

Más información disponible

Cinta cortada

S/12.69

S/8.29

S/5.76

S/4.90

S/4.71

Envase tipo carrete

S/3.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.16 mOhms

- 16 V, 20 V

2.3 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 69.9A

SIDR390DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
6,000: S/4.05
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR390DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR390DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 69.9A

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Hoja de datos

No en existencias

Cinta cortada

S/4.05

Min.: 6,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.15 mOhms

- 16 V, 20 V

2 V

153 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

TrenchFET® Gen IV Top-Side Double Cooling MOSFETs

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