Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R017C7XKSA1
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CoolMOS

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IPW60R031CFD7XKSA1
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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R040CFD7XKSA1
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Tube

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CoolMOS

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CoolMOS

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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R045C7FKSA1
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227 W

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CoolMOS

Tube

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IPZ65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
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IPZ65R065C7XKSA1

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.23
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IPA60R060C7XKSA1

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726-IPA60R060C7XKSA1

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S/35.23

S/19.27

S/17.71

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16 A

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3.5 V

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+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.10
648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180C7XKSA1

Infineon Technologies

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S/15.10

S/7.63

S/7.28

S/5.84

S/5.33

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TO-220-3

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9 A

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29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.20
348En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280CFD7XKS

Infineon Technologies

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S/13.20

S/6.62

S/5.96

S/4.71

S/4.44

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

237 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

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+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.33
543En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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543En existencias

S/8.33

S/4.75

S/3.56

S/2.84

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.60
69En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R125C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R125C7XKSA1

Infineon Technologies

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69En existencias

S/21.60

S/11.29

S/10.28

S/8.56

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R190C7
Infineon Technologies
1: S/16.00
463En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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463En existencias

S/16.00

S/10.43

S/7.59

S/6.34

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.44
655En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

655En existencias

S/14.44

S/7.94

S/7.20

S/5.84

S/5.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD65R190C7
Infineon Technologies
1: S/13.86
1,079En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R190C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R190C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,079En existencias

Cinta cortada

S/13.86

S/9.03

S/6.34

S/5.29

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.88
3,507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K0P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

3,507En existencias

Cinta cortada

S/5.88

S/3.69

S/2.45

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.73

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

1.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.85
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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500En existencias

S/19.85

S/10.28

S/8.80

S/7.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.79
153En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

153En existencias

S/27.79

S/15.92

S/13.31

S/11.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.69
254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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254En existencias

S/22.69

S/12.77

S/10.59

S/9.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.27
177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180C7XKSA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

177En existencias

S/19.27

S/10.74

S/8.84

S/7.43

S/7.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.01
136En existencias
240Se espera el 19/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R095C7XKSA1

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726-IPW65R095C7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/30.01

S/17.28

S/14.52

S/13.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
15 A
16 A
17 A

17 mOhms
19 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
34 mOhms
40 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
52 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
58 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC
25 nC
27 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W
29 W