Semiconductores – Mouser Perú

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Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT10H014LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/6.93
2,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H014LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H014LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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S/6.93

S/4.40

S/2.95

S/2.33

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S/1.86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6009LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.75
2,515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6009LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6009LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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S/4.75

S/3.41

S/2.53

S/2.11

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S/1.63

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 1.16W 31A

DMT6015LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.54
2,466En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6015LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6015LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 1.16W 31A

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S/3.54

S/2.73

S/1.90

S/1.59

S/1.44

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S/1.17

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6017LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.01
4,391En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6017LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6017LSS-13

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S/4.01

S/2.51

S/1.64

S/1.27

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S/0.965

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H010LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/7.75
2,434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H010LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010LPS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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S/7.75

S/4.90

S/3.27

S/2.68

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S/1.97

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET Low Rdson

DMTH4004SPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/5.14
2,363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4004SPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004SPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET Low Rdson

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S/5.14

S/3.57

S/2.78

S/2.19

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S/1.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.1mOhm 10Vgs 100A

DMTH6004SPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/10.00
1,174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6004SPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SPSQ-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.1mOhm 10Vgs 100A

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S/10.00

S/7.43

S/5.25

S/4.40

S/4.28

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S/3.57

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60

DMTH6009LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/5.96
2,136En existencias

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DMTH6009LK3-13

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621-DMTH6009LK3-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60

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S/5.96

S/4.01

S/2.88

S/2.27

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S/1.78

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMTH4004LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.06
2,370En existencias

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DMTH4004LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004LPS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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S/5.06

S/4.01

S/2.79

S/2.36

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S/2.01

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A

DMTH4007SPDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/7.51
1,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4007SPDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007SPDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A

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S/7.51

S/4.79

S/3.22

S/2.55

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S/2.04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMT2004UFDF-7
Diodes Incorporated
1: S/2.53
3,641En existencias

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DMT2004UFDF-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT2004UFDF-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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S/2.53

S/1.90

S/1.30

S/1.14

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S/0.817

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMTH4014LPDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/3.93
2,406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4014LPDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4014LPDQ-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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S/3.93

S/2.94

S/2.00

S/1.58

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S/1.24

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

DMT3009LDT-7
Diodes Incorporated
1: S/5.61
2,925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3009LDT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3009LDT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

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S/5.61

S/3.55

S/2.35

S/1.84

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S/1.39

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

DMTH43M8LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/6.03
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH43M8LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH43M8LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

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S/6.03

S/3.11

S/2.52

S/1.99

S/1.79

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S/1.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W

DMTH6004SPS-13
Diodes Incorporated
1: S/9.77
1,045En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6004SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W

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S/9.77

S/8.33

S/8.17

Envase tipo carrete

S/2.86

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Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3020LFCL-7
Diodes Incorporated
1: S/2.76
2,745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LFCL-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LFCL-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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S/2.76

S/1.69

S/1.11

S/0.872

Envase tipo carrete

S/0.596

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF

DMTH6010LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.57
2,488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6010LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF

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2,488En existencias

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S/5.57

S/4.52

S/3.01

S/2.46

Envase tipo carrete

S/1.74

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6004SK3-13
Diodes Incorporated
1: S/4.94
51,400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6004SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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51,400En existencias

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S/4.94

S/3.87

S/2.71

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.29

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 2.6W 57A

DMT6009LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/5.96
4,952En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6009LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6009LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 2.6W 57A

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S/5.96

S/3.78

S/2.51

S/1.97

S/1.80

Envase tipo carrete

S/1.62

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT69M8LFV-13
Diodes Incorporated
1: S/4.36
15,926En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT69M8LFV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT69M8LFV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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15,926En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/2.74

S/1.80

S/1.39

Envase tipo carrete

S/1.04

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V

DMTH43M8LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/3.70
10,723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH43M8LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH43M8LK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V

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10,723En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/2.98

S/2.18

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.48

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

DMTH6005LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/6.42
5,826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6005LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6005LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

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5,826En existencias

Cinta cortada

S/6.42

S/4.16

S/2.79

S/2.24

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Controladores de puertas HV Gate Driver

DGD2104MS8-13
Diodes Incorporated
1: S/4.75
4,523En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DGD2104MS8-13

N.º de artículo de Mouser
621-DGD2104MS8-13

Diodes Incorporated

Controladores de puertas HV Gate Driver

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S/4.75

S/3.44

S/3.11

S/2.75

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Envase tipo carrete

S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET Low Rdson

DMT10H010LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.05
7,922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H010LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H010LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET Low Rdson

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7,922En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.94

S/2.71

S/2.68

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

DMT10H015LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/2.18
4,231En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H015LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H015LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

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4,231En existencias

Cinta cortada

S/2.18

S/2.14

S/1.93

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.75

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Carrete: 2,000

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