Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ CM8 650V Power MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V Power MOSFETs are designed according to the Superjunction (SJ) principle to offer low switching and conduction losses. These MOSFETs are suitable for hard and soft switching topologies due to the devices' commutation ruggedness. The CoolMOS™ CM8 650V MOSFETs feature fast design‑in through low ringing tendency and usage across the PFC and PWM stages. These MOSFETs enable simplified thermal management through an advanced die attach technique. The CoolMOS™ CM8 650V MOSFETs are RoHS compliant and fully qualified as per JEDEC standards for industrial applications. Typical applications include LLC resonant converters, AI servers, telecom power supplies, and data centers.

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Id - Corriente de drenaje continua

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW65R025CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/47.49
674En existencias
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IPW65R025CM8XKSA1

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726-IPW65R025CM8XKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

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674En existencias

S/47.49

S/28.42

S/24.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

124 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPDQ65R008CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/91.47
2,250Se espera el 2/07/2026
Nuevo producto

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IPDQ65R008CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R008CM8XTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/91.47

S/74.07

S/64.03

S/56.64

Envase tipo carrete

S/56.64

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

270 A

8 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

375 nC

- 55 C

+ 150 C

1.249 kW

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPDQ65R018CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/55.62
663En existencias
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IPDQ65R018CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R018CM8XTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

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663En existencias

Cinta cortada

S/55.62

S/38.93

S/32.00

S/29.89

Envase tipo carrete

S/29.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

127 A

18 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

173 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT65R025CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/41.10
1,033En existencias
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IPT65R025CM8XTMA1

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726-IPT65R025CM8XTMA

Nuevo producto

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Cinta cortada

S/41.10

S/28.30

S/21.60

S/21.56

S/20.16

Envase tipo carrete

S/20.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

101 A

25 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

124 nC

- 55 C

+ 150 C

543 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW65R018CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/59.83
1,317En existencias
720En pedido
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IPW65R018CM8XKSA1

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726-IPW65R018CM8XKSA

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S/59.83

S/36.51

S/32.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

116 A

18 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

173 nC

- 55 C

+ 150 C

521 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA65R018CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/61.62
185En existencias
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IPZA65R018CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R018CM8XKS

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185En existencias

S/61.62

S/37.72

S/34.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

116 A

18 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

173 nC

- 55 C

+ 150 C

521 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA65R040CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/37.68
566En existencias
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IPZA65R040CM8XKSA1

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726-IPZA65R040CM8XKS

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566En existencias

S/37.68

S/22.11

S/21.56

S/19.19

S/17.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

62 A

40 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

329 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW65R040CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.59
117En existencias
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IPW65R040CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R040CM8XKSA

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117En existencias

S/36.59

S/21.45

S/18.10

S/17.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

62 A

70 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW65R060CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.10
345En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPW65R060CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R060CM8XKSA

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345En existencias

S/28.10

S/16.11

S/13.47

S/12.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

60 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA65R025CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/48.93
83En existencias
240En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
IPZA65R025CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R025CM8XKS

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83En existencias

240En pedido

S/48.93

S/29.35

S/25.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

124 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT65R018CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/53.21
2,000Se espera el 8/10/2026
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N.º de artículo del Fabricante
IPT65R018CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R018CM8XTMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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Hoja de datos

2,000Se espera el 8/10/2026

Cinta cortada

S/53.21

S/37.56

S/31.57

S/31.53

S/31.10

Envase tipo carrete

S/28.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

134 A

18 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

173 nC

- 55 C

+ 150 C

694 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT65R040CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/31.72
2,000Se espera el 19/11/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R040CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R040CM8XTMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

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2,000Se espera el 19/11/2026

Cinta cortada

S/31.72

S/21.53

S/15.76

S/15.34

S/14.32

Envase tipo carrete

S/14.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

67 A

40 mOhms

- 20 V to 20 V

4.7 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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