Semiconductores – Mouser Perú

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Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6017LFV-7
Diodes Incorporated
1: S/3.04
1,833En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6017LFV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6017LFV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Cinta cortada

S/3.04

S/2.08

S/1.39

S/1.09

S/0.981

Envase tipo carrete

S/0.771

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT69M8LFV-7
Diodes Incorporated
1: S/4.67
1,920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT69M8LFV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT69M8LFV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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S/4.67

S/2.93

S/1.93

S/1.50

Envase tipo carrete

S/1.20

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Controladores de puertas HV Gate Driver

DGD2103MS8-13
Diodes Incorporated
1: S/3.93
1,771En existencias
2,500Se espera el 6/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
DGD2103MS8-13

N.º de artículo de Mouser
621-DGD2103MS8-13

Diodes Incorporated

Controladores de puertas HV Gate Driver

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2,500Se espera el 6/05/2026

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S/3.93

S/2.83

S/2.56

S/2.25

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S/1.89

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT10H009LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.76
2,425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H009LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H009LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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S/5.76

S/3.81

S/2.77

S/2.18

S/1.99

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S/1.83

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A

DMT10H010LCT
Diodes Incorporated
1: S/8.56
90En existencias

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DMT10H010LCT

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621-DMT10H010LCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A

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90En existencias

S/8.56

S/5.37

S/3.57

S/3.04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT10H010SPS-13
Diodes Incorporated
1: S/6.62
878En existencias

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DMT10H010SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H010SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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S/6.62

S/4.32

S/2.95

S/2.33

S/2.13

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S/1.99

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

DMT10H015LFG-13
Diodes Incorporated
1: S/6.31
2,895En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H015LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H015LFG-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

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S/6.31

S/4.01

S/2.68

S/2.11

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.75

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

DMT10H015LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.18
1,400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H015LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H015LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

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S/5.18

S/3.51

S/2.63

S/2.13

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.77

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

DMT10H017LPD-13
Diodes Incorporated
1: S/7.82
965En existencias

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DMT10H017LPD-13

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621-DMT10H017LPD-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

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S/7.82

S/5.49

S/3.80

S/3.06

S/3.01

Envase tipo carrete

S/2.76

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT10H025SSS-13
Diodes Incorporated
1: S/2.37
4,692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H025SSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H025SSS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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S/2.37

S/2.01

S/1.38

S/1.19

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.907

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMT2004UFG-7
Diodes Incorporated
1: S/3.93
710En existencias

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DMT2004UFG-7

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621-DMT2004UFG-7

Diodes Incorporated

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S/3.93

S/2.46

S/1.60

S/1.24

Envase tipo carrete

S/0.969

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMT2004UPS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.01
1,410En existencias

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DMT2004UPS-13

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621-DMT2004UPS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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S/4.01

S/2.51

S/1.64

S/1.27

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S/0.981

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Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT3003LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/4.71
3,782En existencias

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DMT3003LFG-7

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621-DMT3003LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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S/4.71

S/2.96

S/1.95

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.22

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Min.: 1
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Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3006LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/4.48
1,954En existencias

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DMT3006LFG-7

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621-DMT3006LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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S/4.48

S/2.92

S/1.92

S/1.51

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S/1.22

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Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3006LFV-13
Diodes Incorporated
1: S/4.05
1,785En existencias

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DMT3006LFV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LFV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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S/4.05

S/2.60

S/1.72

S/1.36

S/1.23

Envase tipo carrete

S/1.02

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3006LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.23
1,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3006LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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S/3.23

S/2.15

S/1.44

S/1.11

S/1.01

Envase tipo carrete

S/0.794

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3009LFVWQ-7
Diodes Incorporated
1: S/4.01
1,590En existencias

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DMT3009LFVWQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3009LFVWQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Cinta cortada

S/4.01

S/2.59

S/1.72

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.08

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K

DMT3020LDV-13
Diodes Incorporated
1: S/3.39
378En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LDV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LDV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K

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378En existencias

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S/3.39

S/2.08

S/1.37

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.716

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K

DMT3020LDV-7
Diodes Incorporated
1: S/2.84
1,202En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LDV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LDV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K

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1,202En existencias

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S/2.84

S/1.93

S/1.30

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.829

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3020LFDB-7
Diodes Incorporated
1: S/3.54
1,547En existencias
3,000Se espera el 1/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LFDB-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LFDB-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Hoja de datos

1,547En existencias

3,000Se espera el 1/05/2026

Cinta cortada

S/3.54

S/2.20

S/1.46

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.868

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3020LFDF-7
Diodes Incorporated
1: S/3.39
2,939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LFDF-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LFDF-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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2,939En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.19

S/1.42

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.825

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K

DMT3020LSD-13
Diodes Incorporated
1: S/3.08
1,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LSD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LSD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K

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1,246En existencias

Cinta cortada

S/3.08

S/2.07

S/1.39

S/1.08

S/0.977

Envase tipo carrete

S/0.767

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT32M5LFG-13
Diodes Incorporated
1: S/6.62
768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT32M5LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT32M5LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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768En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.81

S/2.22

S/2.03

Envase tipo carrete

S/1.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT32M5LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/6.62
1,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT32M5LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT32M5LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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1,880En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.81

S/2.22

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

DMT34M1LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.01
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT34M1LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT34M1LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

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2,500En existencias

Cinta cortada

S/4.01

S/2.47

S/1.63

S/1.27

Envase tipo carrete

S/0.985

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Mult.: 1

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