Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Resultados: 271
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 42,033En existencias
Cinta cortada
S/8.56
S/4.63
S/3.52
Envase tipo carrete
S/3.52
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V 10,488En existencias
Cinta cortada
S/7.20
S/3.48
S/2.97
Envase tipo carrete
S/2.97
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET Low Rdson 5,061En existencias
7,500Se espera el 2/11/2026
Cinta cortada
S/9.46
S/4.67
S/4.09
S/3.65
S/3.33
Envase tipo carrete
S/2.71
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 7,028En existencias
Cinta cortada
S/7.98
S/4.05
S/3.37
S/2.83
S/2.52
Envase tipo carrete
S/2.16
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K 9,868En existencias
Cinta cortada
S/4.20
S/1.92
S/1.70
Envase tipo carrete
S/1.70
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340
: 10,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W 8,641En existencias
Cinta cortada
S/8.33
S/4.01
S/3.55
S/2.82
S/2.51
Envase tipo carrete
S/2.15
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 5V 50mA 100V 0.05A 5V 57dB 14,682En existencias
Cinta cortada
S/3.43
S/2.39
S/2.14
S/1.87
Ver
Envase tipo carrete
S/1.49
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver 23,131En existencias
Cinta cortada
S/4.36
S/3.13
S/2.81
S/2.48
Envase tipo carrete
S/2.48
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 140
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 2,365En existencias
Cinta cortada
S/9.85
S/4.87
S/4.20
S/3.41
Envase tipo carrete
S/2.85
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3.7mOHm 10V 100A 5,000En existencias
Cinta cortada
S/8.33
S/4.01
S/3.55
S/2.81
S/2.50
Envase tipo carrete
S/2.21
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A 6,893En existencias
Cinta cortada
S/6.66
S/3.55
S/2.74
S/2.23
S/1.91
Envase tipo carrete
S/1.56
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 5,046En existencias
Cinta cortada
S/7.43
S/3.65
S/3.09
S/2.51
Envase tipo carrete
S/1.95
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 7,211En existencias
Cinta cortada
S/8.06
S/3.85
S/3.38
Envase tipo carrete
S/3.38
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 2,780En existencias
Cinta cortada
S/8.84
S/4.48
S/3.67
S/3.06
S/2.74
Envase tipo carrete
S/2.46
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 4,118En existencias
Cinta cortada
S/7.28
S/3.63
S/3.03
Envase tipo carrete
S/3.03
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 2,500


Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver 1,844En existencias
Cinta cortada
S/4.59
S/3.30
S/2.97
S/2.61
Envase tipo carrete
S/2.16
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,221En existencias
Cinta cortada
S/6.23
S/2.92
S/2.50
S/2.20
Envase tipo carrete
S/1.59
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500


Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver 2,208En existencias
Cinta cortada
S/6.70
S/4.94
S/4.48
S/3.97
Envase tipo carrete
S/3.35
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver 2,318En existencias
2,500Se espera el 20/01/2027
Cinta cortada
S/3.46
S/2.43
S/2.18
S/1.90
Ver
Envase tipo carrete
S/1.55
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A 2,381En existencias
Cinta cortada
S/8.29
S/4.01
S/3.52
S/2.79
Envase tipo carrete
S/2.22
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 80A 3,346En existencias
Cinta cortada
S/6.93
S/3.27
S/2.92
S/2.55
Envase tipo carrete
S/1.71
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 2,500En existencias
Cinta cortada
S/5.41
S/3.97
S/3.13
S/2.46
Envase tipo carrete
S/1.69
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 1,743En existencias
Cinta cortada
S/8.49
S/4.32
S/3.63
S/2.94
Envase tipo carrete
S/2.41
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF 2,815En existencias
Cinta cortada
S/6.54
S/3.09
S/2.65
S/2.16
Envase tipo carrete
S/1.67
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 1,418En existencias
Cinta cortada
S/8.14
S/3.89
S/3.43
S/2.72
S/2.42
Envase tipo carrete
S/2.20
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500