Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMT6013LFDF-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
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DMTH10H015SPSQ-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMTH3004LFG-13
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S/2.76
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S/1.09
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DMTH3004LFGQ-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMTH3004LFGQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET
DMTH3004LK3-13
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621-DMTH3004LK3-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET
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S/1.57
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMTH32M5LPS-13
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621-DMTH32M5LPS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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S/1.52
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
DMTH4004SK3Q-13
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621-DMTH4004SK3Q-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K
DMTH4008LFDFW-13
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621-DMTH4008LFDFW-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
DMTH4008LFDFW-7
Diodes Incorporated
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S/0.977
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621-DMTH4008LFDFW-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
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3,000
S/0.977
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S/0.954
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
DMTH4008LFDFWQ-7
Diodes Incorporated
1:
S/3.27
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N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4008LFDFWQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
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1
S/3.27
10
S/2.02
100
S/1.31
500
S/1.00
3,000
S/0.751
6,000
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S/0.903
6,000
S/0.697
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMTH6004LPSQ-13
Diodes Incorporated
1:
S/9.11
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004LPSQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
1
S/9.11
10
S/6.15
100
S/4.36
500
S/3.48
1,000
S/3.36
2,500
S/3.22
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 10K
DMTH6016LFDFW-13
Diodes Incorporated
10,000:
S/1.05
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LFDFW-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 10K
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Reguladores de tensión lineal 100V Input HV Linear 12V 40mA 0.27mA 38d
ZXTR2008P5-13
Diodes Incorporated
5,000:
S/0.814
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-ZXTR2008P5-13
Diodes Incorporated
Reguladores de tensión lineal 100V Input HV Linear 12V 40mA 0.27mA 38d
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
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Min.: 5,000
Mult.: 5,000
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Controladores de puertas HV Gate Driver
Diodes Incorporated DGD21904MS14-13
DGD21904MS14-13
Diodes Incorporated
2,500:
S/3.78
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DGD21904MS14-13
Diodes Incorporated
Controladores de puertas HV Gate Driver
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Diodes Incorporated DMTH6016LFVW-13
DMTH6016LFVW-13
Diodes Incorporated
3,000:
S/0.961
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LFVW-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Embalaje alternativo
3,000
S/0.961
6,000
S/0.934
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Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Diodes Incorporated DMT3020LFVW-7
DMT3020LFVW-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.96
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LFVW-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
1
S/2.96
10
S/1.81
100
S/1.19
500
S/0.934
2,000
S/0.681
4,000
Ver
1,000
S/0.802
4,000
S/0.611
10,000
S/0.603
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Min.: 1
Mult.: 1
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