Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD45N15S-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/11.44
2,725En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJD45N15S-AU_L2_006A1

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241-PJD45N15SAUL26A1

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Cinta cortada

S/11.44

S/7.43

S/5.14

S/4.28

S/4.09

Envase tipo carrete

S/4.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

150 V

40 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4594P-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/7.51
4,433En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4594P-AU_R2_002A1

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241-PJQ4594PAUR22A1

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4,433En existencias

Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.23

S/2.56

Ver

Envase tipo carrete

S/2.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

150 V

18 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5592-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/12.49
2,579En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5592-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5592AUR2002A1

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Cinta cortada

S/12.49

S/8.10

S/5.68

S/4.59

Envase tipo carrete

S/3.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

150 V

42 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5594-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/8.29
2,824En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5594-AU_R2_002A1

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241-PJQ5594AUR2002A1

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Cinta cortada

S/8.29

S/5.29

S/3.59

S/2.86

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.54

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

150 V

25 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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PJD30N15S-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/7.90
1,830En existencias
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Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.41

S/2.71

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

150 V

26 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N15S-AU_L2_006A1
Panjit
3,000: S/4.28
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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PJD50N15S-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50N15SAUL26A1

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Envase tipo carrete

S/4.28

S/4.16

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

150 V

65 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5590-AU_R2_002A1
Panjit
3,000: S/4.94
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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PJQ5590-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5590AUR2002A1

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Envase tipo carrete

S/4.94

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

150 V

59 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

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