Semiconductores – Mouser Perú

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Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3020LFDB-7
Diodes Incorporated
1: S/4.55
141En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LFDB-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LFDB-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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141En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/4.55

S/2.88

S/1.90

S/1.39

S/1.25

Envase tipo carrete

S/1.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,070

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, SO-8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

DMT3020LSD-13
Diodes Incorporated
1: S/4.36
31En existencias
2,500Se espera el 2/08/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LSD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LSD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, SO-8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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31En existencias

2,500Se espera el 2/08/2027

Cinta cortada

S/4.36

S/2.65

S/1.86

S/1.62

Envase tipo carrete

S/0.993

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

DMT36M1LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.85
64En existencias
5,000Se espera el 17/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT36M1LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT36M1LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

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64En existencias

5,000Se espera el 17/02/2027

Cinta cortada

S/3.85

S/2.34

S/1.53

S/1.46

Envase tipo carrete

S/0.887

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4004LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/7.05
1,130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT4004LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT4004LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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Cinta cortada

S/7.05

S/4.48

S/3.11

S/2.46

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4005SCT
Diodes Incorporated
1: S/10.94
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT4005SCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMT4005SCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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22En existencias

S/10.94

S/5.99

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4011LFG-13
Diodes Incorporated
1: S/4.40
99En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT4011LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT4011LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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99En existencias

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S/4.40

S/2.36

S/1.73

S/1.49

S/1.37

Envase tipo carrete

S/1.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4011LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/4.20
1,062En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMT4011LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT4011LFG-7

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Cinta cortada

S/4.20

S/2.60

S/1.70

S/1.33

S/1.18

Envase tipo carrete

S/1.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 41V-60V

DMT6002LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/12.49
56En existencias
2,500Se espera el 20/10/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT6002LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6002LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 41V-60V

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56En existencias

2,500Se espera el 20/10/2027

Cinta cortada

S/12.49

S/8.10

S/5.61

S/4.63

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6005LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/9.34
531En existencias
5,000Se espera el 15/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT6005LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6005LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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5,000Se espera el 15/01/2027

Cinta cortada

S/9.34

S/5.96

S/4.05

Envase tipo carrete

S/4.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 330

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W

DMT6007LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/8.64
2,270En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6007LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6007LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W

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2,270En existencias

Cinta cortada

S/8.64

S/5.57

S/3.74

Envase tipo carrete

S/3.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6009LCT
Diodes Incorporated
1: S/5.92
46En existencias
850Se espera el 16/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT6009LCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6009LCT

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46En existencias

850Se espera el 16/07/2027

S/5.92

S/2.79

S/2.48

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 2.6W 57A

DMT6009LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/6.85
902En existencias
12,500Se espera el 19/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT6009LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6009LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 2.6W 57A

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902En existencias

12,500Se espera el 19/03/2027

Cinta cortada

S/6.85

S/3.25

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 170

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6009LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/6.77
1,493En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6009LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6009LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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1,493En existencias

Cinta cortada

S/6.77

S/4.32

S/2.86

S/2.25

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs

DMT6009LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/7.79
1,990En existencias
2,500Se espera el 19/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT6009LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6009LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs

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1,990En existencias

2,500Se espera el 19/05/2027

Cinta cortada

S/7.79

S/3.72

S/3.23

S/2.57

S/2.28

Envase tipo carrete

S/2.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC

DMT6010LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/7.86
2,124En existencias
4,000Se espera el 19/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT6010LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6010LFG7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC

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2,124En existencias

4,000Se espera el 19/02/2027

Cinta cortada

S/7.86

S/3.88

S/3.19

S/2.50

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

DMT6016LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.10
4,155En existencias
2,500Se espera el 15/10/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT6016LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6016LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

Hoja de datos

4,155En existencias

2,500Se espera el 15/10/2027

Cinta cortada

S/5.10

S/2.36

S/2.09

S/1.66

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

DMT6016LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.71
124En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMT6016LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6016LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

Hoja de datos

124En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

S/4.71

S/2.92

S/1.92

S/1.50

Envase tipo carrete

S/1.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 750

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6017LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.88
54En existencias
2,500Se espera el 3/12/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT6017LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6017LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

54En existencias

2,500Se espera el 3/12/2027

Cinta cortada

S/5.88

S/3.65

S/2.15

S/1.70

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6018LDR-13
Diodes Incorporated
1: S/7.28
2,743En existencias
20,000Se espera el 13/08/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT6018LDR-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6018LDR-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

2,743En existencias

20,000Se espera el 13/08/2027

Cinta cortada

S/7.28

S/4.05

S/2.99

S/2.83

Envase tipo carrete

S/1.58

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6018LDR-7
Diodes Incorporated
1: S/7.67
32En existencias
6,000Se espera el 19/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMT6018LDR-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6018LDR-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

32En existencias

6,000Se espera el 19/10/2026

Cinta cortada

S/7.67

S/4.28

S/3.17

S/3.09

Envase tipo carrete

S/1.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT68M8LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/6.31
5,009En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT68M8LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT68M8LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

5,009En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/2.97

S/2.64

S/2.42

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

DMT68M8LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.01
1,769En existencias
2,500Se espera el 19/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT68M8LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT68M8LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

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1,769En existencias

2,500Se espera el 19/02/2027

Cinta cortada

S/4.01

S/1.83

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 360

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT69M8LFV-7
Diodes Incorporated
1: S/6.19
411En existencias
2,000Se espera el 19/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMT69M8LFV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT69M8LFV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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411En existencias

2,000Se espera el 19/03/2027

Cinta cortada

S/6.19

S/3.84

S/2.53

S/2.03

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF

DMT8012LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/6.15
2,434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT8012LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT8012LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF

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Hoja de datos

2,434En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.89

S/2.59

S/2.03

Envase tipo carrete

S/1.69

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

DMT8012LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/6.07
946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT8012LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT8012LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

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946En existencias

Cinta cortada

S/6.07

S/3.58

S/2.49

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.63

Ver

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

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