Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ CM8 650V Power MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V Power MOSFETs are designed according to the Superjunction (SJ) principle to offer low switching and conduction losses. These MOSFETs are suitable for hard and soft switching topologies due to the devices' commutation ruggedness. The CoolMOS™ CM8 650V MOSFETs feature fast design‑in through low ringing tendency and usage across the PFC and PWM stages. These MOSFETs enable simplified thermal management through an advanced die attach technique. The CoolMOS™ CM8 650V MOSFETs are RoHS compliant and fully qualified as per JEDEC standards for industrial applications. Typical applications include LLC resonant converters, AI servers, telecom power supplies, and data centers.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW65R060CM8XKSA1
Infineon Technologies
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IPW65R060CM8XKSA1

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726-IPW65R060CM8XKSA

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Infineon Technologies

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S/24.95

S/19.11

S/15.45

S/13.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

60 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA65R040CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.73
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726-IPZA65R040CM8XKS

Nuevo producto

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S/35.73

S/26.00

S/21.64

S/19.31

S/17.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

62 A

40 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

329 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPDQ65R018CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/53.52
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Cinta cortada

S/53.52

S/39.98

S/34.57

S/32.74

Envase tipo carrete

S/27.79

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Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

127 A

18 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

173 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT65R018CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/48.50
1,800En existencias
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Cinta cortada

S/48.50

S/39.47

S/32.89

S/29.31

S/24.87

Envase tipo carrete

S/24.87

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Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

134 A

18 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

173 nC

- 55 C

+ 150 C

694 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT65R025CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/38.50
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S/38.50

S/29.19

S/24.33

S/21.68

S/19.31

Envase tipo carrete

S/19.31

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Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

101 A

25 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

124 nC

- 55 C

+ 150 C

543 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT65R040CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.82
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N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R040CM8XTMA

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Cinta cortada

S/29.82

S/21.02

S/17.52

S/15.61

S/13.90

Envase tipo carrete

S/13.90

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

67 A

40 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPW65R018CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/56.60
266En existencias
720Se espera el 23/07/2026
Nuevo producto

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IPW65R018CM8XKSA1

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726-IPW65R018CM8XKSA

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266En existencias

720Se espera el 23/07/2026

S/56.60

S/42.27

S/36.55

S/34.60

S/29.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

116 A

18 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

173 nC

- 55 C

+ 150 C

521 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA65R018CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/58.12
215En existencias
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IPZA65R018CM8XKSA1

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726-IPZA65R018CM8XKS

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S/58.12

S/43.40

S/37.52

S/35.54

S/30.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

116 A

18 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

173 nC

- 55 C

+ 150 C

521 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW65R040CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.25
149En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPW65R040CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R040CM8XKSA

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Infineon Technologies

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149En existencias

S/34.25

S/24.91

S/20.75

S/18.49

S/16.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

62 A

70 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA65R025CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/45.11
176En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPZA65R025CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R025CM8XKS

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176En existencias

S/45.11

S/36.71

S/30.60

S/27.25

S/23.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

124 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPDQ65R008CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/84.93
3,000En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R008CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R008CM8XTM

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S/84.93

S/69.48

S/61.38

Envase tipo carrete

S/61.38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

270 A

8 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

375 nC

- 55 C

+ 150 C

1.249 kW

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW65R025CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/44.76
469En pedido
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IPW65R025CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R025CM8XKSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

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469En pedido

S/44.76

S/35.03

S/29.19

S/26.00

S/22.07

Min.: 1
Mult.: 1

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PG-TO247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

124 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

CoolMOS™ CM8 650V Power MOSFETs

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