Semiconductores – Mouser Perú

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Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4003SCT
Diodes Incorporated
1: S/7.55
118En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT4003SCT

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621-DMT4003SCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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S/7.55

S/3.48

S/2.71

S/2.48

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4005SCT
Diodes Incorporated
1: S/10.24
22En existencias

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DMT4005SCT

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621-DMT4005SCT

Diodes Incorporated

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S/10.24

S/5.92

S/4.40

S/4.09

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4011LFG-13
Diodes Incorporated
1: S/3.19
4,007En existencias

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DMT4011LFG-13

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621-DMT4011LFG-13

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S/3.19

S/1.97

S/1.28

S/0.977

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W

DMT6007LFG-13
Diodes Incorporated
1: S/6.27
2,994En existencias

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DMT6007LFG-13

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621-DMT6007LFG-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W

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S/6.27

S/3.97

S/2.65

S/2.08

S/1.90

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S/1.73

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6009LCT
Diodes Incorporated
1: S/5.49
121En existencias

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DMT6009LCT

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621-DMT6009LCT

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S/5.49

S/2.58

S/2.30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs

DMT6009LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.40
3,125En existencias

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DMT6009LSS-13

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621-DMT6009LSS-13

Diodes Incorporated

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S/4.40

S/3.40

S/2.36

S/1.97

S/1.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC

DMT6010LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/5.02
491En existencias
2,000Se espera el 12/06/2026

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DMT6010LFG-7

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621-DMT6010LFG7

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S/5.02

S/3.13

S/2.07

S/1.63

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S/1.32

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6012LFDF-7
Diodes Incorporated
1: S/3.54
1,994En existencias

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DMT6012LFDF-7

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621-DMT6012LFDF-7

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S/3.54

S/2.43

S/1.64

S/1.31

S/1.21

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S/0.977

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

DMT6016LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.31
4,953En existencias
2,500Se espera el 15/04/2026

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DMT6016LPS-13

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621-DMT6016LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

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4,953En existencias

2,500Se espera el 15/04/2026

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S/3.31

S/2.19

S/1.47

S/1.16

Envase tipo carrete

S/0.923

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

DMT6016LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/2.37
5,769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6016LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6016LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

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S/2.37

S/1.88

S/1.41

S/1.09

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S/0.817

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

DMT68M8LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.08
2,642En existencias

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DMT68M8LSS-13

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621-DMT68M8LSS-13

Diodes Incorporated

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S/3.08

S/2.06

S/1.36

S/1.08

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S/0.829

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

DMT8012LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/6.03
1,152En existencias

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DMT8012LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT8012LPS-13

Diodes Incorporated

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S/6.03

S/3.80

S/2.53

S/1.99

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.63

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT8012LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.25
1,976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT8012LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT8012LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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S/5.25

S/3.36

S/2.29

S/1.82

S/1.69

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S/1.46

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V

DMTH10H005SCT
Diodes Incorporated
1: S/12.53
51En existencias

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DMTH10H005SCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H005SCT

Diodes Incorporated

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S/12.53

S/6.31

S/5.61

S/4.90

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H010LCT
Diodes Incorporated
1: S/8.76
65En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H010LCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010LCT

Diodes Incorporated

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S/8.76

S/4.28

S/3.64

S/3.11

S/2.92

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H010LCTB-13
Diodes Incorporated
1: S/8.84
332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H010LCTB-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010LCTB13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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332En existencias

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S/8.84

S/5.80

S/4.01

S/3.66

Envase tipo carrete

S/2.92

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H010SCT
Diodes Incorporated
1: S/7.71
187En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H010SCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010SCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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187En existencias

S/7.71

S/3.68

S/3.35

S/2.66

S/2.43

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H025LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/4.24
782En existencias
2,500Se espera el 30/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H025LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H025LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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782En existencias

2,500Se espera el 30/03/2026

Cinta cortada

S/4.24

S/2.80

S/1.88

S/1.51

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.16

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H025LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/5.92
3,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H025LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H025LK3Q13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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3,008En existencias

Cinta cortada

S/5.92

S/3.80

S/2.62

S/2.06

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K

DMTH10H025SK3-13
Diodes Incorporated
1: S/3.89
518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H025SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H025SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K

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518En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.48

S/1.62

S/1.28

Envase tipo carrete

S/0.993

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMTH3002LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.71
1,771En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH3002LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH3002LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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1,771En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/3.78

S/2.65

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.90

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

DMTH3004LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/5.80
1,463En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH3004LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH3004LK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

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1,463En existencias

Cinta cortada

S/5.80

S/3.67

S/2.45

S/1.99

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMTH32M5LPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/6.97
1,695En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH32M5LPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH32M5LPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Hoja de datos

1,695En existencias

Cinta cortada

S/6.97

S/4.44

S/2.97

S/2.35

Envase tipo carrete

S/1.87

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A

DMTH4004SCTB-13
Diodes Incorporated
1: S/8.21
548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4004SCTB-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004SCTB-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A

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548En existencias

Cinta cortada

S/8.21

S/5.53

S/3.73

S/3.69

Envase tipo carrete

S/2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A

DMTH4004SCTBQ-13
Diodes Incorporated
1: S/9.23
43En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4004SCTBQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004SCTBQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A

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Cinta cortada

S/9.23

S/6.07

S/4.16

S/3.83

Envase tipo carrete

S/3.04

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Mult.: 1

Carrete: 800

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