Semiconductores – Mouser Perú

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Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

DMT6004LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/10.00
53,858En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6004LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6004LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

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53,858En existencias

Cinta cortada

S/10.00

S/5.80

S/4.20

S/3.61

Envase tipo carrete

S/2.90

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Min.: 1
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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6004SK3-13
Diodes Incorporated
1: S/8.56
43,277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6004SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Cinta cortada

S/8.56

S/5.06

S/3.52

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S/3.52

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Máx.: 220

: 2,500

Controladores de puertas HV Gate Driver

DGD2304S8-13
Diodes Incorporated
1: S/4.36
23,026En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DGD2304S8-13

N.º de artículo de Mouser
621-DGD2304S8-13

Diodes Incorporated

Controladores de puertas HV Gate Driver

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S/4.36

S/3.13

S/2.81

S/2.48

Envase tipo carrete

S/2.48

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Máx.: 140

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT10H015LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/6.70
4,101En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H015LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H015LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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S/6.70

S/3.84

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.77

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Mult.: 1
Máx.: 150

: 2,500

Reguladores de tensión lineal 100V Input 5V 50mA 100V 0.05A 5V 57dB

ZXTR1005PD8-13
Diodes Incorporated
1: S/3.43
14,691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXTR1005PD8-13

N.º de artículo de Mouser
621-ZXTR1005PD8-13

Diodes Incorporated

Reguladores de tensión lineal 100V Input 5V 50mA 100V 0.05A 5V 57dB

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Cinta cortada

S/3.43

S/2.39

S/2.11

S/1.87

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Envase tipo carrete

S/1.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

DMT10H010LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/9.26
2,425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H010LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H010LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

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S/9.26

S/5.49

S/3.85

S/3.20

S/2.91

Envase tipo carrete

S/2.74

MouseReel Disponible

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3.7mOHm 10V 100A

DMTH4005SPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/7.75
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4005SPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4005SPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3.7mOHm 10V 100A

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S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.63

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A

DMTH4007LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/6.19
6,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4007LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A

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S/6.19

S/3.85

S/2.55

S/2.00

S/1.79

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S/1.47

MouseReel Disponible

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

DMTH6005LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/7.01
5,146En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6005LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6005LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

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S/7.01

S/4.01

S/2.83

S/2.38

Envase tipo carrete

S/1.86

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60

DMTH6010SK3-13
Diodes Incorporated
1: S/8.56
3,082En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6010SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60

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S/8.56

S/4.98

S/3.58

S/2.95

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S/2.25

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH8003SPS-13
Diodes Incorporated
1: S/11.05
2,022En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH8003SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH8003SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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S/11.05

S/5.80

S/4.75

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.51

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Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H010SPS-13
Diodes Incorporated
1: S/7.28
7,022En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H010SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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S/7.28

S/4.28

S/3.10

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.05

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W

DMTH6009LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/7.67
10,751En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6009LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6009LK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W

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10,751En existencias

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S/7.67

S/4.36

S/3.11

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.16

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

DMT32M5LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.45
6,610En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT32M5LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT32M5LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

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6,610En existencias

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S/5.45

S/3.27

S/2.25

S/1.76

S/1.60

Envase tipo carrete

S/1.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V

DMTH43M8LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/6.81
10,323En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH43M8LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH43M8LK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V

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10,323En existencias

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S/6.81

S/3.89

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 170

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6005LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.64
7,729En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6005LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6005LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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7,729En existencias

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S/5.64

S/3.48

S/2.62

Envase tipo carrete

S/2.62

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 230

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A

DMTH6005LPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/9.15
2,428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6005LPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6005LPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A

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2,428En existencias

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S/9.15

S/5.57

S/3.97

S/3.18

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6005LCT
Diodes Incorporated
1: S/8.41
23En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6005LCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6005LCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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23En existencias

S/8.41

S/4.13

S/3.15

S/2.85

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6010SCT
Diodes Incorporated
1: S/8.52
414En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6010SCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6010SCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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414En existencias

S/8.52

S/4.83

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

DMTH6004SCT
Diodes Incorporated
1: S/11.25
40En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6004SCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

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Hoja de datos

40En existencias

S/11.25

S/6.19

S/4.83

S/4.44

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT3004LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/6.27
1,900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3004LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3004LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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1,900En existencias

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S/6.27

S/3.86

S/2.55

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.38

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W

DMTH6004SPS-13
Diodes Incorporated
1: S/11.13
462En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6004SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W

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462En existencias

Cinta cortada

S/11.13

S/7.16

S/4.87

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.37

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V

DMTH8012LPSW-13
Diodes Incorporated
1: S/6.66
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH8012LPSW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH8012LPSW-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V

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17En existencias

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S/6.66

S/4.13

S/2.55

S/2.00

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF

DMTH6010LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/8.06
285En existencias
5,000Se espera el 21/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6010LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF

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285En existencias

5,000Se espera el 21/04/2027

Cinta cortada

S/8.06

S/4.52

S/3.43

S/3.36

Envase tipo carrete

S/2.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4008LFV-7
Diodes Incorporated
1: S/5.72
700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT4008LFV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT4008LFV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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700En existencias

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S/5.72

S/3.51

S/2.31

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.26

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

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