EVSTDRIVEG600DM

STMicroelectronics
511-EVSTDRIVEG600DM
EVSTDRIVEG600DM

Fabricante:

Descripción:
Herramientas de desarrollo de administración de IC Demonstration board for STDRIVEG600 600V half-bridge high-speed gate driver

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/321.79 S/321.79

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Herramientas de desarrollo de administración de IC
RoHS:  
Demonstration Boards
Gate Driver
4.75 V to 20 V
STDRIVEG600
Marca: STMicroelectronics
Empaquetado: Bulk
Tipo de producto: Power Management IC Development Tools
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Development Tools
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Atributos seleccionados: 0

USHTS:
9030890100
TARIC:
8473302000
ECCN:
EAR99

EVSTDRIVEG600DM Demonstration Board

STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DM Demonstration Board provides a Half-Bridge topology reference design pairing the STDRIVEG600 Gate Driver with an MDmesh™ DM2 Power MOSFET. The STDRIVEG600 is a single-chip half-bridge gate driver for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V.